電子束高效提純多晶硅粉體的方法及設備

本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束高效提純多晶硅粉體的方法,第一步備料:將低磷、低金屬的高純硅料放入底部帶冷卻的熔煉坩堝中,向裝粉桶中加入需提純的高磷、高金屬硅粉;第二步預處理:對真空室進(jìn)行抽真空;對熔煉坩堝及拉錠機構冷卻至25-45℃;預熱電子槍;第三步提純:打開(kāi)電子槍進(jìn)行熔煉,去除揮發(fā)性雜質(zhì)磷;熔煉后的低磷硅液以定向凝固方式凝固,金屬雜質(zhì)聚集于硅錠上部;關(guān)閉電子槍,繼續抽真空15-30分鐘,打開(kāi)放氣閥放氣,打開(kāi)真空蓋,取出硅錠切去硅錠上部含金屬雜質(zhì)較多的部分即可。本發(fā)明同時(shí)實(shí)現電子束熔煉硅粉除磷和定向凝固除金屬的雙重效果,達到高效熔煉硅粉,快速除去雜質(zhì)的目的。