本發明公開了一種Sip/Si復合陶瓷涂層,由直接添加的質量含量為3%~40%的WSi2或MoSi2硅化物陶瓷微納顆粒、及硅化物涂層經真空高溫熔燒成的硅化物陶瓷相組成,該Sip/Si復合陶瓷涂層在1000℃~1850℃的氧化條件下為難熔金屬提供防護;本發明還公開了一種Sip/Si復合陶瓷涂層的制備方法,將各原料粉末制成復合懸浮料漿后預置于經處理后的難熔金屬表面,經真空高溫燒結后在難熔金屬表面得到Sip/Si復合陶瓷涂層。本發明通過直接添加提高了WSi2或MoSi2硅化物陶瓷微納顆粒添加量,提高了Sip/Si復合陶瓷涂層的抗氧化性能;本發明通過控制工藝,形成顯微組織均勻的Sip/Si復合陶瓷涂層。
聲明:
“Sip/Si復合陶瓷涂層及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)