本申請實施例公開了一種晶片的獲取方法及半導體器件的失效分析方法,其中,所述晶片的獲取方法包括:在半導體器件中的至少兩個堆疊的封裝晶片中,確定出目標晶片;采用第一去除工藝,對位于所述目標晶片第一側的封裝晶片進行去除處理,并保留與所述目標晶片第一側相鄰的封裝晶片的部分結構作為犧牲層,以覆蓋所述目標晶片的第一側;采用刻蝕工藝去除所述犧牲層;采用第二去除工藝,對位于所述目標晶片第二側的結構進行去除處理,直至暴露出所述目標晶片第二側的表面為止,以獲取到處理后的目標晶片,其中,所述第一側和所述第二側為所述目標晶片沿堆疊方向的兩側。
聲明:
“晶片的獲取方法及半導體器件的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)