二硫化鉬/石墨烯復合異質(zhì)結及其制備方法與流程

1.本發(fā)明屬于碳基材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種二硫化鉬/石墨烯復合異質(zhì)結及其制備方法。 背景技術(shù)： 2.二次電子發(fā)射也稱(chēng)為電子倍增效應，二次電子的發(fā)射過(guò)程主要包括三部分： ① 初始電子進(jìn)入材料內部并激發(fā)內二次電子， ② 被激發(fā)的內二次電子向表面運動(dòng)， ③ 運動(dòng)到表面的內二次電子克服表面勢壘并出射成為真二次電子。 3.近年來(lái)，雖然我國在通信、航天領(lǐng)域和衛星大功率部件的設計方面取得明顯地進(jìn)步，但是電子倍增效應仍然是制約微波部件功率容量提升的一項瓶頸，也是影響高功率微波部件穩定性的重要原因。微放電效應的發(fā)生會(huì )容易造成嚴重后果甚至使部件性能失效，可見(jiàn)抑制電子倍增效應迫在眉睫。 4.實(shí)現sey調控的工藝方法可以概括為兩大類(lèi)：表面鍍層法和表面粗糙化法。表面鍍層法的sey調控表面鍍膜技術(shù)是目前抑制空間大功率微波部件微放電效應最有效的方法之一。通過(guò)在微波部件表面鍍上一層具有低sey、穩定物理和化學(xué)特性的薄膜材料，如金屬材料鉑(pt)、銅(cu)可以有效抑制電子倍增效應，但這容易增大微波部件插損。 5.石墨烯是一種零帶隙半導體材料，其擁有特殊的導帶和價(jià)帶結構，在室溫條件下石墨烯的電子遷移率高達2.5 × 105cm2/vs，并且它的電阻率也小，約為10-6ωcm。在薄膜用于抑制空間微波器件sey的應用體系中，不管是對其已有薄膜物理性質(zhì)的研究，還是新興薄膜的提出，總需要有對薄膜材料進(jìn)行摻雜改性?，F有的摻雜改性方法會(huì )引入其他雜質(zhì)，但是雜質(zhì)的引入也增加了缺陷形成的概率，降低了純度。而石墨烯作為新一代的二維半導體材料，探究改性后其電子性能的變化為其在空間微波器件等領(lǐng)域應用具有重要意義?，F有的鍍碳基薄膜與基地的粘附性較差。 技術(shù)實(shí)現要素： 6.本發(fā)明的目的在于提供一種二硫化鉬/石墨烯復合異質(zhì)結及其制備方法，以解決上述問(wèn)題。 7.為實(shí)現上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案： 8.一種二硫化鉬/石墨烯復合異質(zhì)結，包括基底1、二硫化鉬層2和石墨烯層3；二硫化鉬層2設置在基底1上，石墨烯層設置在二硫化鉬層2上。 9.進(jìn)一步的，基底1為硅基片。 10.進(jìn)一步的，二硫化鉬層2的厚度為10nm，沉積的石墨烯層3的厚度為15nm。 11.進(jìn)一步的，一種二硫化鉬/石墨烯復合異質(zhì)結的制備方法，包括以下步驟： 12.步驟1：對基底進(jìn)行預處理； 13.步驟2：對預處理后的基底表面