去除多晶硅中雜質(zhì)磷的方法及裝置

本發(fā)明一種去除多晶硅中雜質(zhì)磷的方法及裝置屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)磷去除的方法及裝置。該方法中采用雙電子束,用旋轉水冷銅坩堝的方式使電子束可以充分對多晶硅進(jìn)行熔煉,可以在熔煉過(guò)程中加料實(shí)現連續作業(yè),去除多晶硅中雜質(zhì)磷。將多晶硅料裝入水冷銅坩堝中,關(guān)閉真空裝置蓋;然后抽真空,給左、右電子槍預熱。所用的裝置由真空裝置蓋與真空圓桶構成裝置外殼,真空圓桶內腔即為真空室。多晶硅中有害的雜質(zhì)磷用電子束熔煉去除,充分完全,有效提高了多晶硅的純度,實(shí)現連續作業(yè)。方法效率高、裝置簡(jiǎn)單、節約能源。