直流低功耗納米級半導體電伴熱膜片

權利要求 1.一種直流低功耗納米級半導體電伴熱膜片，包括制備發(fā)熱層，制備電極層，在發(fā)熱層和電極層之間添加隔熱緩沖層制成電伴熱膜片，其特征在于，所述直流低功耗納米級半導體電伴熱膜片具體制備步驟如下： 步驟一、將有機半導體材料與納米銀顆粒復合制成納米-有機半導體墨水，通過(guò)噴墨打印機將納米-有機半導體墨水噴涂在基底表面制成發(fā)熱層; 步驟二、通過(guò)具有溝槽圖案的模具在發(fā)熱層基面上蝕刻出微納溝槽; 步驟三、使用鈦、二氧化錳和金三種材料進(jìn)行順序沉積制備出分層復合電極層，并在各電子級層之間界面處理，增強各電子極層之間的結合力和電荷傳輸性能; 步驟四、使用納米-有機半導體材料制備具有中空結構的復合纖維; 步驟五、使用交織法將兩種不同性質(zhì)的纖維束交織制成隔熱緩沖層; 步驟六、將發(fā)熱層、電極層與隔熱緩沖層組裝成電伴熱膜片，并進(jìn)行性能測試和質(zhì)量檢驗，對合格的電伴熱膜片進(jìn)行包裝。 2.根據權利要求1所述的一種直流低功耗納米級半導體電伴熱膜片，其特征在于：所述步驟一中，將納米銀顆粒分散在十二烷基硫酸鈉溶液中制備出納米銀顆粒分散液，十二烷基硫酸鈉的濃度設置為納米銀顆粒質(zhì)量的1%-5%，準備純度為99%的3-己基噻吩單體，在氮氣保護下將3-己基噻吩單體溶解在無(wú)水氯仿中，制成0.1mol/L-0.5mol/L的溶液，再向溶液中加入三氯化鐵引發(fā)劑，三氯化鐵與3-己基噻吩單體的摩爾比設置為0.01-0.1，在0℃-5℃的溫度下以60r/min-100r/min的速率攪拌24h-48h得到混合溶液，再將納米銀顆粒分散液加入混合溶液中，使用超聲波分散儀以30kHz-50kHz的頻率下分散30min-60min得到納米-有機半導體墨水。 3.根據權利要求2所述的一種直流低功耗納米級半導體電伴熱膜片，其特征在于：所述步驟一中，使用聚酰亞胺聚合物作為電伴熱膜片的基底材料，將納米-有機半導體墨水裝入噴墨打印機的墨盒中，使用噴頭將納米-有機半導體墨水噴涂在基底表面形成圖案，噴頭的噴射頻率設置為1kHz-10kHz，噴頭與基底的距離設置為0.1mm-1mm，在基底表面噴涂上厚度為100um-500um的納米-有機半導體墨水，將噴涂有納米-有機半導體墨水的基底加入干燥箱中進(jìn)行干燥，干燥溫度設置為60℃-100℃，干燥時(shí)間設置為10min-30min，制成電伴熱膜片中的發(fā)熱層。 4.根據權利要求3所述的