本發明涉及一種失效分析結構的制備方法及失效分析方法。失效分析結構的制備方法包括:提供待分析樣品,待分析樣品包括待分析芯片及承載基底,承載基底位于待分析芯片的正面;提供底板;將待分析樣品貼置于底板上,待分析芯片的背面朝向底板;形成防護層,防護層至少覆蓋待分析芯片的側壁;使用腐蝕液去除承載基底。本發明的失效分析結構的制備方法,在去除承載基底的過程中無需使用到離子刻蝕機等復雜設備,操作方便,且沒有氯氣等腐蝕性氣體的使用,不會對待分析芯片造成腐蝕破壞;并且通過形成防護層至少覆蓋待分析芯片的側壁,因此去除承載基底的過程中不會損傷芯片的側壁,進而不會破壞芯片的信息及定位圖案,以便后續對芯片進行信息確認。
聲明:
“失效分析結構的制備方法及失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)