局部蒸發(fā)去除多晶硅中硼的方法及裝置

本發(fā)明局部蒸發(fā)去除多晶硅中硼的方法及裝置屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)硼去除的方法和裝置。該方法用電子束對石墨坩堝中的多晶硅進(jìn)行局部熔煉,將液態(tài)硅蒸發(fā)到石墨坩堝上方的沉積板上,收集沉積在沉積板上多晶硅的方法;該裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內腔即為真空室,真空室內裝有熔煉系統,熔煉系統由電子槍、石墨坩堝、水冷銅托盤(pán)組成。該方法工藝簡(jiǎn)單,能耗低,環(huán)境污染小,提純精度高;技術(shù)穩定,有利于大規模生產(chǎn)。