安徽有色金屬失效分析技術(shù)理論與應用

晶圓研磨方法及晶圓失效分析方法 748     

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本發(fā)明涉及一種晶圓研磨方法及晶圓失效分析方法。所述晶圓研磨方法包括如下步驟：提供初始晶圓，位于所述初始晶圓的邊緣的裸芯片中具有測試地址；形成重組晶圓，使得具有所述測試地址的裸芯片位于所述重組晶圓的中部；進(jìn)行至少一次如下循環(huán)步驟，所述循環(huán)步驟包括：于所述重組晶圓暴露的當前層上形成保護層，所述保護層至少位于所述測試地址上方；研磨所述重組晶圓中未被所述保護層覆蓋的所述當前層；去除所述保護層和所述保護層下方殘留的所述當前層；判斷所述測試地址是否暴露，若否，則以暴露的所述下一層作為下一次循環(huán)步驟的當前層。本發(fā)明能夠使得測試地址能夠完整、平坦的暴露，減少甚至是避免了柵極本體的漏電問(wèn)題。

實(shí)現功能和失效關(guān)聯(lián)的FMEA分析方法和裝置 819     

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本發(fā)明涉及產(chǎn)品或過(guò)程的失效分析技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種實(shí)現功能和失效關(guān)聯(lián)的FMEA分析方法，包括如下步驟：輸入上級要求并界定分析的范圍和目的；創(chuàng )建產(chǎn)品“結構樹(shù)”，并生成產(chǎn)品“結構樹(shù)”的功能；利用功能失效矩陣識別功能間的上下級傳遞關(guān)系并關(guān)聯(lián)，生成功能網(wǎng)；在已識別的功能關(guān)聯(lián)基礎上識別失效內容并關(guān)聯(lián)，生成失效網(wǎng)；根據功能和失效關(guān)聯(lián)后完成風(fēng)險分析和優(yōu)化；輸出基于功能和失效關(guān)聯(lián)的DFMEA結果。本發(fā)明使得邏輯清晰且操作簡(jiǎn)單。

TSV圓片級封裝MEMS芯片的失效分析裝置 905     

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本實(shí)用新型公開(kāi)了TSV圓片級封裝MEMS芯片的失效分析裝置，該裝置由顯微鏡、反光盒和探針系統組成；反光盒由外殼、反光鏡和透明玻璃組成，反光鏡包括兩個(gè)互成90°角的左反光鏡和右反光鏡，左反光鏡和右反光鏡都是鏡面朝上地置于外殼中，左反光鏡和右反光鏡與外殼底面夾角都為45°，透明玻璃覆蓋在外殼頂部開(kāi)口處；探針系統包括探針、探針臂和探針座，探針通過(guò)探針臂與探針座連接，探針上連接導線(xiàn)，導線(xiàn)與測試裝置或電源連接；反光盒置于顯微鏡的載物臺上，顯微鏡的物鏡位于反光盒上方。該裝置只需特制一個(gè)反光盒，利用反光盒內反光鏡改變光線(xiàn)的方向，不需要背面顯微鏡鏡頭，就可以觀(guān)察到MEMS結構的運動(dòng)情況，分析MEMS芯片的失效機理，結構簡(jiǎn)單，效果好。

芯片可持續失效分析方法 862     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種芯片可持續失效分析方法，包括：1)將對準卡(3)套設于芯片(2)的外部并將所述芯片(2)固定于所述基座(1)；2)將針托架(4)上測試針的一端設置于所述芯片(2)的頂部，接著(zhù)將緩沖框(5)覆蓋所述對準卡(3)的頂部以使得所述測試針、對準卡(3)相接觸，然后將所述測試針的另一端通過(guò)連接孔(6)固定于所述基座(1)上；3)將緩沖墊(7)分布于所述緩沖框(5)的兩側，接著(zhù)將固定卡(8)設置于緩沖墊(7)的頂部以使得所述緩沖墊(7)固定于所述基座(1)的頂部。該芯片可持續失效分析方法能夠重復地對芯片進(jìn)行失效分析，同時(shí)成本低。

邏輯芯片漏電失效分析方法 925     

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本發(fā)明提供一種邏輯芯片漏電失效分析方法，屬于半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，邏輯芯片漏電失效分析方法包括：提供一設置有至少兩個(gè)柵極結構的晶體管結構的測量樣品，所述測量樣品中的晶體管結構存在亮電壓對比缺陷；通過(guò)給一部分的所述柵極結構施加工作電壓，并給剩余部分的所述柵極結構提供0電壓，以對所述測量樣品進(jìn)行納米探針電性測試，從而定位出所述晶體管結構具體的漏電失效位置，實(shí)現了邏輯芯片漏電失效分析時(shí)的精確定位，其有利于找到引起漏電失效問(wèn)題的真因，從而有利于在制程優(yōu)化時(shí)得到有效的優(yōu)化方法。

軟包鋰離子電池失效分析方法 968     

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本發(fā)明的一種軟包鋰離子電池失效分析方法，可解決現有的對鋰離子電池失效分析方法較為單一，不能充分、全面的說(shuō)明鋰離子電池的失效機理的技術(shù)問(wèn)題。通過(guò)記錄電池失效前容量Q0和失效后容量Q1；把電池剪開(kāi)，重新注入電解液后，抽真空再次封裝，測試重注液電池容量Q2以及重注液后電池深度放電容量Q3；在充滿(mǎn)惰性氣體下拆解電池，通過(guò)原子吸收測試負極失效前、后鋰含量分別為Wn0%和Wn1%；在充滿(mǎn)惰性氣體中組裝成正極扣電，測試失效前、后正極穩定克容量分別為C0和C1；根據上述步驟計算影響因素容量。本發(fā)明能夠清楚、直觀(guān)地得到各個(gè)因素對鋰離子電池失效的影響，分析其影響失效的主要因素，有針對性對電池進(jìn)行改善，有利于提高電池的循環(huán)以及安全性能。

芯片的失效分析方法及系統 875     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種芯片的失效分析方法及系統，其中所述芯片的失效分析方法至少包括：提供一失效芯片，在失效芯片上標記出失效點(diǎn)的位置；根據失效點(diǎn)到失效芯片的側邊的距離，在失效芯片上設置取樣圖形，使失效點(diǎn)的投影位于取樣圖形的中央；沿著(zhù)取樣圖形的邊線(xiàn)，分裂失效芯片，獲得失效圖形芯片和多個(gè)輔助圖形芯片；拼接失效圖形芯片和輔助圖形芯片，獲得組合圖形芯片；以及研磨組合圖形芯片，至失效點(diǎn)露出，并通過(guò)探針測試失效芯片的失效區域。本發(fā)明提供了一種芯片的失效分析方法及系統，能夠提升芯片失效分析的準確性和分析效率。

失效芯片的分析方法 811     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種失效芯片的分析方法，屬于芯片檢測領(lǐng)域。所述解封方法包括：裁剪部分失效芯片，以減少所述失效芯片上封裝膜的表面積；將所述失效芯片放置于第一酸性溶液內，所述第一酸性溶液的溫度為20℃~60℃；所述封裝膜去除后，將所述失效芯片放置于第一有機溶劑中清洗；將所述失效芯片放置于第二酸性溶液內；對所述第二酸性溶液進(jìn)行加熱，且加熱溫度為50℃~150℃；將所述失效芯片放置于第二有機溶劑中清洗；以及將所述失效芯片置于顯微鏡下進(jìn)行檢測。通過(guò)本發(fā)明提供的一種失效芯片的分析方法，可提高失效芯片的分析可靠性。

基于大數據分析的設備失效模式診斷特征參量分析方法 913     

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本發(fā)明涉及基于大數據分析的設備失效模式診斷特征參量分析方法。本發(fā)明先通過(guò)檢驗樣本獲得設備的失效或故障模式，進(jìn)一步通過(guò)極大似然估計后的函數f對特征參數求偏導數，通過(guò)偏導數絕對值的大小來(lái)判定特定失效或故障模式中不同特征參數的重要度。即通過(guò)對偏導數絕對值進(jìn)行排序，就可以識別出設備失效或故障模式的關(guān)鍵特征參量，這為開(kāi)展設備的失效或故障模式診斷指明了方向。

TSV圓片級封裝MEMS芯片的失效分析裝置及其分析方法 912     

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本發(fā)明公開(kāi)了TSV圓片級封裝MEMS芯片的失效分析裝置及其分析方法，該裝置由顯微鏡、反光盒和探針系統組成；反光盒由外殼、外殼中兩個(gè)互成90°的反光鏡和外殼頂部開(kāi)口處的透明玻璃組成，反光鏡與外殼底面夾角為45°；探針系統包括探針、探針臂和探針座，探針通過(guò)探針臂與探針座連接，探針上連接導線(xiàn)，導線(xiàn)與測試裝置或電源連接。該裝置利用反光鏡改變光線(xiàn)方向，不需背面鏡頭，就可以用于分析MEMS芯片的失效機理，結構簡(jiǎn)單，效果好。本發(fā)明的分析方法為：將待分析MEMS芯片放置在透明玻璃上，在壓焊塊上扎上探針；通過(guò)導線(xiàn)向MEMS結構輸入激勵電壓；通過(guò)顯微鏡觀(guān)察MEMS結構的響應判斷MEMS器件的失效機理。該方法操作簡(jiǎn)單，能夠快速、準確地對待分析MEMS芯片進(jìn)行失效分析。

產(chǎn)品失效知識庫建立方法與失效分析方法、裝置、介質(zhì) 786     

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本公開(kāi)提供了一種產(chǎn)品失效知識庫建立方法與產(chǎn)品失效分析方法、裝置、設備、介質(zhì)，屬于計算機技術(shù)領(lǐng)域。該產(chǎn)品失效知識庫建立方法包括：獲取多組失效產(chǎn)品數據，包括設計數據、工藝數據與缺陷數據；根據設計數據和/或工藝數據對失效產(chǎn)品數據進(jìn)行聚類(lèi)，得到多個(gè)失效類(lèi)別；分別對各失效類(lèi)別的缺陷數據進(jìn)行隨機性檢驗，以確定失效類(lèi)別為隨機失效模式或非隨機失效模式；對各非隨機失效模式的失效產(chǎn)品數據進(jìn)行關(guān)聯(lián)規則挖掘，得到各非隨機失效模式的失效根因數據；根據各失效類(lèi)別的隨機失效模式/非隨機失效模式分類(lèi)結果與各非隨機失效模式的失效根因數據，建立產(chǎn)品失效知識庫。本公開(kāi)可以實(shí)現對未知失效模式的分析，并提高分析效率。

失效分析結構的制備方法及失效分析方法 1025     

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本發(fā)明涉及一種失效分析結構的制備方法及失效分析方法。失效分析結構的制備方法包括：提供待分析樣品，待分析樣品包括待分析芯片及承載基底，承載基底位于待分析芯片的正面；提供底板；將待分析樣品貼置于底板上，待分析芯片的背面朝向底板；形成防護層，防護層至少覆蓋待分析芯片的側壁；使用腐蝕液去除承載基底。本發(fā)明的失效分析結構的制備方法，在去除承載基底的過(guò)程中無(wú)需使用到離子刻蝕機等復雜設備，操作方便，且沒(méi)有氯氣等腐蝕性氣體的使用，不會(huì )對待分析芯片造成腐蝕破壞；并且通過(guò)形成防護層至少覆蓋待分析芯片的側壁，因此去除承載基底的過(guò)程中不會(huì )損傷芯片的側壁，進(jìn)而不會(huì )破壞芯片的信息及定位圖案，以便后續對芯片進(jìn)行信息確認。

芯片失效分析用測試裝置 957     

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本實(shí)用新型提供一種芯片表面放電的失效分析用測試裝置，包括基座、夾持件和導電件，夾持件可移動(dòng)的連接在基座上，導電件可旋轉的連接在基座上，基座、夾持件和導電件的材料均為導電金屬材料；當置于SEM機臺的操作臺上時(shí)，夾持件夾持芯片，芯片通過(guò)夾持件分別與基座和導電件電連接，基座和導電件均與操作臺上的接地端連接，以通過(guò)基座在SEM機臺的操作臺上的接地端連接，降低芯片在測試時(shí)出現的芯片表面放電的問(wèn)題，導電件可以增加芯片接觸接地端(碳膠)的面積，從而解決了芯片在SEM機臺上測試時(shí)出現的芯片表面放電的問(wèn)題，該裝置沒(méi)有在芯片的四周點(diǎn)碳膠，沒(méi)有去除碳膠以及點(diǎn)碳膠的過(guò)程，從而減少了在芯片周?chē)磸忘c(diǎn)碳膠所耗費的時(shí)間。

測試設備、失效分析方法和測試系統 756     

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本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種測試設備、失效分析方法和測試系統，該測試設備包括芯片載臺和用于支撐芯片載臺的支撐底座，且支撐底座內設置有比較模塊和可調電阻模塊；其中，芯片載臺，用于承載被測芯片；比較模塊，與可調電阻模塊連接，用于對被測芯片中待測試層的接地電壓與芯片載臺的接地電壓進(jìn)行比較，根據比較結果和可調電阻模塊對待測試層的接地電阻進(jìn)行調節，以降低待測試層的表面荷電效應。本公開(kāi)實(shí)施例能夠降低待測試層的接地點(diǎn)和芯片載臺的接地點(diǎn)之間的信號干擾，改善EBAC的成像效果，使得在對被測芯片進(jìn)行失效分析時(shí)，可以快速且準確地定位失效點(diǎn)。