本發明屬于材料加工技術領域,具體涉及一種超高純、等軸細晶鋁靶材的制備方法。本發明的制備方法,采用真空熔鑄和鍛軋結合,在真空感應熔煉爐內對純度在99.9999%以上的高純鋁錠進行重熔成型,在室溫下以冷軋和熱處理的方法,制備出半導體芯片用超高純、等軸細晶鋁濺射靶材。所述的制備方法通過對高純鋁錠進行重熔進一步降低高純鋁錠的晶粒尺寸至1mm以下,大大簡化后期塑性變形工藝,提高成材效率,降低生產成本,最終得到的超高純、等軸細晶鋁靶材其晶粒大小均一,且保持在100μm以下。
聲明:
“超高純、等軸細晶鋁靶材的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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