陜西西安有色金屬真空冶金技術理論與應用

采用真空熔鑄法制備CUCR40觸頭材料的方法 787     

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本發明公開的采用真空熔鑄法制備CUCR40電觸頭,屬于金屬材料制備技術領域。按重量百分比其組成為:40%的CR,其余為CU。通過以下方法制備得到:將CR塊在低溫液體保護下,通過研磨破碎機加工制成CR粉,將CR粉經壓制后燒結成CR粉坯,然后將CU塊與CR粉坯放入真空爐中加熱,熔化后進行澆鑄,冷卻后即制得CUCR40電觸頭材料。本發明的優點在于:將CR塊破碎成CR粉,再經壓制、燒結制成CR粉坯,降低了熔化溫度,縮短了熔化時間。本發明的制備方法,工藝簡單、成本低,制得的CUCR40復合材料與熔滲的CUCR40復合材料相比具有更優越的性能。

真空熔鑄Fe2B化合物的方法 1001     

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本發明公開了一種真空熔鑄Fe2B化合物的方法,包括以下步驟:(1)將純Fe塊和硼鐵按照Fe∶B=2∶1的原子比進行配料;(2)先將硼鐵放入坩堝中,再將純Fe塊放入坩堝中,硼鐵粒度小于純Fe塊粒度,純Fe塊放在硼鐵上部且不和坩堝內壁接觸,硼鐵和純Fe塊體積總量不超過坩堝高度的2/3;(3)將盛放硼鐵和純鐵的坩堝放入真空感應爐中,進行真空冶煉獲得塊體Fe2B材料。本發明中制備的Fe2B塊體材料的制備過程簡單,組織較致密,而且具有優良的耐熔鋅腐蝕性能。

采用真空熔鑄法制備鉻靶的方法 1193     

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本發明涉及一種采用真空熔鑄法制備鉻靶的方法,依下述步驟進行:a.Cr塊的挑選:將有氧化皮、被污染的Cr塊挑出;b.熔煉:將合格的Cr塊裝入中頻真空感應爐中,升溫速率為10-18℃/min,熔煉溫度為1800～2000℃;c.澆注:以0.6～0.8m/s的澆注速度快速澆鑄到水冷Cu模中,進行快速冷卻,制得Cr靶。本發明通過感應加熱方法,在高溫下將材料熔化,快速澆鑄,并輔以快速冷卻,實現快速形核并且抑制核長大,本方法制得的Cr靶,具有成分均勻、致密性高、晶粒細小、純度高、工藝簡單、成本低等優良的綜合性能。

真空熔鑄爐加料機構 1077     

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本發明屬于真空熔鑄爐設計技術,涉及對真空熔鑄爐加料裝置的改進。它包括加料室[1]和驅動機構[2],其特征在于,在抓料機構[3]的周圍有沿圓周均布的3個或4個結構相同的導向機構,每個導向機構由導向桿[5]、兩個連接件[7]和兩個固定桿[8]組成。本發明能避免抓料機構在加料過程中發生搖擺晃動,并能提高料棒與坩堝的同軸度,大大提高了加料的準確性和穩定性,避免了因料棒脫落造成已熔化的鋼水飛濺而引發重大設備事故。

真空熔鑄爐主軸升降桿保護裝置 780     

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本發明中提供了一種真空熔鑄爐主軸升降桿保護裝置，涉及熔模精密鑄造真空熔鑄爐領域，涉及航空、航天發動機，其中該真空熔鑄爐主軸升降桿保護裝置沿著主軸升降桿豎直方向上且包裹在主軸升降桿外部的保護套，能滿足主軸升降桿運送模殼，澆注時飛濺金屬不損壞主軸系統，同時保護套對主軸升降桿起到了保護作用，可以有效解決主軸升降桿往復運動時金屬屑對主軸的磨損傷害問題，以及主軸系統維修成本高的問題；降低了主軸系統的維修次數以及成本，很大程度上提升了真空熔鑄爐設備的使用效率，本發明有效的避免被飛濺金屬液粘附傷及主軸表面而縮短主軸使用壽命，解決清理主軸表面金屬屑的不便以及延長主軸使用壽命的問題。

在真空熔鑄設備內實現型殼加熱與保溫的方法與裝置 777     

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本發明涉及一種在真空熔鑄設備內實現型殼加熱與保溫的方法與裝置，其中所述裝置包括用于給型殼裝置加熱或保溫的保溫包和離心托盤裝置；保溫包設置在真空熔鑄設備內，保溫包底部設置第二開口，真空熔鑄設備底部設置第一開口，第一開口和第二開口對正；離心托盤裝置用于裝載型殼裝置，且離心托盤裝置與真空離心鑄造設備相互獨立；當載有型殼裝置的離心托盤裝置從第一開口進入真空離心鑄造設備時，型殼裝置恰好通過第二開口進入保溫包內，且離心托盤裝置能夠與第一開口配合組裝實現第一開口的真空密封。本發明可在真空熔鑄設備內部進行型殼的加熱與保溫，且方便離心托盤裝置和型殼裝置的單獨搬運與裝配，并能滿足離心澆注的工藝要求。