本發明采用電子束注入去除多晶硅中雜質硼的方法屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用電子束進行電子注入,從而去除多晶硅中雜質硼的方法。該方法首先利用高溫加熱爐加熱硅粉,然后將其置于電子束熔煉爐中,低束流電子束轟擊硅粉,最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本發明的顯著效果是采用了電子束釋放電子顯負電的電效應,結合硅材料本身的特點,增強了硅料自身的微電場,在溫度的驅動下使硼擴散到界面進而進入到二氧化硅層中,最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜,從而達到去除雜質硼的目的,以滿足太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,穩定性好,能耗小,成本低,工藝簡單,周期短,生產效率較高。
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