本發明涉及一種晶圓研磨方法及晶圓失效分析方法。所述晶圓研磨方法包括如下步驟:提供初始晶圓,位于所述初始晶圓的邊緣的裸芯片中具有測試地址;形成重組晶圓,使得具有所述測試地址的裸芯片位于所述重組晶圓的中部;進行至少一次如下循環步驟,所述循環步驟包括:于所述重組晶圓暴露的當前層上形成保護層,所述保護層至少位于所述測試地址上方;研磨所述重組晶圓中未被所述保護層覆蓋的所述當前層;去除所述保護層和所述保護層下方殘留的所述當前層;判斷所述測試地址是否暴露,若否,則以暴露的所述下一層作為下一次循環步驟的當前層。本發明能夠使得測試地址能夠完整、平坦的暴露,減少甚至是避免了柵極本體的漏電問題。
聲明:
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