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本實用新型公開了一種圓形封裝形式的固體繼電器，包括繼電器部分和罩殼，所述繼電器部分包括底座，底座上設置有厚輸出功率組件厚膜基板，輸出功率組件厚膜基板通過焊接柱與輸入功率組件PCB板連接，罩殼與繼電器部分的底座連接，輸出功率組件厚膜基板上設置的光伏二極管陣列中心距為3.5～5.5mm，輸入功率組件PCB板反面上設置的發光二極管中心距為3.5～5.5mm，輸出功率組件厚膜基板上設置的導體區域寬度為0.45～0.65mm。該圓形封裝形式的固體繼電器，具有體積小，接收光效率高、裝配合格率高、裝配效率高、負載電流大和功耗小的優點，實現了大電壓輸入，大電壓、大電流輸出的目標。
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本發明公開了一種新型TiC鋼結硬質合金，其中，新型TiC鋼結硬質合金，其包括如下成分：TiC、Cr3C2、Mo2C、Fe、C。本發明提供了一種新型TiC鋼結硬質合金，制得的合金在結構上較為緊密，具備良好的硬度。
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本發明提供的一種低功耗超快恢復整流二極管的制造方法，采用高電導P型單晶硅片和N型單晶硅片經過硼擴散后高溫鍵合，再將形成PN結的硅片進行減薄，可間接減薄二極管芯片厚度，有效地降低二極管器件的正向壓降，達到器件低功耗高頻率的目的。
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本發明提供的一種高可靠合金型玻璃鈍化二極管及其制作工藝，包括管芯，管芯的兩面均通過蒸鋁層和鉬電極與銅引線連接，所述管芯、蒸鋁層、鉬電極、保護環封裝在玻璃外殼內，所述管芯的邊緣制作有保護環。本發明在管芯邊緣形成高壓擴散PN結環內部嵌套低壓合金結的結構，使得產品加上反偏電壓時，首先在中間合金PN結處發生擊穿，這樣的結構可以避免合金PN結邊緣的電場集中，降低了邊緣電場強度，可以有效降低產品在常溫及高溫時的反向漏電流，提升產品的合格率及可靠性。
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本發明涉及二極管制作技術領域，尤其是一種高壓快恢復整流二極管的制作方法，通過選擇合理阻值的N型單晶硅片，設計、測試管芯的厚度與結深，以及采用硼酸與硝酸鋁合理配比的硼擴散源，制備得到高壓快恢復整流二極管。此方法制備的高壓快恢復整流二極管，可以很好的兼容反向工作電壓、反向恢復時間、正向壓降這三個電性參數，滿足反向工作電壓1500V以上、反向恢復時間100ns以下、正向壓降3V以下的工作要求。
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本發明屬電子元器技術領域，尤其涉及提高片式固體電解質電容器耐應力的方法，包括陽極設計和陰極被膜強化處理；所述陽極設計是將陽極鉭塊高度方向棱邊進行倒角處理，直角棱邊變成圓弧狀；所述陰極被膜強化處理是將形成介質層的陽極鉭塊通過多次浸漬分解硝酸錳溶液和強化處理形成二氧化錳層。本發明提供的方法，能在鉭陽極表面能形成厚度均勻、致密度高的二氧化錳層，消除鉭陽極加工過程中出現的應力集中和局域薄弱現象。本發明所制的鉭陽極能提高片式固體電解質鉭電容器耐熱應力、機械應力等應力沖擊能力，提高其焊接性能；可用于制造出耐應力能力強、可靠性高的片式固體電解質鉭電容產品，擴大了電容器的應用范圍。
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本發明提供的一種高可靠抗輻照玻璃鈍化快恢復整流二極管制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結擴散工藝，臺面造型為正斜角造型，該芯片結構降低表面電場，同時在進行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對芯片臺面進行保護，然后采用特殊玻璃粉進行高溫鈍化封裝成型；本發明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場，提高了芯片表面的穩定性；在芯片腐蝕過程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時具有一定的含鉛量使產品能在輻照條件下穩定工作。
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本發明公開了鉭電容器固體電解質及其制備方法、鉭電容器和用電器，涉及電容器的陰極電解質制備技術領域。制備方法，包括：采用漿料包覆法在第一中間體的表面進行至少一次漿料包覆，得到第二中間體，漿料包覆法為：在被包覆物表面包覆含有β?MnO2粉末的硝酸錳漿料，然后干燥；將得到的第二中間體通過熱分解使其中所含的硝酸錳分解為二氧化錳得到第三中間體；第一中間體為表面覆蓋有介質氧化層且微孔被二氧化錳填滿的多孔鉭燒結體；在第三中間體的表面再次包覆二氧化錳，以填滿第二中間體表面β?MnO2微粒間的間隙。用電器，包括上述的鉭電容器。該方法可減小被覆過程中對介質氧化膜的破壞，使電容器漏電穩定性好。
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一種新型固體電解電容器及其制造方法,涉及一種電器元件、經六個工藝步驟制造出一種具有極低的等效串聯電阻(ESR)和很高的體積效率,其阻抗頻率特性好,ESR值可在10KHZ-1000KHZ范圍內保持穩定,能夠很好地滿足現代電子設備高頻化的要求的固體電解電容器,其中關鍵步驟4為陰極電解質層的制造方法,所述的陰極電解質層具有導電性高分子復合層,該導電性高分子復合層是由無機二氧化錳電解質層4B或化學聚合的導電性高分子層4B與電解聚合的導電性高分子聚合物4C層復合而成,并且采用底面電極引出的形式對電容器元件進行封裝。
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本發明公開了一種降低氧化鈮電容器等效串聯電阻的陰極制備工藝，該工藝步驟主要包括陽極芯塊和介質膜的加工、陰極半導體的加工、陰極過渡層的加工及陰極引出層的加工；該工藝將形成介電層的陽極芯塊浸漬、脫水、熱分解低濃度和高濃度硝酸錳溶液，通過在陰極半導體層與陰極引出層間增加一層過渡層，消除了層間接觸電阻，使電容器的等效串聯電阻減小20％以上；該工藝由于在熱分解硝酸錳溶液之前采用了脫水工藝，提高了二氧化錳對陽極芯塊內部的填充率，而且取消了低濃度與高濃度硝酸錳的交替浸漬、熱分解，使工藝操作更簡單、效率更高，適合于工業化大批量生產。
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本發明一種鈮電容器介質膜強化方法，屬電子元件制作技術領域，是將現有工藝電化學制造后有介質膜的陽極塊進行強化處理，其處理方法是將陽極塊在250℃～400℃的烘箱中干烘10～30min，再在0.1%～1%v/v、60℃～90℃的硝酸水溶液的電解槽中，以與陽極塊連接的電極為正極對陽極塊實施電化學氧化。由于對第一次制備的介質氧化膜采取了“干烘+形成”的工藝處理后，明顯降低了陽極塊的漏電流值，介質膜的晶粒更小，膜層更致密。
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本發明涉及醫療機械技術領域，且公開了骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法，第一步：取鎂合金Mg?Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg?Ca粉末與NaHCO3混合攪拌，得到第一混合物。該骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法，本發明的骨缺損植入器械梯度多孔材料由首先采用鎂合金Mg?Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg?Ca粉末與NaHCO3混合制備的預制體，再對預制體進行多次處于，分別進行防腐蝕阻擋處理和構建氧化鈦梯度層處理，最終制備獲得耐腐蝕、使用壽命長、可有助于人體骨組織生產以及恢復的骨缺損植入器械梯度多孔材料，本發明的骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法不僅工藝簡單、易操作，而且還綠色環保，不會對環境產生污染和危害，可滿足企業的生產要求，適合推廣。
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本發明一種鈮電容器陰極制備方法，涉及一種電解電容器陰極電解質的制備方法。本發明是將氧化鈮粉壓制成氧化鈮電容器陽極芯塊，按傳統工藝經燒結，陽極形成，形成介電層后，將形成介電層的鈮陽極芯塊經浸漬低濃度硝酸錳溶液、高濃度硝酸錳溶液、乙酸水溶液中形成處理等7個步驟完成在含介電層的陽極塊表面制備二氧化錳陰極層。由于本發明采用浸漬低濃度硝酸錳溶液與高濃度高硝酸錳溶液交替浸漬和熱分解方式，使分解得到的二氧化錳顆粒能夠滲透到陽極塊的微孔中，并與陽極塊緊密接觸，從而實現電容量的完全引出，降低了二氧化錳陰極層的接觸電阻，達到降低產品等效串聯電阻ESR的目的。
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本發明提供的一種高可靠抗輻照玻璃鈍化電壓調整二極管制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結擴散工藝，臺面造型為正斜角造型，該芯片結構降低表面電場，同時在進行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對芯片臺面進行保護，然后采用特殊玻璃粉進行高溫鈍化封裝成型；本發明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場，提高了芯片表面的穩定性；在芯片腐蝕過程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時具有一定的含鉛量使產品能在輻照條件下穩定工作。
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本發明一種降低鈮電容器高溫電容量變化率的工藝方法，涉及電解電容器輔助陰極層制備技術，是將氧化鈮電容器陽極芯塊按傳統工藝完成陰極電解質二氧化錳層加工后得到的陰極電解質的陽極塊經碳層制備和制備導電引出層后再按現工藝完成電容器的后面工序。由于本發明碳層的制備采用浸漬兩次石墨水液，并在兩次浸漬之間浸漬一次表面活化劑，完成碳層制備的陰極電解質陽極塊又經導電漿料的處理，使碳層與陰極電解質層、導電引出層間的結合更緊密，有效的抑制了鈮電容器在溫度升高時的電容量增加。
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本發明提供了一種改善燒結鉭塊內部孔隙度的方法，包括以下步驟：稱量鉭粉?混粉?自動成型?脫樟?燒結?測試孔隙度。本發明了有益效果在于：通過對比不同粘合劑對燒結后鉭塊孔隙度的影響，根據不同粘合劑脫除后留下的孔隙大小、形貌、比例的區別，選出最合適的粘合劑及最佳添加比例來改善鉭塊的孔隙度，有助于更為深入的了解陽極鉭塊內孔隙的基本結構，此外，鉭塊內部合適的孔隙度可以提高后續陰極二氧化錳的被覆率，從而使電容量得到更大程度引出，其操作簡單，效率高，無需復雜設備，投入成本低，對完善被膜工藝及容量引出改善效果明顯。
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本發明公開了具有高電導率的固體電解質電容器的制備方法，包含燒結、形成介質氧化膜、制作表面為導電高分子π-共軛聚合物層的陽極塊、涂敷石墨層和銀漿層、通過模壓封裝的步驟形成最終產品。本發明的有益效果是：通過具有交聯結構聚陰離子基團的偶聯劑在乙醇溶液中通過有機磺酸的作用，在100～150℃下一方面導電聚合物單體發生聚合反應形成透明及具有很高彈性的聚合物膜層，另一方面聚陰離子基團有機磺酸的作用下形成交聯的骨架，從而生成具很高柔性的高分子導電復合物，在很大程度上緩解電解電容器制作過程中因模壓樹封時環氧樹脂熱收縮產生的熱應力，大大降低了電容器的ESR，提高了電容器性能的穩定性。
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本發明提供的一種高可靠抗輻照瞬變電壓抑制二極管的制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結擴散工藝，臺面造型為正斜角造型，該芯片結構降低表面電場，同時在進行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對芯片臺面進行保護，然后采用特殊玻璃粉進行高溫鈍化封裝成型；本發明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場，提高了芯片表面的穩定性；在芯片腐蝕過程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時具有一定的含鉛量使產品能在輻照條件下穩定工作。
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本發明提供的一種采用鎢電極制造高可靠瞬態電壓抑制二極管的制造方法，包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝，采用了鎢電極作為電極引線制造玻璃鈍化瞬態電壓抑制二極管，大大提升了器件的瞬態峰值功率，相同封裝外形尺寸可以提升80％以上的瞬態峰值功率。
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一種鉭電解電容器陽極鉭塊燒結成型方法，涉及電解電容器領域。所述成型方法是將納米級粒徑的鉭粉置于設定形狀和大小的容器內，采取分段等靜壓成型工藝，按壓力從小到大、再從大到小的順序分為若干段，在設定的條件下通過液體對置于容器內的預成型體施加各向均勻的壓力，進行陽極鉭塊等靜壓成型，再進行高溫燒結成型。解決了現有鉭電解電容器陽極鉭塊燒結成型后容易變形、絕緣可靠性差、坯體密度不均勻的問題，以獲得具有一定形狀、密度、內部均勻的鉭粉成型素坯。燒結后的壓坯收縮形變量小，尺寸精度和表面光潔度均優于傳統液壓機干壓成型工藝，為后續的裝配工藝和規?；可a帶來便捷，并有利于提升電容器的電參數、質量一致性和可靠性。
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本發明提供的一種高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法，包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝，芯片分離采用正吹砂切割方式形成正斜角，大大降低了器件的表面電場，提高了芯片表面的穩定性；在芯片腐蝕過程中采用酸腐蝕去除芯片臺面損傷層、腐蝕工藝去除粘附在芯片表面的重金屬離子、熱鈍化方式中和堿金屬離子并在芯片表面生長一層二氧化硅鈍化保護層的工藝，最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的反向性能，提升產品的可靠性；采用主要成分為氧化鋅、三氧化二硼、二氧化硅的鈍化玻璃粉經過高溫成型實現玻璃粉對芯片臺面的鈍化兼封裝作用，產品組件中的電極與芯片和玻璃鈍化層的熱膨脹系數相當，提高了產品的抗溫度沖擊能力；產品采用專用焊料將電極片和軸向產品進行燒結，實現了表貼封裝結構。
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本發明公開了一種微型玻璃鈍化封裝整流二極管，包括管芯、電極、引線和玻璃封裝外殼。所述管芯為單晶硅制成的PN結，其P面和N面分別依次與電極和引線連接。所述管芯與電極通過金屬薄膜層熔焊鍵合在一起，所述電極和引線通過銅焊片熔融焊接在一起。將玻璃鈍化封裝的整流二極管的外部直徑做到1個毫米以下，實現了整流二極管的微型化；同時，玻璃鈍化封裝與塑料封裝相比，二極管的高溫反向漏電流更小、工作溫度范圍更寬、可靠性更高。
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本發明涉及一種以固體導電高分子聚合物為電解質,以鉭、鈮、鈦、鋁等閥金屬為陽極的固體電解電容器及其制備方法,本發明對陽極設計、賦能、化學氧化原位聚合、浸涂石墨銀漿以及制作底面引出電極等工藝進行了充分的闡釋,采用本發明的技術方案,能夠使高分子聚合物層、石墨層、銀漿層之間緊密結合,制造的電解電容器具有極低的等效串聯電阻(ESR)和很高的體積效率,其阻抗頻率特性好,ESR值可在10KHZ～1000KHZ范圍內保持穩定,能夠很好地滿足現代電子設備頻化的要求。
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本發明公開了一種高可靠玻璃鈍化表貼封裝電壓調整二極管及其制備方法，涉及二極管制造技術領域；包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝；本發明二極管采用U型玻璃鈍化表貼封裝結構，結合了玻璃鈍化產品可靠性高、抗機械、溫度沖擊能力強特點，以及表貼封裝器件尺寸小、易安裝的特點，器件具有圓形引出端和方形引出端兩種結構，滿足用戶對高可靠玻璃鈍化表貼封裝電壓調整二極管的使用要求。
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本發明公開了一種玻璃鈍化表貼二極管及其制造方法，屬于二極管技術領域。該二極管包括管芯和兩電極片，所述管芯位于兩所述電極片之間，所述電極片通過蒸鋁層與管芯連接，所述管芯、兩電極片和蒸鋁層均封裝在鈍化玻璃內，且所述電極片上遠離管芯的一端沿管芯的徑向延伸到鈍化玻璃外。二極管的引出電極為鉬片，鉬片厚度為0.1mm～0.2mm，引出電極尺寸更小。二極管的引出電極沿管芯的徑向延伸，管芯尺寸增大時，只需增大鉬片的焊盤尺寸即可，二級管的厚度不會增加，可以制造出外形尺寸小，厚度非常薄的表貼器件。將臺面腐蝕后的二極管放入灌注模具中，再向灌注模具中注入玻璃粉漿的方式涂覆玻璃漿，可以根據需要制造不同的封裝外形。
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本發明屬于提高電容器外殼內壁容量技術領域，具體涉及一種提高非固體電解質鉭電容器鉭外殼內壁容量的方法；采用鉭粉壓制的陰極桶為多孔蜂窩結構，可以充當二氧化釕的附著對象，等效于增加鉭外殼的內表面，增大二氧化釕的附著量，從而達到增加鉭外殼內壁容量的目的。
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本發明公開了一種玻璃鈍化實體封裝低壓二極管及其制造方法，屬于二極管技術領域。該二極管包括硅片A和兩個電極引線，所述硅片A位于兩個所述電極引線之間，其中一個電極引線通過焊接金屬A與硅片A連接，另一個電極引線通過焊接金屬B與硅片A連接，所述硅片A、焊接金屬A、焊接金屬B和兩電極引線均設于鈍化玻璃內，且電極引線的一端延伸到鈍化玻璃外。二極管的核心PN結是在電極引線與管芯的燒焊過程中同步獲得的，避免了PN結因高溫工藝進行了重新分布，最終導致二極管電壓大幅提高的問題，避免了傳統二極管因管芯PN結結深太淺，燒焊時焊接金屬穿越PN結，導致PN結短路的問題，可以制造6V以下的玻璃鈍化實體封裝二極管。
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本發明公開了一種免清洗混合集成電路焊接方法，該方法是采用不含助焊劑的全固態預制合金焊料片取代原先的膏狀焊料，在充滿氮氣且溫度可控的環境下，采用兩種不同熔點的合金焊料分步進行芯片、基片電路、基座的相互焊接，不會對基座、基片電路和芯片造成污染，產品焊接后可直接進行鍵合、封裝，實現免清洗焊接。本方法產品焊接后可直接進行鍵合、封裝，避免焊接后的清洗、清洗劑的使用和排放，節省時間提高效率。采用這種工藝焊接的產品，焊接強度較膏狀焊料更高，產品能經受恒定加速度試驗不脫落，遠高于國家軍用標準規定的要求；適用于焊接面為可焊金屬介質的外殼、基片電路和帶背面金屬化半導體芯片、無源元件的混合集成電路的組裝焊接。
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本發明提供了一種超薄鉭電容器陽極鉭芯，包括箔片和鉭層，所述箔片為片狀結構，所述箔片的至少一個側面上設置有鉭層，所述鉭層與箔片連成一體。本發明采用箔片和鉭層結合的結構使陽極鉭芯可以做成任意形狀的薄片狀，采用印刷工藝制備陽極鉭芯，大大減小了陽極鉭芯的厚度，對陽極鉭芯進行低溫干燥處理、去粘合劑處理、高溫燒結后使薄片狀的陽極鉭芯滿足設計要求，陽極鉭芯最小厚度可達到幾十個微米，使最終制成的鉭電容器的厚度大大縮小，更適合現代元器件對薄型化的需求。
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本發明公開了一種煉鋼粉塵綜合利用回收鋅的方法，是將煉鋼粉塵與還原劑、添加劑進行混合后，壓制成球團，送入真空碳管爐中進行真空焙燒，獲得氣態單質鋅揮發物，其經過冷凝收集器后冷凝成固體，收集該固體獲得高純度鋅錠。本申請方法促進了煉鋼粉塵中鋅的還原，實現了對煉鋼粉塵的回收利用，獲得了高品質鋅錠，降低了煉鋼粉塵處理過程中真空條件控制時的能耗，且工藝簡單，操作簡便，真空還原能夠有效蒸發煉鋼粉塵中的鋅，達到冷凝收集單質鋅的目的，使得煉鋼粉塵中鋅的回收率高達97.76％，并有效解決了現有技術中對含鋅煉鋼粉塵處理時存在的成本較高、污染重、能耗高、三廢產出量大的問題，最終實現了廢料循環利用的目的。
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2025年07月09日 ~ 11日 
