全部
▼
熱搜：
1045
0
本申請公開了一種DLL失效的檢測方法及裝置，通過當前的DLL，獲取并存儲目標進程的數據信息，所述數據信息包括當前賬戶信息，當前賬戶信息為在當前的DLL注入時，目標進程中登錄的賬戶信息，然后接收定時線程發出的賬戶更新信號，并在接收到所述賬戶更新信號時，判定當前的DLL已失效，其中，定時線程位于目標進程中，用于獲取目標進程在運行過程中登錄的最新賬戶信息，并在最新賬戶信息與當前賬戶信息不一致時，發出賬戶更新信號。上述方法中，針對存在賬戶登錄的客戶端進程，能夠實時檢測是否已切換賬戶登錄，進而判斷出當前的DLL是否已失效，有效防止上網行為管理設備接收到錯誤的數據，提高對客戶端上網行為審計的準確度。
1065
0
本實用新型涉及一種檢測電路。一種用于DOHERTY功率放大器中器件失效檢測的電路,其特征是它包括微控制器(1)、第一電阻(2)、第二電阻(3)、第三電阻(4)、輸入功率檢波電路(5)、輸出功率檢波電路(12);第一電阻(2)的輸入端接待檢測的DOHERTY功率放大器中的峰值放大器(10)的柵極供電端,第二電阻(3)的輸出端同時連接DOHERTY功率放大器中的峰值放大器(10)的輸入端;輸入功率檢波電路(5)的輸入端接DOHERTY功率放大器中的輸入功分器(6)的-90°耦合輸出端,輸出功率檢波電路(12)的輸入端接DOHERTY功率放大器中的輸出功率耦合電路的耦合輸出端。本電路很好的解決了DOHERTY功率放大器中器件失效檢測的問題,又能做到成本較低,同時又能保證功放工作可靠、穩定。
751
0
本發明提供一種具GOA電路失效檢測功能的顯示面板。所述顯示面板設置有若干個級聯的GOA電路單元，這些GOA電路單元被分成若干個GOA電路單元組，每個GOA電路單元組中的最末一級的GOA電路單元與一測試線連接。本發明能夠以一個GOA電路單元組為單位，檢測其內的GOA電路單元是否失效，提高GOA失效檢測的精確性。
1015
0
本發明公開一種發動機濕式正時皮帶的失效快速檢查方法及測量裝置，方法包括：基于皮帶的老化程度與寬度的正相關性，構建皮帶的老化程度與寬度的對應關系數據庫；獲取皮帶的寬度，遍歷構建的對應關系數據庫得到對應的皮帶老化程度；根據得到的皮帶老化程度，判斷皮帶的失效狀態。測量裝置包括支撐桿、滑桿和連桿測量組件。該方法無需要拆解正時皮帶及周邊相關零件，僅需要打開機油加注蓋，用專用測量測量裝置對正時皮帶寬度進行檢查，工時大大縮短，維護成本低。
1026
0
本發明提供了一種車輛底盤緊固連接系統失效檢測方法及裝置，該方法包括以下步驟：在螺栓端部中心鉆孔，將電阻式應變片固定在該孔內；檢測電阻式應變片的電阻值變化量，根據電阻值變化量計算螺栓的應變值，進而根據螺栓的應變值計算出螺栓的伸長量；根據螺栓的伸長量計算螺栓對連接件的夾緊力：根據夾緊力判斷底盤緊固連接系統是否失效。本發明在螺栓端部中心鉆孔，并將電阻式應變片固定在該孔內，進而通過檢測電阻式應變片的阻值變化，計算得到車輛底盤緊固連接系統的夾緊力，以此判斷底盤緊固連接系統是否失效；如檢測到連接系統失效或異常值時，及時通過向駕駛員預警或主動干預，避免造成更為嚴重的后果。
841
0
本發明實施例提供一種車輛失效場景檢測方法及系統，該方法包括：在車輛的行駛過程中，通過安裝于所述車輛的控制系統采集所述車輛的周邊環境數據，并同時通過安裝于所述車輛的視頻采集設備采集行車視頻數據；將所述周邊環境數據與所述行車視頻數據進行同步比對，并基于比對結果獲得所述控制系統的失效場景檢測結果。本發明實施例中的上述過程可自動實現比對，所需時間顯著少于現有技術中的人工比對方式的時間，有效提高檢測效率。
794
0
本實用新型提出了一種開關電源失效器件檢測系統，包括：電源、信號采集PCB第一電路、振蕩電路、ARM微處理電路以及顯示電路；所述電源通過依次串聯的信號采集PCB第一電路、振蕩電路以及ARM微處理電路與顯示電路輸入端連接。本實用新型通過結合集PCB第一電路以及振蕩電路，將信號采集到的波紋電壓進行偏置、放大，濾波處理后，通過振蕩電路檢測各器件的頻率和相位差，根據頻率和相位差來判斷開關電源中電解質電容器件是否失效，通過振蕩電路，不僅提高了檢測精確度，也提高了檢測效率。
1210
0
本發明公開了一種檢測蓄電池失效的方法和裝置，屬于蓄電池技術領域。所述方法包括：以設定的時間間隔測量蓄電池兩端的電壓；確定蓄電池在設定開關導通時的瞬時電壓，設定開關為汽車上的點火開關或者不間斷電源UPS內控制蓄電池供電的繼電器；當設定開關連續多次導通時的瞬時電壓隨確定時間的推進而降低，且最后一次確定的瞬時電壓小于蓄電池的標準電壓的80％時，確定蓄電池失效。本發明直接在蓄電池的使用過程中測量電壓并根據電壓的變化趨勢判斷蓄電池是否失效，可以檢測適用于汽車上的蓄電池和UPS內的蓄電池是否失效。
804
0
本發明涉及集群存儲領域，提供一種適應于大規模存儲集群的失效檢測方法，該方法在存儲集群系統中設置有失效檢測模塊，該方法采用的失效檢測故障模型為失效/恢復模型，該方法采用的失效節點信息的傳播機制為永久免疫傳染病的傳播模型。使用本發明方法使得失效檢測時間與存儲集群規模無關，并具有良好的擴展性，保證在大規模存儲集群且不斷變化的情況下保持穩定的低負載。
830
0
一種分布式計算環境通用監測系統，包括，連通性監測系統，其包括設置于客戶端上的連通性監測模塊、設置于服務器上的連通性應答模塊，以及連接連通性監測模塊與連通性應答模塊的連通性監測通道，且所述連通性監測系統用于檢測網絡互連環境或服務器是否連通；服務有效性監測系統，所述服務有效性監測系統包括設置于客戶端上的心跳監測模塊、設置于服務器上的心跳應答模塊以及連接心跳監測模塊與心跳應答模塊的心跳監測通道，所述服務有效性監測系統用于檢測服務器是否失效。避免人工干預與故障判斷的低效與遲滯，充分發揮集中式中央局大型設備的能力，提高其可用性，保障運營商的投資效益。
936
0
本發明屬于軋輥檢測技術領域，公開了一種軋輥潛在失效檢測與剩余使用壽命預測專家系統，檢測模塊進行軋輥二維圖像的采集、處理，進行軋輥內部缺陷三維形貌圖像的特征提取與分類；預測模塊根據不同的缺陷對軋輥的剩余使用壽命影響程度不同，確定不同缺陷的權重系數，進行軋輥剩余使用壽命預測。本發明提高了缺陷檢測的靈敏度、結果的可靠性和準確性；設定影響軋輥失效的主要缺陷形式和不同缺陷對應的主要圖像特征值，并將其輸入專家系統，得到不同缺陷對應的發展階段，并結合浴盆函數，評估軋輥的剩余使用壽命，減少了技術人員的工作量，提高了壽命預測的準確度，并設置時間點對軋輥進行動態監測，為軋輥的再制造和更換提供了準確的依據。
1208
0
本發明提供了一種GOI失效點的檢測方法，包括：提供待測樣品，待測樣品包括襯底，襯底的表層包括多個淺溝槽隔離層及由淺溝槽隔離層隔離的多個實體部；覆蓋表層的柵氧化層；位于柵氧化層背離襯底一側的半導體層；及位于半導體層背離襯底一側的金屬連線層；將襯底背離柵氧化層一側減薄，直至裸露淺溝槽隔離層；采用電子束照射襯底的裸露所述淺溝槽隔離層的一側，并基于電壓襯度分析法檢測待測樣品的GOI失效點。將襯底進行減薄直至裸露實體部，從而獲取襯底裸露實體部一側的電壓襯度圖像；由于無任何結構層對該實體部背離柵氧化層一側進行遮擋，使得獲取的電壓襯度圖像更加精確，進而保證基于電壓襯度分析法對GOI失效點的檢測更加精確。
876
0
本發明涉及交通設備技術領域，其目的在于提供一種軌道交通標識燈箱鎖具失效的檢測方法及檢測系統。本發明包括一種軌道交通標識燈箱鎖具失效的檢測方法，包括以下步驟：S1：檢測電路檢測鎖具的鎖定狀態，并在鎖具的工作狀態發生改變時，發送提示信號至合鎖確認電路；S2：合鎖確認電路接收提示信號，然后判斷鎖具的鎖定狀態是否異常，若是則進入步驟S3，若否則返回步驟S1；S3：合鎖確認電路發送告警信號至告警電路；S4：告警電路接收告警信號，然后發出告警信息。本發明還包括一種軌道交通標識燈箱鎖具失效的檢測系統，包括：檢測電路、合鎖確認電路和告警電路。本發明能夠實時得知燈箱標識鎖具開合狀態，并在鎖具出現異常鎖定狀況時及時報警。
844
0
本申請實施例公開了一種晶片的獲取方法及半導體器件的失效分析方法，其中，所述晶片的獲取方法包括：在半導體器件中的至少兩個堆疊的封裝晶片中，確定出目標晶片；采用第一去除工藝，對位于所述目標晶片第一側的封裝晶片進行去除處理，并保留與所述目標晶片第一側相鄰的封裝晶片的部分結構作為犧牲層，以覆蓋所述目標晶片的第一側；采用刻蝕工藝去除所述犧牲層；采用第二去除工藝，對位于所述目標晶片第二側的結構進行去除處理，直至暴露出所述目標晶片第二側的表面為止，以獲取到處理后的目標晶片，其中，所述第一側和所述第二側為所述目標晶片沿堆疊方向的兩側。
814
0
本發明涉及一種目標晶粒的區分方法及封裝芯片的失效分析方法，所述目標晶粒的區分方法包括：獲取具有多顆晶粒的樣品，其中至少一個晶粒為目標晶粒，且至少暴露各晶粒邊緣的部分切割道區域；確定所述目標晶粒在所述樣品中的位置；通過在部分晶粒邊緣的切割道區域內形成激光標記，以區分所述目標晶粒和所述目標晶粒以外的晶粒；將所述多顆晶粒分離；根據各晶粒邊緣的切割道區域內是否形成有所述激光標記，分辨出其中的目標晶粒。上述目標晶粒的區分方法能夠提高區分效率，并且避免對目標晶粒造成損傷。
1097
0
本發明提供一種TEM樣品的制備方法和失效分析方法，其在襯底上進行失效區的粗略定位后切出包含失效區的初始樣品，再用TEM對初始樣品中的具體失效點進行精準定位并減薄所述初始樣品形成最終樣品，即可供TEM電子穿透的TEM樣品。如此一來解決了傳統技術中FIB機臺分辨率不足，無法對半導體內部厚度足夠小的特定層的失效點精準定位，并制造出TEM樣品的技術問題。
830
0
本申請涉及一種識別轉向節多軸斷裂失效的分析方法，涉及汽車零部件結構強度分析領域。本分析方法為首先建立整車動力學模型，獲取轉向節在過橫溝誤用工況下的理論載荷數據，然后進行貢獻度分析，確定造成轉向節斷裂的貢獻度最高的三個目標載荷分別為上球頭Y向力、下前球頭Z向力和轉向拉桿點Y向力，隨后獲取實際整車在過橫溝誤用工況下的上球頭Y向力和轉向拉桿點Y向力，對整車動力學模型進行修正以確定下前球頭Z向力，復現斷裂以得到轉向節的結構強度參數，進行可靠度計算分析，以判斷可靠度是否達標。本申請提供的分析方法解決了相關技術中對轉向節斷裂失效不能進行準確分析而導致轉向節可靠度低及影響其使用性能的問題。
961
0
本發明實施例公開了一種用于失效分析的芯片樣品制作方法，將輔助支架圍繞芯片設置，在輔助支架的圍繞所述芯片的空間內填充固定粘接劑，能夠保證芯片在研磨過程中不會發生移動，避免研磨不均勻，提高芯片樣品制備成功率；輔助支架的高度要高于引線的最高點高度，可以增加對引線的保護，便于制樣成功后直接進行芯片背面失效分析。進一步的，對芯片背面進行化學研磨時配置的研磨拋光液，可以提升研磨效率，節約研磨時間，而且不會和固定粘接劑進行化學反應，避免反應堆積物引起的芯片破損，最終獲取均勻、完整、光潔的芯片樣品表面，提高了無損制樣的成功率。
744
0
本發明涉及一種存儲器芯片的失效分析方法，包括：確定失效點所在的熱點區域；確認存在漏電的字線；對所述存在漏電的字線施加偏壓，同時觀察位于所述熱點區域內的位線的電壓襯度，直至尋找到所述熱點區域內出現異常電壓襯度的失效位線；對所述失效位線進行失效分析。上述方法能夠提高失效分析效率。
1010
0
本發明提供了一種芯片固定裝置及制備失效分析樣品的方法，通過將芯片樣品貼附于芯片固定裝置上，通過固定芯片樣品提供化學研磨過程中需要的反摩擦力和反離心力，實現自動化學研磨，從而實現批量自動制備失效分析樣品，提高了失效分析樣品預處理的效率，提高了失效分析樣品制備的成功率，同時節省了人力資源；同時，在壓力調節裝置中設置有彈簧，通過調節閥調節彈簧的松緊，從而調節施加在化學研磨平臺上的壓力，實現化學研磨速度的調節，提高了化學研磨的效率。
938
0
本公開實施例公開了一種物理失效分析樣品及其制備方法，所述方法包括：提供待分析結構；其中，所述待分析結構包括相對設置的第一表面和第二表面，失效區域位于所述第一表面和所述第二表面之間；在所述待分析結構的第一表面形成凹槽；其中，所述凹槽包括第一側壁和第二側壁，所述第一側壁覆蓋所述失效區域；在所述第一側壁與所述失效區域之間的相對距離小于預設距離時，轟擊所述第二側壁的組成粒子；其中，被轟擊的至少部分所述組成粒子濺射至所述第一側壁，形成覆蓋所述失效區域的第一保護層。
809
0
本申請提供一種封裝管殼及半導體晶粒的失效分析方法。該用于半導體晶粒測試的封裝管殼包括：殼體和連接引腳；其中，殼體用于將半導體晶粒收容在其內；殼體包括對應半導體晶粒的正面的第一觀測窗和對應半導體晶粒的反面的第二觀測窗；連接引腳用于與收容在殼體內的半導體晶粒形成連接，在封裝管殼通過連接引腳在第一方向上插設在插槽中進行測試時，通過第一觀測窗定位半導體晶粒正面的熱點；在封裝管殼通過連接引腳在第二方向上插設在插槽中進行測試時，通過第二觀測窗定位半導體晶粒反面的熱點。該封裝管殼能夠使定位半導體晶粒正反面的熱點的過程較為簡單，耗時較短，有效縮短了產品的測試周期，提高了產品的測試成功率。
853
0
本發明特別涉及一種橡膠材料的失效分析方法，屬于失效分析技術領域，通過掃描電子顯微鏡分析、溶脹指數分析、紅外光譜分析和GC?MS分析等一系列定性和定量的材料失效分析手段的協同組合，形成一種拓撲分析的失效分析方法，采用多步驟組合、遞進，準確找到汽車用減震橡膠件的橡膠材料破損的失效原因，可對各類橡膠材料分析失效原因，不受橡膠材料的限制，邏輯清晰，大幅縮短失效試驗的人力、物力投入，提升質量整改效率。
1200
0
本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種三維存儲器的失效分析方法。所述三維存儲器的失效分析方法包括如下步驟：提供一存儲區域，所述存儲區域包括多條平行設置的陣列共源極，相鄰陣列共源極之間具有插塞，所述插塞的端部用于與字線電連接；獲取與失效字線電連接的目標插塞的位置；形成連接線于所述存儲區域，所述連接線電連接所述存儲區域內的所有陣列共源極；分別引出所述目標插塞與一所述陣列共源極的觸點至所述三維存儲器外部，以對所述失效字線進行熱點定位分析。本發明提高了三維存儲器在失效分析過程中熱點定位的準確度和定位的效率，確保了三維存儲器失效分析結果的可靠性。
827
0
本發明涉及半導體缺陷分析技術領域，尤其涉及一種柵氧化層缺陷原貌的失效分析方法，首先在一個預設電壓的條件下篩選出具有柵氧化層缺陷的待測半導體結構，然后對該具有柵氧化層缺陷的待測半導體結構進行操作，先研磨掉金屬互連層，然后用掃描電鏡電壓對比方法確定柵氧化層缺陷位置，再依次去除互連線、介電層和柵極，并在剩下的柵氧化層上沉積一層與柵氧化層透射電鏡襯度對比度較大的襯度對比層，在有問題的柵極區域進行透射電鏡樣品制備，最后通過透射電鏡來進行分析。通過該方法可以清晰的觀察柵氧化層缺陷原貌，為查找柵氧化層制程工藝缺陷提供有力的依據和方向。
825
0
本發明涉及一種激光器芯片失效定位分析樣品制備方法及中間件。該方法及中間件連帶熱沉一同取下，在芯片周圍粘接墊腳用作保護，通過研磨的方式去掉熱沉，持續研磨去除襯底處金層，至芯片襯底完全露出，適用于多種封裝形式的半導體激光器芯片，也適用于不同材料體系的如ⅢⅤ族、ⅡⅥ族、硅基的半導體激光器芯片，該方法可直接對百um量級微小易碎的激光器芯片進行制樣，無需采用各種精密的微納米加工設備。注重對樣品保護，可有效避免在失效樣品取樣過程中或制樣過程中的樣品損傷。制樣完成后探測點在同一平面上，便于加電測試。采用的可清洗粘接劑，樣品可取出，利于后續其他分析。
952
0
本發明提供了一種封裝器件的失效分析方法，包括：提供一包括自下向上的封裝基體層、芯片主體層和封裝蓋板層的封裝器件，封裝基體層中的每條導電線路與對應的外接測試點電性連接，芯片主體層中的每個焊盤與對應的導電線路電性連接；獲取每個焊盤通過對應的導電線路與對應的外接測試點之間的電性連接關系；通過外接測試點對芯片主體層進行電性測試，以獲取電性測試出現異常的電性連接關系；以及，根據電性測試出現異常的電性連接關系，抓取芯片主體層中的熱點，并在芯片主體層的頂表面標記熱點的位置。本發明的技術方案使得能夠在無損的條件下快速且準確地找到熱點的位置，進而使得能夠對芯片主體層進行快速且有效的失效分析。
922
0
本申請實施例公開了一種晶圓的失效分析方法，包括：在所述晶圓的切割通道中，確定出目標測試區域，所述晶圓包括疊設的驅動晶圓層和陣列晶圓層，所述陣列晶圓層包括位于所述驅動晶圓層之上的堆疊層和位于所述堆疊層背離所述驅動晶圓層一側的襯底，所述目標測試區域包括貫穿所述陣列晶圓層的貫穿觸點以及形成于所述驅動晶圓層內且位于所述貫穿觸點下方的測試結構；對所述貫穿觸點的表面進行保護處理，得到保護處理后的晶圓；對所述保護處理后的晶圓中位于所述陣列晶圓層中的所述襯底進行刻蝕，得到刻蝕處理后的晶圓；對所述刻蝕處理后的晶圓進行失效分析。
1048
0
本發明公開了感溫包的失效檢測裝置、失效檢測方法及空調，失效檢測裝置包括：監測感溫包的測量溫度的下位機、根據下位機上傳的數據判斷感溫包是否合格的上位機?？照{啟動后，若在預設時間內測量溫度變化的絕對值未超過預設值，則上位機判斷感溫包不合格；若在預設時間內測量溫度變化的絕對值超過預設值，則上位機判斷感溫包合格。本發明自動化程度高，有效提高檢測效率，提升產品質量。
中冶有色為您提供最新的湖北武漢有色金屬失效分析技術理論與應用信息，涵蓋發明專利、權利要求、說明書、技術領域、背景技術、實用新型內容及具體實施方式等有色技術內容。打造最具專業性的有色金屬技術理論與應用平臺！
2025年07月16日 ~ 18日 
2025年07月16日 ~ 18日 
2025年07月18日 ~ 20日 
2025年07月23日 ~ 26日 
2025年07月24日 ~ 26日 
