高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板制備方法

1.本發(fā)明涉及金屬基復合材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板制備方法。 背景技術(shù)： 2.隨著(zhù)功能強大、小巧便攜移動(dòng)電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展，電子元器件的尺寸越來(lái)越小，電路集成度也越來(lái)越高、使用頻率越來(lái)越高，相應地對電子封裝材料的穩定性和可靠性及散熱性能等提出了更高的要求，因此，電子封裝材料要適應半導體技術(shù)的發(fā)展需求，則必須充分兼顧多項參數如熱導率(tc)、熱膨脹系數(cte)、密度、強度及合理的封裝工藝等。 3.傳統的電子封裝材料多釆用易于加工的合金材料，然而多數情況下合金難以兼具綜合性能需求。例如，invar合金和kovar合金熱膨脹系數低，但導熱性能較差；而銅和鋁等金屬材料導熱性能良好，但熱膨脹系數高，溫度變化引起的熱應力會(huì )誘發(fā)電子元器件產(chǎn)生脆性裂紋，降低元器件整體的可靠性。合金化可以有效降低金屬材料的熱膨脹系數，且可兼具高熱導率、良好高溫性能等優(yōu)點(diǎn)，但是，該類(lèi)材料制備成本高且密度大，加工和焊接性能較差，限制了其在航空電子設備中的進(jìn)一步應用。 4.金剛石綜合熱物理性能優(yōu)異，其室溫下的導熱系數為700～2200w/(mk)，熱膨脹系數為0.8 × 10-6 k-1 。根據混合法則，將金剛石顆粒添加至由高導熱率金屬基體(如ag、cu或al)所制備的金剛石/金屬基復合物中，將成為一種同時(shí)具有低熱膨脹系數和高熱導率的新型電子封裝材料。 5.目前制備金剛石/銅復合材料的方法主要有壓力輔助熔滲技術(shù)、放電等離子燒結技術(shù)、高溫高壓燒結技術(shù)、復合電沉積技術(shù)等，但是怎樣簡(jiǎn)單有效的制備性能優(yōu)良的金剛石/銅復合材料依然是目前行業(yè)工作者追求的目標。其中，放電等離子體燒結法是目前比較普遍使用的制備方法，但是復合材料的燒結性只能用于金剛石顆粒體積分數相對較低的情況下，一旦金剛石體積分數超過(guò)一定范圍，復合材料的燒結性就會(huì )急劇降低，而且燒結時(shí)間越短，所獲得的復合材料界面結合越差。 技術(shù)實(shí)現要素： 6.本發(fā)明的發(fā)明目的是為了提供了一種工藝步驟簡(jiǎn)單，工藝條件可控，操作簡(jiǎn)單的高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板制備方法，得到的高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板界面結合優(yōu)良，均勻致密，熱學(xué)性能好。 7.為了實(shí)現上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：一種高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板制備方法，包括以下步驟：(1)將表面鍍有金屬層的金剛石與銅粉混合后球磨，得混合粉末