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本發明涉及高溫合金技術領域，尤其涉及一種含W的高強度鑄造Ni3Al基高溫合金及其制備方法。背景技術目前廣泛使用于煤、天然氣和石油轉化利用系統和先進熱力發動機中的結構材料，如奧氏體不銹鋼和高溫合金，通常無法同時滿足服役條件所需求的強度、韌性和耐蝕性。涂層材料如FeCrAl雖然擁有優良的耐蝕性，但其高溫強度較差。因此迫切需要發展新型合金以滿足高溫結構部件的苛刻服役條件，即具有良好高溫機械性能和優良耐蝕性的合金，而Ni3Al基合金恰好符合上述要求。金屬間化合物Ni3Al具有其獨特的高溫性能，十分適合應
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.本申請屬于鋼鐵冶煉技術領域，具體涉及一種無取向硅鋼的生產方法和無取向硅鋼。背景技術.無取向電工鋼，是一種低碳且si含量通常在.％至.％之間的硅鐵軟磁合金，用于家用電器、電力系統、通信系統和軍事工業等領域。對于硅鋼材料來說，其抗腐蝕能力遠高于一般低碳鋼。硅鋼生產過程中，通常使用涂布絕緣涂層達到防腐的目的，但還是會出現橫截面腐蝕的情況。.鋼鐵材料內部成分、組織等不均勻，加上外界濕氣與材料表面形成電解液薄膜，造成了材料內部及表面不同組織之間形成了電位差，引發電化學腐蝕，其中，點腐蝕造成
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.本發明涉及金屬材料技術領域，尤其涉及一種新型高性能鉬合金及其制備方法。背景技術.鉬合金是一類具有戰略意義且不可再生的稀有的難熔合金，其具有高熔點、良好的導熱性、低的膨脹系數、極好的抗熱震性能以及耐熱疲勞性能。因而鉬合金及其合金在航空航天，核工業、機械、冶金等領域有著廣闊的應用前景。同時由于我國的鉬儲量，產量以及消費量均居全球第一，因而如何高效的利用鉬及其合金制備高性能產品具有重要的戰略意義，受到國內外的廣泛關注。.目前，由于鉬及鉬合金通常具有高密度、較低的再結晶溫度、高的韌脆轉變溫度、顯
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本發明涉及復合材料制造技術領域，尤其涉及一種鋁銅復合材料藥型罩的成形方法。背景技術藥型罩是聚能破甲戰斗部的核心元件、是支撐高性能戰斗部研制的重要基礎，藥型罩材料是決定破甲性能的關鍵因素之一。藥型罩作為聚能裝藥戰斗部的關鍵構件已有50多年的發展歷史，現役98％的破甲彈戰斗部采用純銅藥型罩，大量彈道試驗研究表明，采用軋制板材、擠制的銅棒材制造的藥型罩，平均晶粒尺寸在20μm～45μm，可以侵徹穿透9倍裝藥口徑厚度的鋼靶(45鋼)，但是射流出口孔徑不到φ15mm，最后的剩余射流質量不到5％(與藥型罩總
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本實用新型涉及離子束拋光機技術領域，尤其涉及一種高精度大口徑平面離子束拋光機。背景技術離子束拋光技術是利用離子濺射原理，通過在真空狀態下離子源引束產生等離子體能量束流，束流轟擊工件表面產生原子級別的材料去除從而實現光學元件的高精度加工。傳統的離子束拋光機在對工件的不同面進行拋光采用人工手動翻轉，這種方式打斷了拋光作業節奏，而且費時費力，降低拋光效率，且增大了作業風險。實用新型內容本實用新型的目的是為了解決現有技術中離子束拋光機不便同時對工件的多個不同的表面進行拋光的問題，而提出的一種高精度大口徑
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本發明涉及一種泡沫鋁材料及其制備方法，尤其涉及一種負泊松比開孔泡沫鋁材料及其制備方法。背景技術負泊松比材料又稱為拉脹材料(Auxetic)，是一類泊松比為負數的特殊材料，當材料發生拉伸變形時，垂直于載荷的方向會發生側向膨脹；而當材料發生壓縮變形時，垂直于載荷的方向會發生側向收縮。由于負泊松比材料具有獨特的負泊松比特性和材料集中效應，使其在剪切模量、抗斷裂韌性、壓痕阻力以及能量吸收和抗沖擊性能方面都比相同組成、相同密度的正泊松比材料更加優異。目前用于防護結構的負泊松比材料主要為負泊松比微結構材料，
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本發明涉及的澆注技術領域，具體的說，是一種高溫合金定向凝固的澆注結構和澆注方法。背景技術目前世界上廣泛應用的高溫合金定向凝固鑄件制備方法是bridgman法和lmc法。將制備好的陶瓷型殼放置在真空精密鑄造爐的水冷銅盤上，待陶瓷型殼加熱至預定溫度后，實施澆注，然后按照一定速度將注入合金液的陶瓷型殼從真空精密鑄造爐的熱區(陶瓷型殼加熱器)抽拉至冷區或金屬冷卻液中，使得合金液形成定向凝固，從而獲得定向凝固鑄件。由于通常陶瓷型殼的預熱溫度及合金液的澆注溫度遠高于合金的液相線，澆注后合金液的流動性能很好。
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本發明涉及一種齒輪內花鍵滲碳淬火方法及其淬火設備，特別是一種半軸齒輪內花鍵滲碳淬火方法及其淬火設備。背景技術目前，市場上常見的齒輪淬火，都是將齒輪放入內部高溫的淬火爐中，并向淬火爐中通入甲烷、丙烷等氣體，使得齒輪表面進行滲碳，接著將滲碳完成的齒輪直接浸入淬火油中進行降溫淬火，從而使得齒輪表面具有較好的耐磨性和硬度，而齒輪內部依舊保持有韌性；但對于有內花鍵的半軸齒輪采用此類裝置進行淬火，直接向淬火爐內充入甲烷等氣體，氣體不易到達內花鍵位置處，使得內花鍵位置處的滲碳效果較差；且淬火爐中加熱位置處的一
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.本申請涉及半導體制造領域，具體而言，本申請涉及一種半導體工藝設備及其工藝腔室。背景技術.目前，在半導體工藝后段的鈍化層(passivationlayer)工藝中，鋁墊(alpad)作為集成電路中的重要的一道工序，形成在金屬互連層上端；其作為測試電性連接和封裝的引線端，對后續的封裝工藝起到承上啟下的作用。在集成電路制造過程中，幾乎所有的半導體器件在其制造過程都要使用鋁墊(alpad)用于其后道金屬互聯，作為導線傳遞各器件的電信號，通過后續封裝引線實現各器件的連接控制。.現有技術中采用
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本實用新型涉及離子束拋光機領域，具體涉及具有穩定工作狀態的離子束拋光機。背景技術所謂離子束拋光，就是把惰性氣體，如氬、氮等放在密閉空間中，用高頻電磁振蕩或放電等方法對陰極電流加熱，使之電離成為正離子，再用5千至10萬伏高電壓對這些正離子加速，使它們具有一定的能量。利用電子透鏡聚焦，將它們聚焦成一細束,形成高能量密度離子流，在計算機的控制下轟擊放在真空室經過精磨的工件表面，從其表面把工件物質一個原子一個原子地濺射掉。用這種方法實現對工件表面進行深度從100埃到10微米左右的精密加工?，F有的小型離子
一種在～℃范圍內熱膨脹系數近零的鎂基復合材料及其制備方法和應用技術領域.本發明屬于金屬復合材料技術領域，具體涉及一種在～℃范圍內熱膨脹系數近零的鎂基復合材料及其制備方法和應用。背景技術.鎂合金作為一種新型的綠色結構材料，具有金屬結構材料中最低的密度，僅為.g/cm，其比剛度高、電磁屏蔽性能好、導熱導電性能優良且環境友好，不僅在汽車工業、航空航天等輕量化進程中扮演著重要角色，且在電子器件領域引起了極大的關注，如led散熱器、筆記本外殼等。.在電子元器件制造領域，
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本發明涉及可適用于壓鑄的鋁合金組合物及對其進行熱處理的方法。具體而言，鋁合金組合物可包括通過熱處理形成的Mg-Zn基強化相沉淀，因此其可具有大大改善的強度。背景技術由于易于鑄造、與其他金屬高效地形成合金、在空氣中顯示出高耐腐蝕性并具有高導電導熱性，鋁在工業中已得到廣泛應用。具體而言，鋁主要被用于減輕車輛重量并提高燃料效率，且通過將鋁與其他金屬混合而以鋁合金的形式提供，因為與其他金屬例如鐵相比，鋁本身的強度可能不足。通過壓鑄制造鋁合金，其是一種精密的鑄造工藝，其中將熔融金屬注入具有空腔的模具中，由
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本實用新型涉及一種LED蒸鍍設備鍍金工藝技術領域，更具體地說，它涉及一種應用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝。背景技術蒸鍍是LED加工過程中的一個重要環節，即在真空腔體內加熱有機小分子材料，使其升華或者熔融氣化成材料蒸汽，透過金屬光罩的開孔沉積在基板上。在傳統的LED蒸鍍鍍金工藝中，鍍金的坩堝直接放在水冷底座的上方，這樣的方式，具有以下缺點：1、坩堝直接與底座接觸，底座內有冷卻水裝置，受水冷影響，電子槍加熱過程需要更高的能量；2、蒸鍍過程，坩堝外壁溫度低，坩堝內的黃金在溶化過程，電子槍打坩堝中心位置，黃金在
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.本發明涉及金屬基復合材料技術領域，尤其是涉及一種高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板制備方法。背景技術.隨著功能強大、小巧便攜移動電子產品的迅速發展，電子元器件的尺寸越來越小，電路集成度也越來越高、使用頻率越來越高，相應地對電子封裝材料的穩定性和可靠性及散熱性能等提出了更高的要求，因此，電子封裝材料要適應半導體技術的發展需求，則必須充分兼顧多項參數如熱導率(tc)、熱膨脹系數(cte)、密度、強度及合理的封裝工藝等。.傳統的電子封裝材料多釆用易于加工的合金材料，然而多數情況下合金難以兼具綜
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本發明屬于納米材料領域，更具體地，涉及一種納米多孔金材料及制備方法。背景技術納米多孔金屬是指孔徑尺寸在納米范圍內的多孔金屬材料，由連續韌帶和孔組成，形成三維雙連續的多孔結構。納米多孔金屬具有高孔隙率、具有大的內表面積的納米孔，是一種兼具功能和結構雙重屬性的新型功能材料，既有高導電性、可焊性、高導熱性、抗腐蝕、抗疲勞、延展性以及結構強度高、耐高溫等金屬材料的優異性能，又具有納米材料的表面效應和尺寸效應。納米多孔金屬材料可廣泛應用于生物、醫藥、電子、光學、催化、傳感器及生物分子的隔離和
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.本發明屬于功能性生物納米材料技術領域，具體涉及一種正電性金納米簇及其制備方法與應用。背景技術.熒光金納米簇因其超微小尺寸、明確的結構組成、化學惰性、良好的生物安全性和特殊的熒光發射能力，在化學、生物和醫學領域有潛在的應用價值。目前用于制備熒光金納米簇的方法主要有兩類：()刻蝕法，即通過合適的刻蝕分子把不發光、尺寸較大的金納米顆?？涛g成可發射熒光且粒徑較小的金納米簇；()模板法，即以蛋白質、多肽、核酸、小分子等作為穩定劑和金離子反應，限制金納米顆粒的生長，使金離子主要還原成熒光金納米簇。
.本發明涉及合金加工技術領域，尤其涉及一種高致密度、成分可控的高硅鋁合金材料及制備方法。背景技術.高硅鋁合金材料具有熱膨脹系數低、導熱性好、硬度高、比強度高、耐磨性好、比重小等諸多突出優點，在汽車、電子、航空、航天等領域具有廣泛應用，尤其是在電子封裝材料和汽車發動機活塞材料等領域，具有廣泛的應用潛力。目前常用的幾種制備高硅鋁合金材料的工藝存在以下問題：()采用熔煉鑄造的方法制備高硅鋁合金材料會使組織中產生粗大的板片狀初晶硅和針狀的共晶硅，嚴重割裂了基體，尖端處還會產生應力集中，降低了強度、
鋁合金pvd結構、鋁合金裝飾件及電子設備【技術領域】.本實用新型涉及表面處理技術領域，具體的涉及一種鋁合金pvd結構、鋁合金裝飾件及電子設備?！颈尘凹夹g】.電池蓋是一種安裝在手機背面的手機外觀配件，主要起保護、裝飾等功能，因此一般電池蓋上裝有鋁合金裝飾件，以提升美觀度。目前，隨著柔性屏和折疊技術的發展，折疊手機成為未來趨勢，折疊手機設有用于折疊的轉軸，轉軸的表面通常為不銹鋼或者液態金屬并進行pvd鍍膜(pvd，即物理氣相沉積技術，表示在真空條件下，采用物理方法，將材料蒸發成氣態原子、分子或部
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本發明涉及鑄造技術領域，具體而言，涉及一種葉輪鑄造工藝及葉輪。背景技術離心式壓縮機或離心泵用來為各種流體流動提供加壓。這種壓縮機或離心泵包含葉輪，當葉輪旋轉時，流體軸向方向進入，然后加速進入周向和徑向方向，高流速流體進入擴壓器，經轉換速度后輸出高壓流體，對此類壓縮機或離心泵，所使用的葉輪一般為合金精密鑄造大型薄壁葉輪。普通重力鑄造方式鑄造葉輪時容易出現充注不足等缺陷，受到型殼結構限制，型殼自身承受壓力有限，葉輪鑄件容易產生氣孔、疏松等問題。發明內容本發明的目的在于提供一種葉輪鑄造工藝及葉輪，其能
本發明涉及的是一種硫化亞錫誘導生長金納米顆粒的自組裝方法，屬于納米材料制備領域。背景技術硫化亞錫是性能優良的P型半導體，在很多領域具有廣泛的應用，可用作晶體管、傳感器、太陽能電池、開關、電池電極等。不同于諸如石墨烯等零隙半導體的是，硫化亞錫有帶隙，且為間接帶隙，并且其帶隙和原子層數有重要的聯系，層數越薄帶隙越大。也不同于過度金屬二維材料如二硫化鉬，硫化亞錫從塊體到單層都是間接帶隙。但目前硫化亞錫和金納米顆粒的復合物制備方法還鮮有報道。金納米顆粒的合成一般采用溶液化學還原的方法，如用乙二醇或是硼氫
一種超薄碳包覆無定形/晶體異質相nife合金納米材料及其制備方法和應用技術領域.本發明屬于納米材料技術領域，尤其涉及一種超薄碳包覆無定形/晶體異質相nife合金納米材料及其制備方法和應用。背景技術.析氧反應(oer)在各種可再生能源技術中起著至關重要的作用，例如電化學水分解、可充電金屬?空氣電池以及co還原為化學品或燃料。然而，oer是一個復雜的四電子耦合反應，導致緩慢的動力學，限制了其整體能源效率。因此，高性能oer電催化劑的設計至關重要。目前，ruo/iro等貴金屬材料被認為是最有
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本發明屬于合金材料技術領域，具體涉及一種高耐蝕高強韌fecrni系多主元合金及其制備方法。背景技術高強韌、高耐腐蝕性能及良好加工性能材料是工程結構材料的主要發展方向，在航空航天、海洋、汽車和石油等領域有廣泛的應用前景。目前常見的有鈦合金、奧氏體不銹鋼等。鈦合金具有高強韌、耐腐蝕性能好、密度低等特點，目前在航空航天、海洋等高端領域應用較多，然而因其活性高，熔煉、塑性加工等都非常困難，導致其價格昂貴，限制了大規模應用。奧氏體不銹鋼(如304、316鋼等)具有良好的耐腐蝕性能、優異的加工性能及相對較低
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本發明屬于錫冶煉技術領域，具體涉及一種礦熱電爐、電解短流程冶煉精錫方法。背景技術目前錫行業大多采用的煉錫方法為錫精礦經電爐熔爐得到的粗錫進入電解得到焊錫，焊錫再經過鉛錫分離得到精錫，由于鉛錫分離過程包括結晶分離和真空分離等，工藝過于復雜，投入成本較高，工人勞動強度較大，因此，開發一種礦熱電爐、電解短流程聯合冶煉精錫方法是非常有必要的。發明內容本發明在于提供一種礦熱電爐、電解短流程聯合冶煉精錫方法。本發明的目的是這樣實現的，一種礦熱電爐、電解短流程聯合冶煉精錫方法，包括配料、熔煉、制作陽極板、制作
一種高效太陽能電池用大產能爐管式icp-cvd裝置技術領域.本發明涉及太陽能電池生產設備，尤其涉及一種高效太陽能電池用大產能爐管式icp-cvd裝置。背景技術.目前高效太陽能電池主要膜系材料為單質硅，晶體結構為非晶或微晶狀態。而且希望的是更多的微晶狀態的單質硅材料。目前主要的生長方式是采用平行平板式pecvd設備(ccp-cvd)，在一定真空度和溫度下，使用硅烷氣體分解得到，此方式由于產生的等離子體密度低，生成的單質硅薄膜主要是非晶狀態且氫含量偏高。較好的方法是采用高密度等離子體放電技術比如
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.本發明涉及高純無氧銅生產技術領域，具體涉及一種高純無氧銅生產工藝。背景技術.銅及其合金在熔煉過程中，銅液具有吸氣性，這是銅及其合金熔煉的主要特性之一，也是生產高純無氧銅的技術難點；同時銅液中氧和氫的關系為：當銅液中氧含量增加時，氫的含量減少；反之，當銅液中氫含量增加時，氧含量將減少；因此當高純無氧銅在還原精煉時，隨著銅液中氧的含量降低到一定極限時，銅液再次從熔煉氣氛中吸收氫氣，造成氫的含量會急劇增加，因此如何保證高純無氧銅中同時具有極低的氫含量，則是高純無氧銅生產的技術難點。.現有高純無
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本發明屬于靶材制造技術領域，特別涉及一種長壽命銅錳合金靶材的加工方法。背景技術濺射靶材是半導體集成電路制備過程中重要的原材料之一，靶材的材質主要包括Al、Cu、Ti、WTi、NiV、NiPt等，主要用于集成電路中接觸、通孔、互連線、阻擋層、封裝等物理氣相沉積薄膜的制備。濺射過程中，用加速的離子轟擊靶材表面，使表面的原子沉積在基底表面。為了降低集成電路制造成本，最簡單有效的方法是提高靶材壽命，常規提高靶材壽命的方法為增加濺射區域厚度。專利CN204097558U、CN201793723U、CN20
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.本發明屬于冶金固危廢處置技術領域，涉及一種鋁熱法熔融還原含鋅物料的工藝及裝置。背景技術.煉鋼過程或鉛、鋅冶煉過程通常會產生含多種金屬的高溫蒸氣，經常規冷卻除塵后會生成含pb、zn、cd等重金屬粉塵或污泥，依據發改委年月公布的《國家危險廢物名錄》(年版)中，該類粉塵已正式被劃分為hw危險廢棄物。同時，在鋁電解、鋁加工及再生鋁生產加工過程中，會產生諸多含鋁副產品，且隨著國內金屬鋁及鋁合金生產規模不斷擴大，工業鋁灰(含一次鋁灰和二次鋁灰)、電解浮渣、鍍鋅渣的產生量也成比例增
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本發明屬于有色金屬高溫冶煉領域，特別涉及一種可以量產化的電解鉻片脫氣的生產工藝。解決了國內沒有量產化高純鉻片的問題。背景技術高純金屬鉻是指主成分鉻大于99.95％，雜質含量低，特別是氧、碳、氮、硫含量低的鉻。其中，氧小于0.04％，碳小于0.025％，氮小于0.003％，S小于0.002％。高純金屬鉻主要用作超級合金添加劑-生產飛機渦輪機的葉片，電氣的觸頭、半導體、芯片濺射靶材等領域。其中高端半導體、芯片、精密電子產品、汽車活塞環以及光學材料鍍膜的鉻靶，是由高純脫氣鉻片/粒破碎后，熱等靜壓成型。
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本發明涉及軟磁材料領域，尤其涉及一種鐵基的納米晶合金帶材，主要包括其成分設計、制備方法、帶材質量評價等。背景技術非晶軟磁合金具有優良的軟磁性能，廣泛應用于電力電子、電子信息等領域。隨著信息處理和電力電子技術的快速發展，各種電器設備趨向高頻化、小型化、節能化。目前使用較多的軟磁合金主要有硅鋼、鐵基非晶合金、鐵基納米晶合金、鐵氧體等。相對于硅鋼而言，鐵基非晶及納米晶合金具有較低的損耗，但其bs(飽和磁感應強度)較低，不利于設備的小型化及輕量化，所以高bs的軟磁合金具有很好的應用前景。根據文獻報道對于
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.本發明屬于碳基材料技術領域，特別涉及一種二硫化鉬/石墨烯復合異質結及其制備方法。背景技術.二次電子發射也稱為電子倍增效應，二次電子的發射過程主要包括三部分：①初始電子進入材料內部并激發內二次電子，②被激發的內二次電子向表面運動，③運動到表面的內二次電子克服表面勢壘并出射成為真二次電子。.近年來，雖然我國在通信、航天領域和衛星大功率部件的設計方面取得明顯地進步，但是電子倍增效應仍然是制約微波部件功率容量提升的一項瓶頸，也是影響高功率微波部件穩定性的重要原因。微放電效應的發生會容易造成嚴重后
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