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一種硅鋁合金的制備方法，首先，用鑄造或粉末冶金方法制備出硅的質量百分數25%-90%、硅相尺寸0.1-20mm間的硅鋁材料；制備出的硅鋁材料可以進一步焊接在鋁片、銅片、硅片、碳化硅片、鍺片、砷化鎵片、氮化鎵片或氮化鋁片上，對于上述單獨的硅鋁塊體材料或對焊接在鋁片、銅片、硅片、碳化硅片、鍺片、砷化鎵片、氮化鎵片、氮化鋁片上的硅鋁層經過攪拌摩擦處理，獲得硅的質量百分數25%-90%、硅相尺寸0.5～50μm的致密硅鋁復合材料，這種硅鋁材料可以單獨形成塊體，也可以復合在鋁片、銅片、硅片、碳化硅片、鍺片、砷化鎵片、氮化鎵片、氮化鋁片表面上。
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本發明公開了一種基于松裝熔滲法制備鎢銅合金的方法,該方法的具體步驟是:步驟1、鎢粉、銅粉、鎳粉粒徑的選擇;步驟2、混料:按所制鎢銅合金的質量百分比計算出鎢和銅的質量,并依照步驟1選擇的粒徑稱取鎢粉,稱取占鎢和銅總質量0.05%-0.15%的鎳粉,再稱取占鎢和銅總質量5%-15%的毫升數乙醇,另按鎢和銅總質量的5%稱取預加銅粉,將本步驟所稱的鎢粉、鎳粉、乙醇和預加銅粉,共同機械混合;步驟3、裝模:將混合粉末裝入石墨模具中,滴入汽油,搗實后得到坯料;步驟4、熔滲燒結:在燒結爐內進行熔滲燒結;步驟5、脫模即成。本發明方法所制備鎢銅合金的尺寸、形狀、成分可以任意要求,不需要鋼制模具和專用的壓制或成型設備。
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本發明提供的一種氣化渣鎂鎳合金儲氫復合材料的制備方法，通過將鎂粉、鎳粉和氣化渣混合后，利用氣化渣本身具有的多孔結構，通過球磨、超聲振動等方式將鎂粉、鎳粉填充到氣化渣的孔道中，并混合均勻，通過壓片、燒結、冷卻，制備出氣化渣鎂鎳合金儲氫復合材料，用于儲氫時，多孔氣化渣作為催化劑分布在鎂鎳合金基體中能夠促進合金氫化和氫化物脫氫，加速合金集氫、放氫速率，降低儲氫體系的活化能，細小的鎂鎳合金顆粒分布在氣化渣孔道內，可有效抑制放氫過程中因加熱引起的鎂鎳合金顆粒長大，進而維持復合材料儲氫循環穩定性；本發明的制備方法成本低、原料來源廣、同時兼備處理固廢氣化渣及其資源化、高值化利用的效果，優勢顯著，適宜推廣。
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本發明提供一種高強度軟磁復合材料的制備方法，選用儲量豐富的Fe為磁性粉末材料，原料廉價；采用液相還原法獲得鈍化鐵粉，再采用高能球磨對高純氧化鎂粉末進行球磨，獲得粒度為80nm～100nm的顆粒，再通過機械混合法使鈍化鐵粉和細化的氧化鎂粉末混合均勻，經過壓制、熱處理獲得高強度軟磁復合材料；制備出的軟磁復合材料電阻率大、渦流損耗小、孔洞缺陷少，強度高。該高強度軟磁復合材料應用于電磁推力軸承的定子和推力盤。
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一種多尺度結構SiC/C多孔復合陶瓷及其制備方法，以聚丙烯腈基碳纖維氈作為骨架，通過水熱碳化技術在聚丙烯腈基碳纖維氈表面沉積碳層，再利用碳熱還原反應在骨架內生長SiC保護層和SiC納米線，得到多尺度結構SiC/C多孔復合陶瓷。本發明通過水熱碳化技術在碳纖維表面沉積碳層，將碳纖維連接成一個多孔碳骨架，能夠提高碳骨架的強度和比表面積，再以CO作為碳源，SiO作為硅源，采用化學氣相反應法，在碳骨架內生成SiC層及SiC納米線，構建一個SiC/C多孔復合陶瓷，本發明制得的SiC/C多孔復合陶瓷不僅具有高比表面積，而且具有易成型，高強度的特點。
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本發明公開了一種用于制作抗菌性空調內飾板的復合材料的制備方法，具體為：步驟1、將一定量的鈦酸四正丁酯及一定量的蒸餾水混合，加熱，得到納米TiO2；步驟2、制備銀氨溶液，將步驟1制備得到的納米TiO2添加到銀氨溶液中，然后繼續滴加一定量的甲醛溶液，將得到的混合溶液靜置后取沉淀物，清洗，干燥后得到載銀納米TiO2；步驟3、將塑料干燥后待用；步驟4、將步驟2制備得到的載銀納米TiO2、步驟3干燥后的塑料、C?玻璃纖維及硅烷偶聯劑KH?550按照一定的質量比進行混合，得到混合體A；步驟5、對經步驟4得到的混合體A依次進行退火、成型處理，即得。該方法制備成本低，制備出來的材料抗菌性能良好，使用壽命長。
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本發明公開了一種基于預制體浸滲法的苧麻織物SiC/Cu材料制備方法，步驟包括：1)先稱取苧麻織物、酚醛樹脂、硅粉與無水乙醇及取燒結助劑，共同配制浸漬液；然后將苧麻織物清洗晾干后裁剪成塊逐片放入浸漬液中浸泡；在恒溫干燥箱中干燥，再高溫燒結，得到苧麻織物結構SiC陶瓷預制體：2)配制敏化液、活化液、鍍液；3)將苧麻織物結構SiC陶瓷預制體先后放入敏化液、活化液、鍍液中，制備出表面鍍鎳的苧麻織物結構SiC陶瓷中間體；4)將表面鍍鎳的苧麻織物結構SiC陶瓷中間體置于氧化鋁坩堝中，用細銅粉填埋，再一起高溫燒結，得到苧麻織物結構SiC/Cu復合材料。本發明方法，過程簡單，致密性及浸潤性更好。
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本發明涉及一種多晶硅鑄錠爐用坩堝蓋板及蓋板表面涂層方法，采用化學氣相沉積與高溫處理相結合的工藝方法在炭/炭復合材料蓋板的外表面制備出致密、結合力強的SiC涂層，降低多晶硅鑄錠的碳含量、延長蓋板的使用壽命，尤其適用于多晶硅鑄錠爐用蓋板的開發和應用。
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本發明公開了一種金屬纖維/聚合物復合電磁屏蔽材料，包括上層聚合物和下層聚合物，以及設置于上層聚合物和下兩層聚合物之間的金屬纖維氈，所述金屬纖維氈的孔隙填充有聚合物。另外，本發明還提供了該金屬纖維/聚合物復合電磁屏蔽材料的制備方法。本發明的金屬纖維/聚合物復合電磁屏蔽材料結構簡單、設計新穎合理且屏蔽效果良好。該金屬纖維/聚合物復合電磁屏蔽材料由聚合物和金屬纖維按一定方式排列構成，金屬纖維與聚合物之間結合良好，而且金屬纖維之間形成良好的冶金結合，大大提高了復合材料的電磁屏蔽效能。
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本發明公開了一種高強Ti185合金的制備方法，該方法包括：一、制備Ti185合金球形粉末；二、將Ti185合金球形粉末進行電子束選區熔化；三、對電子束選區熔化成形件進行固溶處理和時效處理，得到高強Ti185合金，該高強Ti185合金的抗拉強度高于1298MPa，抗拉屈服強度高于1197MPa，斷后伸長率高于6％。本發明通過對電子束選區熔化過程中的Ti185合金粉末進行預熱，使Ti185合金內部熱應力逐步釋放，避免了Ti185合金出現Fe元素偏析，并對電子束選區熔化成形件進行固溶處理和時效處理，促進納米α相析出，使最終制備的Ti185合金力學性能優良，可制作為高強度部件，適用范圍廣泛。
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本發明公開了一種銅鉻電弧熔煉用自耗電極棒的制備方法，屬于金屬加工技術領域，包括配料?鑄錠?制粉?制坯?脫氣?熱等靜壓，其中制坯步驟為選取粒徑大小為5?15μm的球形銅鉻合金粉末采用冷靜壓壓制或者冷噴涂沉積的方式制成銅鉻合金胚料棒材，結合熱等靜壓工藝顯著的提高了自耗電極棒的致密度，由之前的75％?85％提高到99％左右，有利于提高自耗電極棒在熔煉過程中電弧的穩定性，還顯著降低了自耗電極棒的氣體含量，由之前的600?800ppm降低至210?400ppm之間，降低了電極棒熔煉規程中的電壓波動。
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本申請屬于玻璃器件制備技術領域，特別是涉及一種玻璃漿料及其制備方法和3D打印玻璃器件的方法。傳統方法制備宏觀物體采用高溫融化和鑄造工藝，對于制備精細結構則采用化學法，制備過程危險、環境污染大、能源消耗高、效率低。本申請提供了一種玻璃漿料，包括：二氧化硅600～1000份、丙烯酸樹脂600～800份、光吸收劑1～13份、光引發劑1～15份、阻聚劑1～15份、丙三醇1～10份、聚乙烯醇1～18份、消泡劑1～18份和燒結助劑1～15份。通過添加燒結助劑，避免了高粘度漿料影響打印精度的問題，獲得了高精度微透鏡玻璃器件；通過合理配置玻璃漿料以及氧抑制聚合的打印工藝，有效抑制開裂，提高成品率。
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本發明公開了一種多孔鈦及鈦合金材料的制備方法，具體工藝步驟如下：步驟1，將粗制鈦粉或鈦合金粉體與無水乙醇混合，加入球磨助劑，真空球磨、真空干燥；步驟2，將步驟1制備得到的鈦粉或鈦合金粉體與氫化鈦顆?；旌?；步驟3，以尿素顆粒為造孔劑，將造孔劑加入步驟2得到的混合物中；步驟4，將步驟3得到的混合均勻粉末放入模具內壓制成設定形狀的生坯備用；步驟5，再將所得到的壓坯在真空爐中進行熱處理，即制得多孔金屬構件。該方法工藝簡單易行，工藝穩定性強。
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本發明公開了一種新型Cu?納米WC復合材料的制備方法，屬于Cu?WC復合材料制備技術領域，本發明利用真空感應熔煉法，先將銅粉和WC按照按一定比例混合均勻，然后松裝燒結，將松裝燒結的Cu?納米WC坯與無氧銅塊按照重量比Cu:WC＝99：1至50：50進行配比進行真空感應熔煉，最后冷卻，本發明是利用真空感應熔煉法制備Cu?WC材料，因此氣體含量低，并且適用于制備WC含量≤50％的Cu?WC復合材料，且由于是鑄態組織，因此其具有接近100％的致密度，并且原材料采用納米級的WC粉，通過納米強化作用，可以極大的提高該種材料的強度。
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本發明公開了一種基于直寫成型的短碳纖維增韌陶瓷復合材料成型方法，該方法首先制備具有剪切變稀流變性的短碳纖維增韌陶瓷漿料，利用3D打印設備，制備短碳纖維直寫成型素坯；最后制備纖維界面層和運用致密化工藝，得到短碳纖維增韌復合陶瓷零件。本發明能夠使得零件中的纖維呈高度定向排列，同時可以根據零件結構控制打印路徑，最大化增韌效果；可以得到具有良好韌性、高強度、孔隙率低和滿足特定功能要求的短碳纖維增強陶瓷零件。
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本發明涉及一種復合耐磨件的預制體及用該預制體制造耐磨件的方法。預制體由碳化物陶瓷顆?；蛘哂捎操|合金破碎而來的顆粒與金屬粉末混合并在高溫下燒結而制成,通過設計不同的模具,可以將預制體制成特定形狀,如柱狀、條狀、塊狀、蜂窩狀等。將預制體規則排列在鑄型端面采用普通或負壓鑄造方法澆鑄液態金屬后,金屬液浸滲入預制體形成復合材料耐磨件,耐磨件的表層由母體金屬與復合材料共同組成,采用本方法制備的復合材料耐磨件即保證了耐磨件的耐磨損性能,又具有高的抗沖擊能力。
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本發明公開了一種Sip/Si復合陶瓷涂層，由直接添加的質量含量為3％～40％的WSi2或MoSi2硅化物陶瓷微納顆粒、及硅化物涂層經真空高溫熔燒成的硅化物陶瓷相組成，該Sip/Si復合陶瓷涂層在1000℃～1850℃的氧化條件下為難熔金屬提供防護；本發明還公開了一種Sip/Si復合陶瓷涂層的制備方法，將各原料粉末制成復合懸浮料漿后預置于經處理后的難熔金屬表面，經真空高溫燒結后在難熔金屬表面得到Sip/Si復合陶瓷涂層。本發明通過直接添加提高了WSi2或MoSi2硅化物陶瓷微納顆粒添加量，提高了Sip/Si復合陶瓷涂層的抗氧化性能；本發明通過控制工藝，形成顯微組織均勻的Sip/Si復合陶瓷涂層。
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本發明公開了一種難熔金屬表面原位反應自生高溫擴散障，該原位反應自生高溫擴散障位于難熔金屬與涂覆在難熔金屬表面的熔燒硅化物高溫防護涂層之間，以SiC為主相；本發明還公開了一種難熔金屬表面原位反應自生高溫擴散障的制備方法，該方法將石墨烯漿料或氧化石墨烯漿料、硅化物復合懸浮漿料依次預置在經預處理后的難熔金屬基體的表面，經熔燒得到原位反應自生高溫擴散障。本發明的高溫擴散障降低了高溫防護涂層與難熔金屬基體之間的高溫互擴散速率，保證了高溫防護涂層的高溫抗氧化性能并延長其高溫服役壽命；本發明通過原位反應自生制備高溫擴散障，改善了界面相容性，使難熔金屬?擴散障?高溫防護涂層具有良好的抗熱循環和抗熱震性能。
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本發明公開了一種有效可控的具有多極孔結構的骨架的制備方法，具體包括以下步驟：步驟1，將初始鎢粉采用火焰噴涂還原，制備球形聚集體鎢粉；步驟2，將經步驟1制備的球形聚集體鎢粉采用放電等離子體燒結技術制備多極孔結構的鎢骨架；本發明提供的制備方法，解決了熔滲燒結法制備銅鎢合金過程中，多極孔結構的鎢骨架制備問題。
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本發明公開了一種激光熔覆制備改性復合Hf-Ta金屬涂層的方法，該方法為：一、將難熔金屬打磨處理后酸洗，然后依次進行噴砂處理和脫脂處理；二、將混合粉末與分散劑置于球磨機中球磨混合均勻，得到改性復合Hf-Ta料漿；三、將改性復合Hf-Ta料漿預置于難熔金屬表面，烘干后在難熔金屬表面得到預置層，然后進行預燒結處理，在難熔金屬表面得到預燒結層；四、對所述預燒結層進行激光熔覆，在難熔金屬表面得到厚度為30μm～800μm的改性復合Hf-Ta金屬涂層。本發明制備得到的改性復合Hf-Ta金屬涂層能夠顯著提高難熔金屬在超高溫、低氧壓環境中的抗氧化能力，可為難熔金屬在超高溫氧化環境或燒蝕環境中提供短時防護。
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本發明提供一種基于高分子聚合物增材制造的多孔植入物的制備方法，包括如下步驟：使用增材制造方法制備具有梯度微觀結構的多孔植入物模型的高分子聚合物負型模具；將金屬粉與粘結劑混合均勻后壓制高分子聚合物負型模具中，然后置入有機溶劑中去除高分子聚合物負型模具，得到初步的金屬多孔植入物；將其置入真空高溫爐中并利用化學氣相沉積法在植入物表面沉積金屬涂層進一步增強植入物的強度；最后將金屬多孔植入物置入電解液中進行陽極氧化處理，得到具有表面納米結構的定制化金屬多孔植入物。該方法將增材制造與粉末冶金技術相結合，解決了孔隙尺寸及分布不可控的問題，且實現了表面結構的納米化開辟具有宏微納結構的多孔植入物制備的新途徑。
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本發明提供了一種球形Ru-V粉末釬料的制備方法，包括以下步驟：一、制備Ru-V合金絲；二、將銅絲焊接于Ru-V合金絲的一端；三、采用超音速電弧噴射霧化技術制粉：將Ru-V合金絲送入超音速電弧噴槍中作為自耗電極，通過電弧放電處理使Ru-V合金絲熔化為Ru-V熔滴，Ru-V熔滴在高壓氣體的超音速作用下霧化并噴射到水中；四、依次經過過濾和烘干處理，得到球形Ru-V粉末釬料。本發明工藝流程短，生產效率高；本發明采用超音速電弧噴射霧化技術制備的Ru-V粉末釬料為球形結構，粒徑均勻，顆粒度小，在母材上的潤濕與鋪展性能良好，無熔蝕缺陷，熔化后Ru-V釬料的鋪展面積大，潤濕角小，具有良好的釬焊效果。
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本發明公開了一種提高散熱面積的散熱裝置及其制備方法和應用，散熱裝置包括散熱片以及穿插在散熱片內部的散熱水冷管和散熱風冷管，散熱片表面為連續的凸槽和凹槽，凸槽和凹槽交替等間距設置，凸槽的一側壁上等間距設置有若干導槽；制備方法包括：S1、散熱片制備；S2、散熱片整形；S3、散熱風冷管安裝；S4、散熱水冷管安裝。本發明的散熱裝置通過設置有的凸槽和凹槽能夠大大增加散熱片的表面積，約能夠增加30％左右，提高了散熱效率，通過散熱水冷管和散熱風冷管使冷卻液和冷氣的交替，最大程度地提高冷卻散熱效率，適合應用到醫療CT球管組件中，提高了CT球管組件射線窗口區域在使用過程中的散熱效率，延長了CT球管組件的使用壽命。
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本發明公開了一種高強度蓄熱式電鍋爐電熱元件的制備方法，包括如下步驟：步驟一：將碳纖維絲沒入有機溶劑進行浸泡；步驟二：將步驟一所得的碳纖維絲晾干。本發明通過將碳纖維絲經過單股加捻，然后再將多組單股加捻后的碳纖維絲再次合并加捻，然后均勻分布的纏繞于支撐芯體上，再經過燒結制得而成，該電熱元件在使用的過程中，由于碳纖維本身的強度高，從而有效的提升了強度，同時多股碳纖維加捻工藝顯著的提升了電熱效率，從而降低了響應的時間，進而提升了工作的效率，而且多股加捻的絲束之間空隙分布較多且均勻，從而使得電磁波在空隙中不斷反射和吸收，從而使得材料的發熱率顯著提升，進而使得蓄熱能力顯著增強。
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本發明公開了一種CuSn10Pb10/45#鋼雙金屬的制備方法，具體按照如下步驟進行：步驟1：將45#鋼和CuPb10Sn10銅合金加工為具有一定的形狀的內部多孔結構；步驟2：將45#鋼結構件和CuPb10Sn10銅合金進行預處理；步驟3：對預處理過的45#鋼結構件進行熱浸鍍錫；步驟4：將步驟2中得到的CuPb10Sn10銅合金置于步驟3得到的45#鋼結構件中，然后將其進行熱壓微區擴散成型，得到CuSn10Pb10/45#鋼雙金屬。本發明形成的雙金屬既綜合了銅和鋼的優越性能，同時還具有較高的界面強度和剪切強度。
本發明公開了一種基于EIGA工藝制備增材制造用CuCrNb粉末的方法，包括如下步驟：S1、按照配比對電解Cu粉、Cr粉、Nb粉分別稱重；S2、先將Cr粉與Nb粉進行初次球磨混粉，再加入Cu粉并進行二次球磨混粉，得到混合粉末；S3、對混合粉末進行冷等靜壓，得到CuCrNb合金坯料；S4、燒結脫氣后，得到CuCrNb合金電極；S5、對CuCrNb合金電極熔化并霧化制粉；S6、處理備用；本發明制備工藝簡單，合金成分易于控制，能夠有效提高單次霧化粉體的材料收得率，粉末內析出相均勻且尺寸可達納米級，能夠有效提高3D打印產品質量，適合大量推廣。
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本發明公開了一種硼化物改性玻璃陶瓷基復合高溫抗氧化涂層，燒制在難熔金屬基體表面的復合高溫抗氧化涂層由硼化物和硅酸鹽玻璃制成；所述硼化物為HfB2、ZrB2和TiB2中的一種或兩種以上；另外，本發明還公布了該涂層的制備方法，該方法為：一、對難熔金屬基體表面進行處理；二、制備硼化物顆粒改性的玻璃陶瓷復合料漿；三、將料漿預置于難熔金屬基體表面得到預置層，經真空高溫燒制得到硼化物改性玻璃陶瓷基復合高溫抗氧化涂層。本發明的復合高溫抗氧化涂層用于難熔金屬基體的高溫防護，在防護溫度為400℃～1600℃的范圍內所述復合高溫抗氧化涂層連續防護難熔金屬基體不小于5h。
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本發明公開了一種難熔金屬表面B改性MoSi2涂層的滲劑，由以下質量百分數的粉末組成：氧化鋁粉5％～65％，硼粉10％～15％，氟化鈉粉末1％～8％，余量為硅粉。本發明還公開了利用所述滲劑在難熔金屬表面制備B改性MoSi2涂層方法，該方法為：一、依次對難熔金屬表面難熔金屬的表面進行打磨、噴砂、脫脂處理和酸洗；二、球磨混合粉末制備滲劑；三通過包埋共滲法在難熔金屬表面得到B改性MoSi2涂層。本發明制備的B改性MoSi2涂層在涂層/難溶金屬基體界面形成了富B相，能夠有效降低涂層/基體間的互擴散程度，從而降低涂層的高溫退化速率，進而延長涂層的高溫服役壽命。
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本發明公開的一種采用成形針織技術制備高氣孔率材料的方法，采用成形針織技術，以聚酯長絲為原料，對三維有機模板進行浸漬和涂敷，然后經過二次浸漬并進行高溫氧化反應，最后在900℃高真空條件下使金屬氧化物分解并在950℃進行燒結，成功的制備了具有高孔隙率、開孔結構的泡沫銅。本發明方法簡單易行，所制備的高氣孔率泡沫銅綜合了低密度、高剛度、沖擊吸能性、消音降燥、電磁屏蔽、透氣透水、低熱導率等性能，并且具有良好的阻尼特性，可以廣泛應用于航天、航空、原子能、環保及電化學等行業。
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本發明公開了一種Ti3AlC2陶瓷粉料的制備方法，屬于材料科學技術領域。包括以下步驟：按Ti：Al：TiC：Sn：Si=1.0：(1.0～1.3)：2.0：（0.05～0.2）：（0.05～0.15）的摩爾比，分別取Ti、Al和TiC，然后加Sn粉和Si粉，充分混勻，得到混料；2）加入乙醇，充分球磨，得到均勻粉末，干燥；3）將干燥后的混料在真空下，燒結后，冷卻，得到Ti3AlC2陶瓷粉料。本發明工藝簡單，通過加入球磨助劑提高混料的均勻度；通過加入合成助劑，提高產品純度，降低其雜質；以TiC粉作為C源，不僅降低合成溫度，而且提高產品純度。
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2025年06月20日 ~ 22日 
