本發明涉及一種采用真空熔鑄法制備鉻靶的方法,依下述步驟進行:a.Cr塊的挑選:將有氧化皮、被污染的Cr塊挑出;b.熔煉:將合格的Cr塊裝入中頻真空感應爐中,升溫速率為10-18℃/min,熔煉溫度為1800~2000℃;c.澆注:以0.6~0.8m/s的澆注速度快速澆鑄到水冷Cu模中,進行快速冷卻,制得Cr靶。本發明通過感應加熱方法,在高溫下將材料熔化,快速澆鑄,并輔以快速冷卻,實現快速形核并且抑制核長大,本方法制得的Cr靶,具有成分均勻、致密性高、晶粒細小、純度高、工藝簡單、成本低等優良的綜合性能。
聲明:
“采用真空熔鑄法制備鉻靶的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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