本申請實施例公開了一種晶圓的失效分析方法,包括:在所述晶圓的切割通道中,確定出目標測試區域,所述晶圓包括疊設的驅動晶圓層和陣列晶圓層,所述陣列晶圓層包括位于所述驅動晶圓層之上的堆疊層和位于所述堆疊層背離所述驅動晶圓層一側的襯底,所述目標測試區域包括貫穿所述陣列晶圓層的貫穿觸點以及形成于所述驅動晶圓層內且位于所述貫穿觸點下方的測試結構;對所述貫穿觸點的表面進行保護處理,得到保護處理后的晶圓;對所述保護處理后的晶圓中位于所述陣列晶圓層中的所述襯底進行刻蝕,得到刻蝕處理后的晶圓;對所述刻蝕處理后的晶圓進行失效分析。
聲明:
“晶圓的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)