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本實用新型公開了高壓直流系統交流柜，包括交流柜本體，所述交流柜本體的側面固定安裝有隔離板，所述隔離板的表面固定安裝有絕緣拉桿，所述交流柜本體的正面固定安裝有風扇，所述交流柜本體的正面固定安裝有電能箱，所述交流柜本體的正面固定安裝有電流檢測盒，所述電流檢測盒的表面設置有指示燈。該高壓直流系統交流柜，通過設置隔離板與交流柜本體的側壁形成有真空腔，同時隔離板為絕緣板，從而可對交流柜本體的內部進行隔熱，防止觸電事故的發生，提升了交流柜使用的安全性，若發生漏電，電流檢測盒可通過指示燈的閃爍提示使用者交流柜發生漏電事故，方便了交流柜的檢測和維護，極大地提升了交流柜使用的安全性。
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提供一種浸漬管清理器，包括浸漬管清理器臺車、液壓頂升、平臺裝置、定位擋板、除渣罐、除渣齒圈、控制臺和控制器、吊耳、傾翻吊耳、浸漬管；除渣齒圈焊接在除渣罐的上口內沿，吊耳焊接在除渣罐的上口外沿，傾翻吊耳焊接在除渣罐的下端外沿；定位擋板焊接在平臺裝置上；除渣罐安裝在平臺裝置的定位擋板上；平臺裝置固定安裝在液壓頂升的上面；控制液壓頂升升降運動的控制臺和控制器與液壓頂升都固定安裝在浸漬管清理器臺車上；浸漬管位于出渣罐的上方。其優點是：本裝置結構簡單、操作方便、效果明顯，浸漬管壽命長。實現了清理浸漬管渣圈同時清理掉落在渣罐里的鋼渣，消除了安全隱患。最大程度保護浸漬管，保證了生產的順行。
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本實用新型涉及飲用水生產設備技術領域，公開了一種飲用礦泉水生產用原水罐，包括罐體、蓋設在所述罐體上的頂蓋和底蓋；所述罐體上部可拆卸地安裝過濾網架，所述過濾網架上安裝多個過濾網，所述過濾網的孔徑從上到下依次減??；所述底蓋上設置攪拌裝置，所述攪拌裝置包括位于底蓋上方的攪拌槳，連接所述攪拌槳且穿過底蓋的攪拌軸；所述攪拌軸連接攪拌電機的輸出端。本實用新型通過過濾網架及過濾網的設置，避免了原水中大泥沙顆粒及其它可沉淀物質在原水罐底部的堆積，不會堵塞管路；攪拌裝置的設置可以實現原水罐的自清洗，清洗方便，節省了人力。
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本發明公開了一種金剛石基場效應晶體管的制備方法，涉及半導體技術領域。該方法包括以下步驟：在金剛石層的上表面形成導電層；在所述導電層的上表面覆蓋掩膜層；去除無源區域對應的掩膜層和導電層；分別去除源區對應的掩膜層和漏區對應的掩膜層；分別在所述源區和所述漏區形成源區高摻雜區和漏區高摻雜區；分別激活所述源區高摻雜區、所述漏區高摻雜區和所述導電層的載流子；分別在所述源區高摻雜區的上表面和所述漏區高摻雜區的上表面覆蓋第一金屬層，形成源極和漏極；在柵區對應的掩膜層的上表面覆蓋第二金屬層，形成柵極。本發明能夠提高器件的耐擊穿特性，降低器件的歐姆接觸電阻。
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本發明提供了一種MEMS環行器的封裝方法，屬于環行器封裝技術領域，包括以下步驟：在晶圓的正面制備金屬電路層，在晶圓的背面制備金屬焊接層，獲得成一體結構的多個芯片單元；在晶圓的背面制備焊料層；在背面向上的晶圓上每個芯片單元對應的位置放置金屬載體，并將金屬載體和晶圓背面焊接為一體；在正面向上的晶圓上每個芯片單元對應的位置點膠，將永磁體貼裝在膠層表面，并將貼裝了永磁體的晶圓上的膠層進行固化；將焊接了金屬載體和貼裝了永磁體的晶圓進行切割，獲得獨立的MEMS環行器。本發明提供的一種MEMS環行器的封裝方法獲得的MEMS環行器精度高、體積小、一致性好，并能夠適用于批量封裝制造。
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本發明涉及氮化硅陶瓷材料領域，具體涉及一種氮化硅陶瓷材料及其制備方法。所述氮化硅陶瓷材料以重量百分比計，包括氮化硅86～95％，氧化鎂2～4％，氧化鋁1～3％，氧化釔2～7％。所述氮化硅陶瓷材料的制備方法包括將原料粉末混合，加入去離子水、聚乙烯醇水溶液和聚丙烯酸銨配成漿料，經干燥造粒、壓制坯體后，常壓、低溫燒結得到成品。本發明提供的氮化硅陶瓷材料及其制備方法通過優選原料配比及比例，極大地改善了氮化硅陶瓷材料的燒結特性，使其可以在常壓、低溫條件下進行燒結；通過優化工藝流程和參數，顯著地降低了氮化硅陶瓷材料的生產成本，提高了工作效率，使制得的氮化硅陶瓷材料具有較高的密度、機械強度以及耐高溫性。
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本發明公開了一種TiC增強銅基電接觸復合材料的制備方法，該制備方法包括原料準備、碳源制備、粉末壓塊與燒結和TiC自生反應合成等步驟。本發明具有制備工藝簡單穩定、成本低、效率高、適合工業化生產和應用等特點。該制備方法所用碳源是通過球磨得到的Cu?石墨包覆TiC混合粉末，合成的TiC粒徑在0.5?2.0m之間，在銅基體上分布均勻。所制備的TiC增強銅基電接觸復合材料致密度高，可通過調整TiC的含量，實現復合材料強度、硬度和導電、導熱性的優良結合，具有高強高導特性。
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本發明提供了一種Cr?C?N基金屬陶瓷，涉及金屬陶瓷材料技術領域。本發明提供的金屬陶瓷由包括以下質量百分含量的組分制備得到：金屬粉末10～40％，碳化物粉末5～30％，余量為Cr?C?N硬質相粉末；所述Cr?C?N硬質相粉末是由Cr、C和N三種元素形成的單相固溶體；所述Cr?C?N硬質相粉末中C的質量百分含量為0.1～9％，N的質量百分含量為0.1～11％，余量為Cr。本發明提供的Cr?C?N基金屬陶瓷具有優異的硬度、韌性、熱穩定性、耐磨和耐腐蝕性等綜合性能，且燒結穩定性好。本發明還提供了所述金屬陶瓷的制備方法，本發明提供的制備方法過程簡單，條件易控，利于工業化推廣。
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本發明提供了一種耐磨材料成型設備及方法，涉及耐磨材料技術領域，耐磨材料成型設備包括振動臺、筒體、底板、上固定板以及下固定板；筒體設置于振動臺上；筒體的上部沿周向設有若干個氣嘴；底板設置于筒體的底部且與筒體可拆卸連接；上固定板設置于筒體的頂部且用于固定碳纖維的上端；下固定板與底板固接且用于固定碳纖維的下端。本發明提供的耐磨材料成型設備，筒體的上下兩端分別設置上固定板和下固定板對碳纖維的上下兩端進行固定，通過注料器向筒體內注射漿料以成型耐磨材料坯體，氣嘴的設置有助于提高漿料落入筒體內的速度，振動臺的振動作用便于保證漿料分布的均勻平整且使漿料中的磷片石墨趨于水平分布，保證密實的成型效果。
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本發明屬于材料加工技術領域，具體涉及一種鋁合金靶材及其制備方法。所述的鋁合金靶材，以相應原子百分比的銅、硅和稀土元素為原料，制備鋁合金靶材，改善所述鋁合金靶材的導電性、抗腐蝕性能和抗氧化性能。具體地，銅的加入，使所述鋁合金靶材的導電性能提高，硅的加入改變所述鋁合金靶材的熱膨脹系數，消除薄膜中產生的壓縮殘余應力，從而消除膜層起包現象，改善濺射鍍膜膜層的表面質量。本發明的鋁合金靶材的制備方法，先以全部的銅、硅、稀土元素和部分鋁混合熔融制成母合金，所述母合金的制備過程使銅、硅和稀土元素更好地與鋁熔融混合，再以熔融混合好的鋁?硅?銅?稀土合金與剩余部分的鋁熔融鑄錠，以解決硅、銅難熔融及成分均勻等問題，獲得成分均勻的鋁合金靶材。
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本實用新型提供一種提高甲醛濃度的裝置，包括加熱器和真空分離器；所述加熱器為圓柱狀，被上隔板和下隔板從下往上分隔成料液室、換熱室和分離室；所述換熱室內豎直設置若干換熱管；料液室和分離室通過換熱管連通；所述換熱管頂端出口高于上隔板的水平高度；所述換熱室的側壁設有蒸汽進口和冷凝出口；所述料液室設有料液進口；所述分離室的頂端設有汽液混合出口；所述真空分離器包括支架和架設在支架上的且底面設置倒置的錐形封頭的圓筒，所述圓筒外壁設有夾套；錐形封頭的底設置第一出口，所述第一出口出設置防渦擋板；所述圓筒的頂端設置第二出口；所述圓筒的筒壁設置進料口；所述分離室的汽液混合出口與真空分離器的進料口通過連接管連接。
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本發明提供了一種雙螺桿擠出機筒體內壁耐磨涂層的制備方法，采用雙圓孔結構的鋼管作為筒體外套，內置非金屬芯管，底部采用耐火材料封底，采用反向澆注的方法在鋼管內壁制備一層耐磨涂層，得到一種帶耐磨涂層的整體式筒體，筒體外套的強度和合金層的耐磨性能優于普通真空燒結制備的帶合金耐磨涂層的筒體，不僅解決了普通切割焊接雙C型套筒接縫處塑料殘存的問題，而且大大減少了螺桿、塑料高速運轉過程中造成的磨損，延長了筒體的使用壽命，而且其制備工藝成本低，易操作，容易實現產業化。
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本發明涉及一種制備鐵鋁合金多孔材料的方法。該方法直接用于 生產以鐵鋁金屬間化合物為基礎的多孔材料，或過濾元件。本發明所 述的方法采用含鐵鋁成分的粉末，按設計的重量組分比混合，采用模 壓成形制備制成片狀或成形坯，壓力控制在50～300MPa，或采用冷 等靜壓制備管狀型坯，等靜壓力控制在50～200MPa；采用無壓燒結 工藝，950～1250℃，燒結氣氛為氫氣或分解氨、或者采用真空燒結， 關鍵的改進在于上述的含鐵鋁成分的粉末包括粒徑為300～1μm的 Fe粉和粒徑為300～1μm的FexAly粉，其重量百分比為76.6-3.5％Fe 和23.4～96.2％FexAly。
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本發明涉及復合材料生產工藝中零部件制備領域，具體公開了一種梯度噴嘴的制備方法，包括如下步驟：按照梯度噴嘴的設計，將金屬粉末與陶瓷增強顆粒均勻混合，制備出2?15種不同陶瓷含量的復合粉末，并將粉末進行高能球磨機械合金化，分別向復合粉末中加入凝膠溶液，均勻攪拌形成流動性好的復合材料漿料，然后將幾種漿料按照從外到內的順序，依次加入固化劑倒入高速旋轉的立式離心成形機中，待固化結束，經脫模、干燥、真空燒結，制得梯度噴嘴，所得噴嘴的梯度層數可以達到10層以上，單層燒結后厚度為0.3mm~10mm，工藝簡單，能耗小，能夠制備出大高徑比的復合材料梯度噴嘴，具有提高噴嘴熱穩定性能，抗沖蝕磨損能力的特點。
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本申請公開了一種碳化硅復合材料制備方法，包括：取碳納米管和碳化硅粉，二者固體成份比例范圍為2：98到5：95；將碳納米管配制成濃度3％?10％的碳納米管水溶液；將碳化硅粉投入所述碳納米管水溶液，球磨制成碳化硅混合漿料；將所述碳化硅混合漿料制成碳化硅復合坯體；將所述碳化硅復合坯體真空燒結，制成碳化硅復合材料。一種碳化硅復合材料，由碳納米管和碳化硅制成，其中碳納米管的固體含量為2％～5％(質量)，其余為碳化硅。本發明解決了半導體用碳化硅陶瓷機械加工時崩瓷問題，進一步提高了產品合格率和碳化硅陶瓷韌性，增強了碳化硅材料抗彎強度。
本發明涉及一種鐵基合金的制備方法，其包括以下步驟：（1）以高純鐵、高純鎳和高純鈷為原料，在真空感應電爐內熔煉得到67.9Fe?31.6Ni?0.5Co母合金，然后過熱到1980?2020?K后，開始氣霧化制粉，然后在500?目下過篩，再經氣流分級機分級；(2)將步驟（1）中經氣流分級機分級后粒徑最小的粉末體放置在掃描電鏡下觀察，得到了顆粒表面光滑且無晶界存在的粉末體，作為原始單晶合金粉末體；(3)將步驟（2）中的所述原始單晶合金粉末體放入真空燒結爐中松裝燒結，燒結時間為0?60?min，得到合金粉末。本發明將制得的合金粉末應用于測試馬氏體相變開始溫度，發現了在一定范圍內，伴隨著本發明制備的鐵基合金粉末體顆粒上的燒結頸的數量大幅增多，相應的MS溫度大幅上升的規律。
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本發明屬于材料加工技術領域，具體涉及一種超高純、等軸細晶鋁靶材的制備方法。本發明的制備方法，采用真空熔鑄和鍛軋結合，在真空感應熔煉爐內對純度在99.9999％以上的高純鋁錠進行重熔成型，在室溫下以冷軋和熱處理的方法，制備出半導體芯片用超高純、等軸細晶鋁濺射靶材。所述的制備方法通過對高純鋁錠進行重熔進一步降低高純鋁錠的晶粒尺寸至1mm以下，大大簡化后期塑性變形工藝，提高成材效率，降低生產成本，最終得到的超高純、等軸細晶鋁靶材其晶粒大小均一，且保持在100μm以下。
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一種MIM工藝用真空燒結爐，包括爐體、設置在爐體內部燒結區的加熱系統、與爐體內部相連的冷卻系統、與爐體內部燒結區相連的真空系統以及用于測量爐體內部指定區域的壓力/和或溫度的測控系統，爐體內部設置有阻熱套，阻熱套與爐體內部之間預留空腔；阻熱套前后兩端分別設置有阻熱套倉門；冷卻系統包括冷卻水裝置和鼓風裝置，冷卻水裝置包括設置于爐體內壁與阻熱套之間的空腔內的管束以及用于向管束內部供水的加壓泵溫度檢測裝置包括熱電偶，熱電偶的保護管位于阻熱套內部，熱電偶與爐體外殼相連處設置有氣氛倉，氣氛倉內充裝有保護氣，氣氛倉設置有壓力表。本實用新型的MIM工藝用真空燒結爐，在燒結過程中，性能更加安全可靠。
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本實用新型涉及一種帶冷卻裝置的真空燒結爐，包括設有出氣口A的真空燒結爐、與出氣口A連通的冷卻裝置以及與冷卻裝置相連通并且設置有進氣口A的真空泵，所述冷卻裝置包括殼體、設置在殼體上方的進氣口B、設置在殼體下方的出氣口B、設置在殼體右端的進水口、設置在殼體左端的出水口、設置在殼體內部左側并且與殼體左端之間具有左間隙的分隔板A以及設置在殼體內部右側且與殼體右端之間具有右間隙的分隔板B，冷卻水的水流方向與真空燒結爐排出的氣體方向相對，可使氣體進行充分的冷卻，分隔板A和分隔板B可防止殼體中真空燒結爐排出的氣體通過進水口和出水口散發到空氣中，進而得不到冷卻并且使真空泵失去作用。
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本實用新型公開了一種真空燒結爐的測溫系統，涉及燒結設備測溫系統技術領域，尤其是一種真空燒結爐的測溫系統，其包括：控制器、紅外線測溫儀、熱電偶、時鐘電路、通信模塊以及顯示模塊；本實用新型測溫系統設有至少兩個紅外測溫儀，兩個互為備用，熱電偶作為校準紅外測溫儀的基準，通過比對熱電偶的溫度，找到測溫不準的紅外測溫儀進行檢修，另外一個作為溫度檢測基準源進行測溫可靠性大為提高，減少了系統維護的時間和停機時間。本實用新型測溫系統設有測溫儀安裝座，僅需要操作絲桿，即實現在密封真空燒結爐后對紅外測溫儀進行拆裝，真空燒結爐無需停機操作，僅需要操作絲桿即實現密封，操作便利，效率高，不影響爐內氣氛，實現了在線檢修。
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本實用新型為電磁攪拌真空熔鑄系統，涉及一種用于熔鑄成型設備。其目的是為了提供一種封閉環保、電磁攪拌、熔鑄成型高度集中、方便二次加料、提升合金熔鑄均勻性的電磁攪拌真空熔鑄系統。本實用新型電磁攪拌真空熔鑄系統，包括爐體、爐蓋，爐體與爐蓋圍覆成真空室，真空室上連接有真空系統，真空室內設有加熱室，加熱室的側壁上連接有電磁攪拌器；爐蓋上設有分步加料機構，分步加料機構與加熱室連通；加熱室上配設有成型模具，熔液流出加熱室流入成型模具，成型模具連接在模具移動機構上；真空室上設有相連通的高壓室，真空室與高壓室之間設有中間門，中間門上連接有中間門執行機構，模具移動機構帶動成型模具在真空室與高壓室之間移動。
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2025年07月09日 ~ 11日 
