遼寧大連有色金屬火法冶金技術(shù)理論與應用

合金化分凝提純工業(yè)硅的方法 719     

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本發(fā)明屬于冶金法提純工業(yè)硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種合金化分凝提純工業(yè)硅的方法,具體步驟如下:(1)酸洗除雜:采用無(wú)機酸溶液對工業(yè)硅粉進(jìn)行酸洗除雜,清洗、過(guò)濾、干燥;(2)合金化熔煉:以酸洗后的硅粉和金屬鋁為原料,在一定溫度下進(jìn)行合金化熔煉,緩慢冷卻到550℃,自然冷卻到室溫,破碎,得到鋁硅合金粉;(3)分離硅:采用鋅液溶解鋁硅合金中的鋁,分離得到鋁鋅熔體和固體硅粉;(4)鋅鋁分離:進(jìn)行鋁鋅熔體的真空蒸餾分離,氣相冷凝得到金屬鋅,鋁液冷卻得到鋁錠;(5)硅提純:固體硅粉采用無(wú)機酸溶液進(jìn)行酸洗提純后得到高純硅。本發(fā)明方法工藝簡(jiǎn)單,生產(chǎn)周期短,節能降耗,提純效果好,技術(shù)穩定,生產(chǎn)效率高,環(huán)保效益好。

高純硅與高純鋁的電化學(xué)雙精煉提純的方法 881     

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本發(fā)明屬于硅和鋁提純的技術(shù)領(lǐng)域。一種高純硅與高純鋁的電化學(xué)雙精煉提純的方法，具體步驟如下:(1)合金精煉提純：采用合金精煉法對金屬鋁和冶金硅的混合原料進(jìn)行熔煉，去除冶金硅中的雜質(zhì)硼，從而得到鋁硅合金；(2)電解分離：鋁硅合金作為陽(yáng)極，不銹鋼作為陰極，低溫熔鹽作為電解液，進(jìn)行恒電流電解，陽(yáng)極富集的陽(yáng)極泥為多晶硅，陰極富集鋁；（3）后處理：將陽(yáng)極富集的多晶硅進(jìn)行破碎、酸洗除雜、去離子水清洗、過(guò)濾和干燥，獲得低硼的多晶硅，將陰極富集的鋁進(jìn)行清洗、干燥獲得高純鋁。本發(fā)明有效去除冶金硅中的雜質(zhì)硼，其提純效果好，環(huán)保效益高。鋁的回收利用率達到93%以上，純度達到99.999%以上。

電子束誘導定向凝固除雜的方法 748     

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本發(fā)明屬于多晶硅提純的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種利用電子束誘導技術(shù)進(jìn)行定向凝固除雜的方法。該方法首先取鋁、鈣含量高的冶金級多晶硅，將其清洗烘干后置于坩堝內，抽取真空后啟動(dòng)電子槍?zhuān)?00-700mA的束流轟擊多晶硅，至全部熔化，形成熔池，持續熔煉30-60min；然后采用對數降束的方式降低電子束的束流，待電子束束流降低到100-150mA時(shí)，停止降束，熔體緩慢凝固形成鑄錠，關(guān)閉束流，可得到低鋁、低鈣的多晶硅鑄錠。本發(fā)明充分利用了雜質(zhì)在硅中的蒸發(fā)效應和分凝效應，實(shí)現了電子束熔煉蒸發(fā)與定向凝固兩種除雜方式的優(yōu)勢互補，保證了一次熔煉后雜質(zhì)鋁和鈣可以被去除到滿(mǎn)足太陽(yáng)能電池性能要求的程度，減少了工藝環(huán)節，降低了能耗，有利于大規模推廣應用。

電子束高效提純多晶硅粉體的設備 1161     

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本實(shí)用新型屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束高效提純多晶硅粉體的設備,設備中由真空蓋、爐壁和裝粉蓋組成真空設備,真空設備內腔是真空室;真空室內上部裝有裝粉桶,裝粉桶頂部帶有裝粉蓋,裝粉蓋位于真空爐壁上,裝粉桶底部帶有出料口,出料口裝配有外驅式擋粉板,裝粉桶出料口底部裝有熔煉坩堝,熔煉坩堝底部通過(guò)支撐桿固定在真空室底部,熔煉坩堝出料口下方放置拉錠機構,電子槍安裝在真空室上部,電子束流對準硅塊。本實(shí)用新型設備簡(jiǎn)便、技術(shù)穩定、能源消耗少、成本低、整個(gè)設備同時(shí)應用電子束熔煉硅粉和定向凝固技術(shù),從而實(shí)現除磷和除金屬的雙重效果,適合批量生產(chǎn)硅材料。

稀土鎢電極材料的制備方法 1078     

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本發(fā)明屬于冶金熔煉技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種熔煉制備鎢電極材料的方法。該方法首先將鎢粉和稀土氧化物粉充分混合得到混合粉，再通過(guò)熱壓成型對混合粉進(jìn)行處理得到鎢基塊狀混合物；然后采用電子束真空高溫熔煉鎢基塊狀混合物，凝固冷卻后得到稀土鎢合金錠；最后將稀土鎢合金錠在真空下進(jìn)行熱處理，得到稀土鎢電極材料。本發(fā)明利用電子束提供極高密度的能量熔煉稀土鎢材料，熔煉后得到的稀土鎢電極材料致密度較高，與熱壓燒結相比，電子束熔煉技術(shù)在制備難熔金屬方面，具有明顯的優(yōu)勢，取得的組織更優(yōu)良，通過(guò)摻入一定量的稀土氧化物提高電極材料的性能，通過(guò)分析顯微硬度的變化，可判定稀土氧化物的添加對電極的硬度會(huì )有一定程度的提高。

電子束高效提純多晶硅粉體的方法及設備 872     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束高效提純多晶硅粉體的方法,第一步備料:將低磷、低金屬的高純硅料放入底部帶冷卻的熔煉坩堝中,向裝粉桶中加入需提純的高磷、高金屬硅粉;第二步預處理:對真空室進(jìn)行抽真空;對熔煉坩堝及拉錠機構冷卻至25-45℃;預熱電子槍;第三步提純:打開(kāi)電子槍進(jìn)行熔煉,去除揮發(fā)性雜質(zhì)磷;熔煉后的低磷硅液以定向凝固方式凝固,金屬雜質(zhì)聚集于硅錠上部;關(guān)閉電子槍,繼續抽真空15-30分鐘,打開(kāi)放氣閥放氣,打開(kāi)真空蓋,取出硅錠切去硅錠上部含金屬雜質(zhì)較多的部分即可。本發(fā)明同時(shí)實(shí)現電子束熔煉硅粉除磷和定向凝固除金屬的雙重效果,達到高效熔煉硅粉,快速除去雜質(zhì)的目的。

粉體均勻下落的裝置 797     

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本實(shí)用新型涉及冶金熔煉領(lǐng)域一種粉體均勻下落的裝置,驅動(dòng)機構安裝于爐壁外壁之上,爐壁內腔即為爐室,裝粉桶安裝于爐室內壁上,轉動(dòng)主軸上端通過(guò)軸承安裝于爐壁上,其下端通過(guò)軸承安裝于裝粉桶中心,裝粉桶桶底開(kāi)設有若干個(gè)落粉通孔,連接桿固定安裝于轉動(dòng)主軸底端,連接桿自上到下固定套裝旋轉片和蒸汽檔板,旋轉片和蒸汽檔板上分別開(kāi)設若干個(gè)落粉通孔。本實(shí)用新型結構緊湊,通過(guò)驅動(dòng)機構在爐外驅動(dòng)旋轉片轉動(dòng),實(shí)現粉體周期下落,攪動(dòng)器和裝粉桶的傾斜側壁可實(shí)現粉體的順利下落,分散分布的落粉通孔實(shí)現粉體均勻下落,實(shí)現粉體的周期性、均勻性、可控性的下落,達到冶金熔煉快速除雜的目的,具有結構簡(jiǎn)單,精確控制,操作方便的優(yōu)點(diǎn)。

采用電子束注入去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法 1177     

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本發(fā)明采用電子束注入去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束進(jìn)行電子注入,從而去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法。該方法首先利用高溫加熱爐加熱硅粉,然后將其置于電子束熔煉爐中,低束流電子束轟擊硅粉,最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本發(fā)明的顯著(zhù)效果是采用了電子束釋放電子顯負電的電效應,結合硅材料本身的特點(diǎn),增強了硅料自身的微電場(chǎng),在溫度的驅動(dòng)下使硼擴散到界面進(jìn)而進(jìn)入到二氧化硅層中,最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜,從而達到去除雜質(zhì)硼的目的,以滿(mǎn)足太陽(yáng)能級硅的使用要求,其提純效果好,穩定性好,能耗小,成本低,工藝簡(jiǎn)單,周期短,生產(chǎn)效率較高。

多晶硅定向凝固設備 714     

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本發(fā)明一種多晶硅定向凝固設備屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用定向凝固方法熔煉多晶硅的設備。該設備外殼的內腔為真空室,真空室內由上耐熱纖維保溫套、方形側耐熱纖維保溫套、下耐熱纖維保溫套構成封閉的保溫區間;在下耐熱纖維保溫套中部開(kāi)有一個(gè)錐形孔,與拉桿固定相連的耐熱纖維散熱屏插入其中;多晶硅定向凝固設備有一個(gè)支撐臺,它由框架形支架和安裝在框架形支架上的左、右滑動(dòng)拉桿構成;設備外殼固定在框架形支架上。該設備有效控制液態(tài)多晶硅的散熱方式,保證溫度梯度始終保持一個(gè)方向,使液態(tài)多晶硅沿底部單一方向散熱,完成多晶硅的定向凝固。具有能耗低、側境污染小的特點(diǎn)。

原位顆粒增強鎂基復合材料的電磁/超聲制備方法 973     

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一種原位顆粒增強鎂基復合材料的電磁/超聲制備方法,屬于冶金技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)一種用電磁連鑄技術(shù)制備鎂基復合材料的方法。其特征是熔煉添加微合金化元素CA、稀土Y、稀土CE的鎂基熔體;選擇AL-TI-C或AL-TI-B增強體系,采用自蔓延高溫合成法原位合成含增強顆粒的鎂基復合材料熔體,對鎂基復合材料熔體施加電磁/超聲復合攪拌;最后采用連鑄工藝將鎂基復合材料熔體連鑄成型,并且在結晶器范圍內施加電磁場(chǎng)和超聲場(chǎng),獲得多相增強鎂基復合材料連鑄坯。本發(fā)明的效果和益處是將復合材料自蔓延反應法與電磁連續鑄造技術(shù)、超聲波技術(shù)有機地結合,得到表面光潔、顆粒增強相在基體中均勻分布、增強體與基體結合良好的鎂基復合材料連鑄坯,制備工藝簡(jiǎn)單。

增強合金化分凝提純多晶硅的方法 1058     

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本發(fā)明屬于冶金提純技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種增強合金化分凝提純多晶硅的方法。該方法首先對工業(yè)硅和原鋁進(jìn)行清洗預處理，然后在氬氣保護下使原鋁完全熔化，之后向熔融的鋁液中加入工業(yè)硅，升溫至1100-1200℃進(jìn)行合金化熔煉，完全熔化后加入金屬或金屬氧化物，保溫之后緩慢冷卻，硼化物和初晶硅先后析出并沉積在坩堝底部，將坩堝上部鋁硅熔體傾倒并貯存，最后對初晶硅進(jìn)行無(wú)機酸處理，去除殘余金屬及硼化物，之后進(jìn)行烘干處理，即可得到硼含量低的多晶硅。本發(fā)明在Si-Al合金提純的基礎上加入Fe、Ti、TiO2等微量金屬或金屬氧化物，從而達到去除硅中硼雜質(zhì)，使硼含量達到滿(mǎn)足太陽(yáng)能級硅的要求，實(shí)用性強，工業(yè)生產(chǎn)周期短，節能降耗環(huán)保，技術(shù)穩定，生產(chǎn)效率高。

基于固/氣共晶定向凝固制備多孔材料的方法 866     

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一種固/氣定向共晶凝固制備多孔材料的方法。利用本發(fā)明的設備和工藝,通過(guò)提高工作壓力、增加和控制冷卻速度、降低非金屬雜質(zhì)含量,使熔煉速度比現有技術(shù)提高2～10倍,并可直接監測金屬熔化及澆鑄的全過(guò)程。制備的多孔材料,孔隙均勻(無(wú)論鑄件徑向上還是軸向上),材料內部孔隙尺寸可以相同,也可以不同,還可以形成變截面的錐形孔腔?？蓱糜谝苯饳C械、石油化工、能源環(huán)保、國防軍工、核技術(shù)和生物制藥等工業(yè)過(guò)程中的流體滲透與過(guò)濾控制、高效燃燒、強化傳質(zhì)傳熱、阻燃防爆、人工骨骼、輻射吸收和消音控制等,是實(shí)現各種技術(shù)突破的關(guān)鍵技術(shù)。

高鉻含釩原料的提純方法 988     

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本發(fā)明提供一種高鉻含釩原料的提純方法，包括以下步驟：一次焙燒：高鉻含釩原料在400～600℃焙燒得到釩氧化物；堿浸：用堿液及氧化劑將冶金級的釩氧化物溶解，通空氣氧化、并加入第一沉淀劑得到含釩浸出液；保持含釩浸出液溫度不低于40℃，先調節溶液的pH到中性，再添加第二沉淀劑深度除硅，經(jīng)壓濾得含釩浸出液；加入第三沉淀劑浸出沉釩，水洗、抽濾得到偏釩酸銨；所述第三沉淀劑為含銨溶液和/或銨鹽；將偏釩酸銨烘干；500～600℃焙燒成品偏釩酸銨，制備高純V₂O₅。本發(fā)明提純方法能避免釩鉻分離過(guò)程引入的其他還原性雜質(zhì)，提高了產(chǎn)品質(zhì)量以及V₂O₅純度。

電子束除磷、除金屬的耦合提純多晶硅的方法及設備 823     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束除磷、除金屬的耦合提純多晶硅的方法,先通過(guò)電子束在低磷、低金屬的高純硅錠的頂部形成穩定熔池,后將需提純的硅粉落入熔池熔煉,實(shí)現粉體的快速熔化去除硅粉中的揮發(fā)性雜質(zhì)磷,同時(shí)進(jìn)行定向拉錠使低磷多晶硅進(jìn)行定向凝固生長(cháng),通過(guò)分凝效應去除多晶硅中金屬雜質(zhì)。本發(fā)明的顯著(zhù)效果是同時(shí)采取電子束熔煉粉體硅料和定向凝固的方式,用電子束快速去除雜質(zhì)磷,用定向凝固將分凝系數較小的金屬雜質(zhì)去除,有效提高了多晶硅的純度,達到了太陽(yáng)能級硅的使用要求。本發(fā)明提純效果好,技術(shù)穩定,工藝簡(jiǎn)單,生產(chǎn)效率高,節約能源,成本低,適合批量生產(chǎn)。

硅合金造渣提純多晶硅的方法 746     

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本發(fā)明屬于冶金提純技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多晶硅提純的方法。該方法采用金屬與冶金硅進(jìn)行合金化熔煉得到硅合金；后以硅合金為原料，加入堿性渣劑，進(jìn)行造渣熔煉提純；最后將熔體保溫、冷卻后依據密度差分離得到高純硅、渣劑和硅合金，渣劑和硅合金回收重復利用。本發(fā)明通過(guò)向冶金硅中添加少量的金屬元素，使其與硅形成合金熔體，有效降低了造渣提純過(guò)程的熔煉溫度，降低坩堝損耗，冷卻過(guò)程中，雜質(zhì)在硅與合金熔體之間具有分凝作用，有效降低了初晶硅中硼雜質(zhì)的含量，提高提純效果，最后利用硅、合金、渣劑之間的密度差，實(shí)現三相的分離，獲得高純度的多晶硅，保證硅合金和渣劑的重復利用，并避免了后續酸洗提純的試劑消耗以及合金元素的損失。?

去除工業(yè)硅中硼的方法 1160     

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本發(fā)明一種工業(yè)硅除硼的方法屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將工業(yè)硅中的雜質(zhì)硼去除的方法。該方法將工業(yè)硅料放入純度為99.9%以上的石英環(huán)中,在電子束作用下熔煉,利用高真空度將氧化硼去除。先將工業(yè)硅料放入石英環(huán)中;再將石英環(huán)放入水冷銅坩堝中,關(guān)閉真空裝置蓋。其所采用裝置由真空裝置蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶內腔即為真空室?？梢詫⒎帜禂递^大的硼用電子束熔煉去除,有效提高了多晶硅的純度,具有效率高、裝置簡(jiǎn)單、節約能源的優(yōu)點(diǎn)。

去除多晶硅中雜質(zhì)磷的方法及裝置 837     

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本發(fā)明一種去除多晶硅中雜質(zhì)磷的方法及裝置屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)磷去除的方法及裝置。該方法中采用雙電子束,用旋轉水冷銅坩堝的方式使電子束可以充分對多晶硅進(jìn)行熔煉,可以在熔煉過(guò)程中加料實(shí)現連續作業(yè),去除多晶硅中雜質(zhì)磷。將多晶硅料裝入水冷銅坩堝中,關(guān)閉真空裝置蓋;然后抽真空,給左、右電子槍預熱。所用的裝置由真空裝置蓋與真空圓桶構成裝置外殼,真空圓桶內腔即為真空室。多晶硅中有害的雜質(zhì)磷用電子束熔煉去除,充分完全,有效提高了多晶硅的純度,實(shí)現連續作業(yè)。方法效率高、裝置簡(jiǎn)單、節約能源。

定向凝固造渣精煉提純多晶硅的方法 1111     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種定向凝固造渣精煉提純多晶硅的方法,首先將多晶硅料及酸性造渣劑均勻混合形成混合料,然后將混合料放于定向凝固爐的熔煉坩堝中,在熔煉坩堝中進(jìn)行造渣熔煉,同時(shí)進(jìn)行定向凝固使金屬雜質(zhì)和廢渣聚集在硅錠的頂部,去除硼和金屬雜質(zhì),最后切去硅錠的頂部,得到低硼、低金屬的多晶硅錠。本發(fā)明的顯著(zhù)效果是同時(shí)使用酸性造渣劑造渣熔煉和定向凝固的方法,通過(guò)酸性造渣劑造渣精煉去除多晶硅中的雜質(zhì)硼,同時(shí)通過(guò)定向凝固技術(shù)去除多晶硅中分凝系數較小的金屬雜質(zhì),提高多晶硅材料的純度,使其達到太陽(yáng)能級多晶硅材料的使用要求。

局部蒸發(fā)去除多晶硅中硼的方法及裝置 801     

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本發(fā)明局部蒸發(fā)去除多晶硅中硼的方法及裝置屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)硼去除的方法和裝置。該方法用電子束對石墨坩堝中的多晶硅進(jìn)行局部熔煉,將液態(tài)硅蒸發(fā)到石墨坩堝上方的沉積板上,收集沉積在沉積板上多晶硅的方法;該裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內腔即為真空室,真空室內裝有熔煉系統,熔煉系統由電子槍、石墨坩堝、水冷銅托盤(pán)組成。該方法工藝簡(jiǎn)單,能耗低,環(huán)境污染小,提純精度高;技術(shù)穩定,有利于大規模生產(chǎn)。

去除多晶硅中雜質(zhì)磷和金屬雜質(zhì)的方法及裝置 857     

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本發(fā)明一種去除多晶硅中雜質(zhì)磷和金屬雜質(zhì)的方法及裝置,屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)磷和金屬雜質(zhì)去除的方法。用電子束熔煉和感應加熱相互配合的方式,完成對多晶硅的熔煉和凝固過(guò)程。用高純硅粉平鋪在水冷銅底座填滿(mǎn)石英坩堝的鏤空空間;將多晶硅料裝入石英坩堝中,關(guān)閉真空裝置蓋;抽真空過(guò)程,先用機械泵、羅茲泵將真空室抽到低真空,再用擴散泵將真空抽到高真空;所用的裝置由真空裝置蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶內腔即為真空室,真空室內裝有熔煉系統。本發(fā)明有效提高了多晶硅的純度,具有效率高、裝置簡(jiǎn)單、節約能源的優(yōu)點(diǎn)。

冶金法快速制備硼母合金的方法 822     

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本發(fā)明涉及一種冶金法快速制備硼母合金的方法，屬于硼母合金制備領(lǐng)域。一種制備硼母合金的方法，包括下述工藝步驟：①原料選擇：選擇與目標硼母合金中硼元素濃度相同的工業(yè)硅原料，且該工業(yè)硅中原料中金屬元素濃度的總和不高于1000ppmw；②磷雜質(zhì)去除：利用電子束熔煉法去除步驟①所述物料中的磷；③硼母合金錠制備：以步驟②所得物料為原料，利用鑄錠方法制備硼母合金錠。本發(fā)明根據換算公式，選擇合適硼濃度和金屬濃度的工業(yè)硅，直接利用硅中的硼元素制備硼母合金，而無(wú)需摻雜高純硼粉。

有色金屬冶金、冶煉行業(yè)用三相異步電動(dòng)機 1124     

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本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電動(dòng)機,特別是一種有色金屬冶金、冶煉行業(yè)用三相異步電動(dòng)機。它包括機殼(21)內的定子(1)、轉軸(3)、轉軸(3)上的轉子(2),其特征在于:在機殼(21)和轉軸(3)之間設有勵磁制動(dòng)器。工作時(shí),勵磁制動(dòng)器可隨電動(dòng)機同步動(dòng)作,電動(dòng)機停止轉動(dòng)時(shí),勵磁制動(dòng)器可同時(shí)制動(dòng),使電動(dòng)機驅動(dòng)的電解熔煉設備的陽(yáng)極提升裝置及時(shí)定位,避免了現有技術(shù)中欠定位或過(guò)定位現象,保證了陰、陽(yáng)極之間的距離,更不可能出現陰、陽(yáng)極之間短路的情形,提高了安全性。

以冶金法去除多晶硅造渣劑中硼元素的方法及制備的再生造渣劑 955     

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一種以冶金法去除多晶硅造渣劑中硼元素的方法，將廢棄的多晶硅造渣劑與高純硅料混合后，于中頻感應爐中熔煉，1800～2200℃下攪拌并保溫15～60min，使硼反擴散至硅中，后靜置5～10min，將熔體傾倒至耐火容器中，冷卻，切除硅料的一端，其余部分即為去除硼元素的多晶硅造渣劑。本發(fā)明的方法可有效去除多晶硅中的雜質(zhì)硼元素，使其降低至0.5～2ppmw，可以達到造渣劑的水平，造渣劑的再生利用可降低整條生產(chǎn)線(xiàn)的成本5％以上，并能節約造渣劑成本10％以上。

冶金法制備硼母合金的方法 797     

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本發(fā)明涉及一種冶金法制備硼母合金的方法，屬于硼母合金制備領(lǐng)域。一種冶金法制備硼母合金的方法，包括下述工藝步驟：①原料選擇：選擇與目標硼母合金中硼元素濃度相同的工業(yè)硅原料；②雜質(zhì)去除：利用定向凝固方法去除硅原料中的金屬雜質(zhì)；③磷雜質(zhì)去除：利用電子束熔煉法去除步驟②所得物料中的磷；④硼母合金制備：利用鑄錠方法制備硼母合金錠。本發(fā)明中制備硼母合金的方法，無(wú)需選用6N級高純硅原料以及高純硼粉進(jìn)行摻雜，制造成本節約30％以上。

冶金法制備低金屬硼母合金的方法 1135     

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本發(fā)明涉及一種冶金法制備低金屬硼母合金的方法，屬于硼母合金制備領(lǐng)域。一種冶金法制備低金屬硼母合金的方法，包括下述工藝步驟：①原料選擇：選擇與目標硼母合金中硼元素濃度相同的工業(yè)硅原料；②酸洗：將工業(yè)硅原料破碎至60～120目的粉體，將粉體及無(wú)機酸溶液置于反應釜中，20～70℃下處理5～10h，水洗、分離、干燥，其中，所述無(wú)機酸溶液的濃度為20～70％；③磷雜質(zhì)去除：利用電子束熔煉法去除步驟②所得物料中的磷；④硼母合金錠制備：以步驟③所得物料為原料，利用鑄錠方法制備硼母合金錠。本發(fā)明中制備硼母合金的方法，無(wú)需選用6N級高純硅原料以及高純硼粉進(jìn)行摻雜，制造成本節約30％以上。

環(huán)軌冶金葫蘆自動(dòng)吊運系統 726     

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一種環(huán)軌冶金葫蘆自動(dòng)吊運系統，冶金葫蘆運行軌道為環(huán)形，環(huán)形軌道依次經(jīng)過(guò)熔煉上料區、維修區、澆注a區、澆注b區及自動(dòng)回車(chē)段。在所述熔煉上料區、澆注a區、澆注b區內分別設有一遙控發(fā)射器，在環(huán)形軌道上運行的冶金葫蘆上設有分別對應于遙控發(fā)射器的遙控接收器，遙控接收器與狀態(tài)轉換開(kāi)關(guān)連接。PLC控制系統通過(guò)控制位于所述環(huán)形軌道上滑線(xiàn)的通斷電來(lái)對冶金葫蘆實(shí)現自動(dòng)運行控制，冶金葫蘆通過(guò)變頻器實(shí)現對冶金葫蘆運行的變頻調速控制。本實(shí)用新型采用環(huán)形軌道設計，并通過(guò)PLC控制有效提高了系統的自動(dòng)化程度，大大提高了工作效率。同時(shí)冶金葫蘆的運行采用了變頻調速，有效克服傳統轉子串電阻調速中存在的穩定性差，安全性不高的缺陷。

冶金法去除工業(yè)硅中雜質(zhì)硼的方法 1053     

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本發(fā)明屬于冶金法提純工業(yè)硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種利用冶金法去除工業(yè)硅中雜質(zhì)硼的方法,先熔化工業(yè)硅,向工業(yè)硅熔體中添加少量的金屬,熔煉后得到改性硅熔體,將改性硅熔體冷卻、破碎得到改性硅粉;然后將低硼二氧化硅和改性硅粉均勻混合、酸洗除雜、干燥、預成型,后進(jìn)行真空熔煉-氣相冷凝,得到高純一氧化硅;最后進(jìn)行一氧化硅的歧化熔煉,冷卻、分離后得到高純硅和二氧化硅,并將得到的二氧化硅返回利用。該發(fā)明方法能有效去除工業(yè)硅中的雜質(zhì)硼,從而滿(mǎn)足太陽(yáng)能電池用硅材料的使用要求,工藝簡(jiǎn)單,生產(chǎn)周期短,節能降耗,提純效果好,技術(shù)穩定,生產(chǎn)效率高,環(huán)保效益高。

雙開(kāi)拉板式散熱的感應熔煉多晶硅鑄錠爐 1025     

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本實(shí)用新型屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅領(lǐng)域。一種雙開(kāi)拉板式散熱的感應熔煉多晶硅鑄錠爐,感應線(xiàn)圈的內部安裝上保溫套筒,上保溫套筒的上面安裝保溫套蓋,保溫套蓋通過(guò)保溫蓋連桿連接到爐蓋上,保溫套筒的里面安裝石墨套筒,保溫套筒和石墨套筒共同固定在支架上,爐底部分水冷銅托盤(pán)通過(guò)底座支架連接在爐底蓋上,石墨支架直接支撐在水冷銅托盤(pán)上,石墨支架上支撐安裝石墨托盤(pán),石墨托盤(pán)上面是石墨坩堝,石墨坩堝里套裝石英坩堝,水冷銅托盤(pán)與石墨托盤(pán)之間有下保溫套筒,下保溫套筒上安裝有上隔熱板和下隔熱板,隔熱板采用塊可分別四個(gè)方向拉動(dòng)的隔熱板。本實(shí)用新型使用雙開(kāi)拉板的散熱方式,精確控制能量轉移,增加能量的利用率,降低成本。

低稀土高強度連續鑄鐵管技術(shù) 1157     

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一種冶金鑄造中低稀土高強度連續鑄鐵管技術(shù)， 是在克服普通灰鑄鐵連續鑄管技術(shù)中存在的抗拉強 度低，耐水壓性能差，易滲漏等問(wèn)題而提出來(lái)的。本 發(fā)明通過(guò)增加鑄件的含Mn量，并采用“出鐵槽內阻 流法”，加入稀土合金從而改善鑄件的石墨形態(tài)，去渣 除氣，提高鑄件組織的致密性和珠光體的含量，同時(shí) 采用爐前的孕育工藝，從而消除鑄管外表皮的自由滲 碳體和組織敏感性，得到組織致密，強度高，耐水壓性 能好的鑄鐵管，使經(jīng)濟效益提高80元/噸。

高出成率的感應熔煉提純多晶硅粉體的設備 1109     

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本實(shí)用新型屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅領(lǐng)域。一種高出成率的感應熔煉提純多晶硅粉體的設備,涉及石英坩堝及坩堝底部拉錠機構,石英坩堝安裝在保溫套筒中,保溫套筒固定安裝在支架上,且保溫套筒外壁纏繞感應線(xiàn)圈,石英坩堝上部安裝有料斗,料斗通過(guò)料斗支架安裝在支架上,坩堝底部的拉錠機構安裝在支架內。本實(shí)用新型結構簡(jiǎn)單,提高坩堝的利用率,增加硅錠高度,在坩堝的上方設置一個(gè)加料的裝置,當溫度升高后,石英坩堝內的硅粉熔化,料斗內的硅粉落入坩堝內繼續熔化。料斗的裝入增加初始硅粉的質(zhì)量,抵消因孔隙率過(guò)大造成的質(zhì)量損失。本實(shí)用新型可使得感應熔煉中坩堝的利用率達到80%,增加了坩堝的利用率,降低了成本,提高了生產(chǎn)效率。