浙江杭州有色金屬真空冶金技術(shù)理論與應用

晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法 1083     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法。其步驟為:1)主相合金采用鑄造工藝制成釹鐵硼鑄錠合金或采用速凝薄片工藝制成釹鐵硼速凝薄片,晶界相合金采用鑄造工藝制成鑄錠合金或速凝薄片工藝制成速凝薄片或快淬工藝制成快淬帶;2)將主相合金和晶界相合金分別制粉;3)添加納米氮化硅到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁場(chǎng)中壓制成型;5)燒結爐內制成燒結磁體。該發(fā)明制得的燒結釹鐵硼工作溫度和耐蝕性比雙合金工藝但不添加納米氮化硅制得的磁體工作溫度和耐蝕性高,也比單合金法制得的磁體工作溫度和耐蝕性高。因此,通過(guò)本發(fā)明可以制備出高工作溫度和耐蝕性的燒結釹鐵硼。

超低退磁率高溫用釤鈷永磁材料及其制備方法 1176     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種超低退磁率高溫用釤鈷永磁材料及其制備方法，所述釤鈷永磁材料的化學(xué)原子計量式為Sm(Co_1?x?y?vFe_xCu_yZr_v)_z，其中x=0.09~0.13，y=0.12~0.18，v=0.033~0.04，z=7.69~8.3；z為過(guò)渡族元素Co、Fe、Cu和Zr的總原子量與稀土元素Sm的原子量之比。本申請制備得到的釤鈷永磁材料的耐高溫性能好，在使用溫度高達500℃下，具有極低的退磁率。

高導電銀基復合材料的原料配方及制備方法 909     

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本發(fā)明涉及金屬基復合材料技術(shù)，旨在提供一種高導電銀基復合材料的原料配方及制備方法。該原料配方是由重量百分含量計算的下述組分組成：銀粉80～88％、炭黑粉體1～18％、納米氧化銅粉體1～10％、納米碳化鈦0.5～10％、分散劑0.1～2％。采用本發(fā)明方法制備獲得的高導電銀基復合材料，由于含有導電性能優(yōu)異的增強相材料和微觀(guān)導電通道，其電阻率最低可達1.9μΩ·cm，延伸率達22％以上。本發(fā)明不會(huì )對環(huán)境造成污染，工藝簡(jiǎn)單、成本較低。與現有技術(shù)中研究和使用最多的環(huán)保型銀金屬氧化物相比，在達到同等性能的條件下，可顯著(zhù)降低銀的使用量，以節約貴金屬資源。

氧化釓镥透明陶瓷閃爍體的制備方法 932     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化釓镥透明陶瓷閃爍體的制備方法。用甘氨酸作為燃 燒劑的燃燒法制備Gd2(1-x-y)Lu2xEu2yO3陶瓷粉體，采用干粉壓制，然后在真空或 還原氣氛中無(wú)壓燒結，燒結溫度為1600-1900℃，便可獲得透明的 Gd2(1-x-y)Lu2xEu2yO3陶瓷閃爍體。該陶瓷閃爍材料在紫外光激發(fā)或X射線(xiàn)激發(fā)下 發(fā)出紅光，可用于醫學(xué)和工業(yè)X射線(xiàn)成像、探測的閃爍材料。

高延伸率銀基電接觸材料及其制備方法 758     

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本發(fā)明涉及金屬基復合材料技術(shù)，旨在提供一種高延伸率銀基電接觸材料及其制備方法。該原料配方是由重量百分含量計算的下述組分組成：銀粉84～88％、碳化硅晶須1～8％、銅纖維2～6％、納米二氧化硅溶膠1～12.9％、表面改性劑0.1～1％。本發(fā)明通過(guò)納米二氧化硅溶膠改性，在銀基體中形成連續網(wǎng)絡(luò )結構，充分發(fā)揮了碳化硅晶須和銅纖維的優(yōu)良性質(zhì)，提高了銀基電接觸材料的延伸率、電導率和抗拉強度，進(jìn)而彌補了現有環(huán)保型銀基電接觸材料可加工性能差、電阻率高等不足。本發(fā)明的制備過(guò)程環(huán)保、操作簡(jiǎn)單、成本較低。在達到同等性能的條件下，可以降低電接觸材料中銀的使用量，從而節約貴金屬資源。

超低功耗、高直流偏置磁芯及其制備方法、應用 1020     

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本發(fā)明屬于電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種超低功耗、高直流偏置磁芯，包括非磁性絕緣基體和分散于非磁性絕緣基體中的磁性納米顆粒。本發(fā)明的超低功耗、高直流偏置磁芯，由磁性納米顆粒分散在非磁性絕緣基體中形成；非磁性絕緣基體能有效阻止電子傳導，顯著(zhù)降低渦流損耗；同時(shí)超順磁性納米粒顆具有線(xiàn)性磁化曲線(xiàn)，具有優(yōu)異的抗直流偏置特性。

太陽(yáng)光全波段光催化復合材料及其制備方法 788     

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本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)光全波段光催化復合材料及其制備方法，該材料為納米TiO₂/VS₄復合材料。本發(fā)明方法為一步水熱合成直接得到產(chǎn)物的制備方法，具有操作簡(jiǎn)單、環(huán)境友好、耗能低等優(yōu)點(diǎn)；本發(fā)明的復合材料是VS₄包覆TiO₂核殼結構的光催化劑，可以抑制光生電子?空穴的快速復合，提高光催化效率；同時(shí)綜合TiO₂具有優(yōu)異的紫外光催化效果和VS₄具有優(yōu)異的可見(jiàn)與近紅外光催化效果，使復合材料最大限度的利用從紫外光到近紅外光的太陽(yáng)光全波段進(jìn)行光催化，對于促進(jìn)自然太陽(yáng)光光催化技術(shù)應用，緩解能源危機以及加強環(huán)境治理具有重要的意義。

超高矯頑力燒結釹鐵硼磁體及其制備方法 1021     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種超高矯頑力燒結釹鐵硼磁體及其制備方法，它包括主相和晶界添加相，所述的主相包括低HA主合金和高HA主合金。本發(fā)明采用高磁晶各向異性場(chǎng)HA和低HA兩種主合金作為主相在燒結及熱處理過(guò)程中使重稀土元素從高HA相向低HA相擴散實(shí)現矯頑力的初步提高；同時(shí)可控制合金成分及制備工藝，提高磁體中Nd2Fe14B相的含量，保證磁體具有高的磁能積。而晶界添加相能夠進(jìn)一步實(shí)現晶粒表面磁硬化提高矯頑力，并優(yōu)化顯微結構，進(jìn)一步提高矯頑力。本方法兼具傳統雙合金法及單合金晶界添加法的優(yōu)點(diǎn)，提供一種操作簡(jiǎn)單，適用于大批量生產(chǎn)超高矯頑力高剩磁燒結釹鐵硼磁體的方法。

復合材料制備方法、電池正極、電池及其制備方法 748     

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本發(fā)明涉及電池領(lǐng)域，特別涉及一種復合材料制備方法、電池正極、電池及其制備方法。所述復合材料制備方法、電池正極、電池及其制備方法，包括以下步驟：將富鋰材料與鎳鈷錳酸鋰材料混合得到混合物，其中，所述富鋰材料質(zhì)量占比50％?80％，所述鎳鈷錳酸鋰材料質(zhì)量占比20％?50％；向所述混合物中加入硝酸，加熱并保溫；加入檸檬酸，靜置；干燥；分段燒結，得到所述富鋰?鎳鈷錳酸鋰復合材料。本發(fā)明采用富鋰材料與鎳鈷錳酸鋰材料復合的技術(shù)，使用兩種材料復合后，結合了兩種材料的優(yōu)點(diǎn)，制造的動(dòng)力電池比能量高，循環(huán)壽命好；本發(fā)明所采用的復合材料制備方法制備環(huán)境無(wú)須十分苛刻，生產(chǎn)制造更簡(jiǎn)單。

稀土配合物晶界改性燒結釹鐵硼磁體的制備方法 1063     

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本發(fā)明公開(kāi)的稀土配合物晶界改性燒結釹鐵硼磁體的制備方法,包括以下步驟:制備釹鐵硼合金顆粒,將釹鐵硼合金顆粒破碎成粉,同時(shí)注入抗氧化劑;以噴霧的方式將稀土配合物和汽油的混合液體射入釹鐵硼粉料,混合均勻;混料于磁取向壓制成毛坯磁體,燒結。本發(fā)明以噴霧方式添加稀土配合物和汽油的混合物,能有效阻止顆粒與氧氣接觸,降低磁體制備過(guò)程中吸氧量,提高燒結磁體的磁性能。本發(fā)明采用稀土配合物添加,燒結后稀土配合物分解殘留的稀土產(chǎn)物主要位于晶界處,制備的燒結釹鐵硼磁體比常規的燒結釹鐵硼磁體具有更高的矯頑力值和更低的溫度系數,而且工藝簡(jiǎn)單,易操作,適合于批量化生產(chǎn)。

太陽(yáng)光全波段光催化復合薄膜及其制備方法 910     

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本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)光全波段光催化復合薄膜及其制備方法，該薄膜為多層納米TiO₂/VS₄復合薄膜。本發(fā)明方法制得的多層薄膜能夠牢固的結合為一個(gè)整體并具有大的比表面積，該復合薄膜是多層TiO₂/VS₄薄膜結構的光催化劑，可以抑制光生電子?空穴的快速復合，提高光催化效率，同時(shí)綜合TiO₂具有優(yōu)異的紫外光催化效果和VS₄具有優(yōu)異的可見(jiàn)與近紅外光催化效果，使復合材料最大限度的利用從紫外光到近紅外光的太陽(yáng)光全波段進(jìn)行光催化，對于促進(jìn)自然太陽(yáng)光光催化技術(shù)應用，緩解能源危機以及加強環(huán)境治理具有重要的意義。

太陽(yáng)光全波段光催化納米陣列及其制備方法 1196     

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本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)光全波段光催化納米陣列及其制備方法，該光催化納米陣列為納米VS₄填充TiO₂納米管陣列。本發(fā)明方法制得的光催化納米陣列牢固附著(zhù)在鈦基片上，可方便回收并循環(huán)使用，克服了傳統的粉體光催化劑回收困難的問(wèn)題；該光催化納米陣列是納米VS₄填充TiO₂納米管陣列結構，可以抑制光生電子?空穴的快速復合，提高光催化效率；同時(shí)綜合TiO₂具有優(yōu)異的紫外光催化效果和VS₄具有優(yōu)異的可見(jiàn)與近紅外光催化效果，使納米陣列最大限度的利用從紫外光到近紅外光的太陽(yáng)光全波段進(jìn)行光催化，對于促進(jìn)自然太陽(yáng)光光催化技術(shù)應用，緩解能源危機以及加強環(huán)境治理具有重要的意義。

石油伴生氣處理工藝 1207     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種石油伴生氣處理工藝，屬于石油伴生氣處理技術(shù)領(lǐng)域，所述處理工藝包括以下步驟：伴生氣壓縮步驟、干燥步驟、氨預冷步驟、膨脹機制冷步驟、產(chǎn)品分餾步驟、干氣發(fā)電步驟，所述干燥步驟采用復合膜干燥脫水，所述復合膜是由不銹鋼纖維和玻璃纖維混合編織成網(wǎng)狀底層膜，再經(jīng)過(guò)薄膜壓坯后燒制成型的雙層復合膜；本發(fā)明是將石油伴生氣處理后用于干氣發(fā)電，伴生氣處理工藝操作簡(jiǎn)單，工藝步驟簡(jiǎn)潔，并且采用膜干燥技術(shù)脫水，脫水速度快，氣體透過(guò)量高，不會(huì )產(chǎn)生粉塵造成二次污染。

不含重稀土元素的低矯頑力溫度系數高溫用釤鈷永磁材料及制備方法 737     

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本發(fā)明涉及釤鈷永磁材料領(lǐng)域，公開(kāi)了一種不含重稀土元素的低矯頑力溫度系數高溫用釤鈷永磁材料及制備方法，釤鈷永磁材料的表達式為：Sm(Co_1?x?y?vFe_xCu_yZr_v)_z，其中x=0.08~0.13，y=0.1~0.18，v=0.03~0.04，z=6.30~6.89；z為過(guò)渡族元素Co、Fe、Cu、Zr與稀土元素Sm的原子比。本發(fā)明通過(guò)優(yōu)化釤鈷永磁的合金配比及優(yōu)化制備工藝（尤其是燒結及時(shí)效工藝），最終制備出具有低矯頑力溫度系數和高溫磁性能穩定性，且使用溫度高達500℃的釤鈷永磁材料，可滿(mǎn)足高溫高精度的使用要求，彌補了市場(chǎng)空白。

利用混合稀土MM制備的低成本永磁體及其制備方法 901     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種利用混合稀土MM制備的低成本永磁體及制備方法。磁體原子分數通式為MMxNdy(Fe1-zMz)100-x-y-wBw，MM是混合稀土金屬，成分為Ce>48%，La:20~35%，Nd:10~20%，Pr:4~7%，其余為Fe、Si、S等，M為Nb、V、Ti、Co、Cr、Mo、Mn、Ni、Ga、Zr、Ta、Ag、Au、Al、Pb、Cu、Si中的一種或幾種，14.5≤x+y≤17.5、1/3≤x/y≤1、0.1≤z≤5、5≤w≤8.5。本發(fā)明提供的磁體利用低成本MM部分取代Nd，同時(shí)配合晶界改進(jìn)元素和難溶元素摻雜Fe，在保障一定磁性能的同時(shí)降低成本滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。

制備氮化鋁粉體的新混料工藝 1075     

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本發(fā)明公開(kāi)一種制備氮化鋁粉體的新混料工藝。本發(fā)明采用Al(OH)₃和C為原料，通過(guò)加入一定量的PVB和一定量的乙醇，攪拌混合至粘稠狀態(tài)，然后放入三輥機中研磨，得到混合均勻有一定粘性的粘稠漿料，再將該粘稠漿料放入烘箱中烘干，再經(jīng)碳熱還原反應合成氮化鋁與碳的混合物，混合物經(jīng)脫碳得到氮化鋁粉體。本發(fā)明三輥法配合pvb漿料混料可以快速將粉體混合均勻，提高生產(chǎn)效率，減少粉塵污染。

錫負極材料的制備方法 894     

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本發(fā)明涉及一種錫負極材料的制備方法，以二維材料為載體,以可溶性雙金屬鹽為原料，水解共沉積、干燥、燒結、高溫還原，制備錫負極材料；二維材料為T(mén)i₃C₂,MoNb₂SnC₂,Ti₂C,Ti₃CN,Nb₂C,Nb₄C₃,(Ti_0.5Nb_0.5)₂C,(V_0.5Cr_0.5)₃C₂的一種或多種；雙金屬鹽包括可溶性的錫鹽和輔助金屬鹽；錫源為氯化錫、氯化亞錫、硝酸亞錫、磺酸錫、甲基磺酸錫、乙基磺酸錫的一種；輔助金屬鹽為鎳、銅、銀、鐵、鈷、銻的可溶性氯鹽、硝酸鹽、醋酸鹽、硫酸鹽、溴鹽的一種；輔助金屬與錫的摩爾比為0.05～1.5；二維材料與錫的質(zhì)量比0.1～10；該負極材料具有很好的電化學(xué)性能，在鋰離子電池領(lǐng)域具有很好的應用前景。

反應器的時(shí)序控制方法、系統、裝置及設備 1142     

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本申請提供了一種反應器的時(shí)序控制方法、系統、裝置及設備，涉及化學(xué)反應控制技術(shù)領(lǐng)域。該方法通過(guò)獲取每個(gè)反應器中丙烷脫氫反應所處的第一反應步驟的計時(shí)時(shí)長(cháng)；若第一反應步驟的計時(shí)時(shí)長(cháng)，達到第一反應步驟的預設時(shí)長(cháng)，則控制多個(gè)閥門(mén)從第一反應步驟的閥門(mén)狀態(tài)切換至第二反應步驟的閥門(mén)狀態(tài)。從而時(shí)序控制了每個(gè)反應器中各個(gè)步驟進(jìn)行，也可以控制多個(gè)反應器時(shí)序反應，保持時(shí)序控制系統的平穩產(chǎn)出；并通過(guò)邏輯控制程序使得反應器的時(shí)序控制系統模塊化，方便調試，復用性強。

高溫釤鈷永磁材料的制備方法 939     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種高溫釤鈷永磁材料的制備方法，步驟如下：釤鈷永磁材料首先按照Sm(Co_1?u?v?wCu_uFe_vZr_w)_z進(jìn)行配料，其中u=0.082?0.088,v=0.093?0.143，w=0.027?0.028和z=6.2?6.5；隨后將配得的原材料置入真空感應熔煉爐進(jìn)行熔煉，得到成分均勻的合金錠；后將合金錠經(jīng)過(guò)氣流磨破碎得到粒度SDM=3.2?3.8μm范圍內的合金粉末；接著(zhù)將粉末經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)取向壓制和等靜壓得到生坯；最后將生坯進(jìn)行多段式燒結、固溶和時(shí)效處理。發(fā)明在不添加微量元素(Mn和Er等)的前提下通過(guò)金屬釤、金屬鈷、金屬銅、金屬鐵和金屬鋯五種金屬的組合解決2:17型釤鈷永磁500℃下耐高溫的問(wèn)題。

太陽(yáng)光全波段TiO₂/VS₄光催化劑的制備方法 740     

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本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)光全波段TiO₂/VS₄光催化劑的制備方法，本發(fā)明方法制得的光催化劑牢固附著(zhù)在鋁基片上，可方便回收并循環(huán)使用，克服了傳統的粉體光催化劑回收困難的問(wèn)題；該光催化劑是納米VS₄包覆TiO₂納米線(xiàn)陣列結構，可以抑制光生電子?空穴的快速復合，提高光催化效率；同時(shí)綜合TiO₂具有優(yōu)異的紫外光催化效果和VS₄具有優(yōu)異的可見(jiàn)與近紅外光催化效果，使納米陣列最大限度的利用從紫外光到近紅外光的太陽(yáng)光全波段進(jìn)行光催化，對于促進(jìn)自然太陽(yáng)光光催化技術(shù)應用，緩解能源危機以及加強環(huán)境治理具有重要的意義。

立方相、巖鹽礦結構的Zn1-xMnxO晶體薄膜及其制備工藝 845     

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本發(fā)明的立方相、巖鹽礦結構Zn1－xMnxO薄膜及其制備工藝，屬于氧化物稀磁半導體薄膜的制備技術(shù)領(lǐng)域，其特征是采用電子束反應蒸發(fā)法，利用MnO的含量相對較高的(MnO)y(ZnO)1－y(y為摩爾比，y＝0.2～0.3)陶瓷靶作為蒸發(fā)源，以高純度的Ar/O2混合氣為反應氣體，在石英玻璃襯底上制備出Mn含量x(x為原子個(gè)數比)在0.6～1.0范圍、光學(xué)帶隙在4.5～5.7eV范圍內連續可調、厚度在200～1000nm范圍、具有立方相、巖鹽礦結構的Zn1－xMnxO薄膜。

通過(guò)1:2相提高混合稀土永磁材料抗蝕性的多元晶界重構方法 1153     

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本發(fā)明公開(kāi)一種通過(guò)1:2相提高混合稀土永磁材料抗蝕性的多元晶界重構方法。本發(fā)明使用多合金工藝，其中主合金富Ce，輔合金為稀土氫化物和稀土金屬多元合金，旨在通過(guò)多元晶界重構方法，在燒結和熱處理過(guò)程中形成高化學(xué)穩定性的1:2晶界相，取代低化學(xué)穩定性的傳統富稀土晶界相，提高混合稀土永磁材料的抗蝕性。本發(fā)明提供了一種適用于低成本混合稀土永磁材料的多元晶界重構方法，充分利用不同稀土元素的擴散和偏析行為，在大幅降低原材料成本的同時(shí)，解決了長(cháng)期以來(lái)混合稀土永磁材料的低抗蝕性難題。

高透氣型富離子纖維化纖板的制備方法 1004     

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本發(fā)明涉及一種高透氣型富離子纖維板的制備方法,所述纖維化纖板的制備工藝如下：將負離子/竹質(zhì)活性炭復合材料25-35重量份，去離子水15-25重量份，充分攪拌均勻，然后再加入45-55重量份乳液樹(shù)脂，混合攪拌25-35min，使其制成的漿料充分混合均勻，再將無(wú)紡布經(jīng)浸膠槽凈軋后經(jīng)過(guò)175-185℃烘干拉幅定型，然后冷卻定型即可；本發(fā)明的高透氣型富負離子纖維化纖板由于含有有機膨潤土，可以顯著(zhù)改善抗老化性能，不容易被剝離，用于鞋或箱包加工時(shí)品質(zhì)高。

高性能粉末燒結鋁鎳鈷磁性材料及其制備方法 1141     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種高性能粉末燒結鋁鎳鈷磁性材料及其制備方法，按照質(zhì)量百分含量計，高性能粉末燒結鋁鎳鈷磁性材料包括以下成分：Al:5?7wt％，Ni:12?14wt％，Cu:3?4wt％，Co:36?38wt％，Nb:0.5?0.8wt％，Ti:5.5?7wt％，其余為Fe。本發(fā)明充分考慮到了各組成合金的硬度及熔點(diǎn)特性，通過(guò)調節合金的組成及粒度，退火改善硬度，適配出熔點(diǎn)接近、硬度適中的合金組份，利于后道快速制粉以及燒結過(guò)程中形成眾多的粗大晶粒，提升磁性能；并且本發(fā)明充分利用了合金較單質(zhì)穩定的特點(diǎn)，尤其是Al類(lèi)合金，提升了Al含量的穩定性，取消了氫氣還原，降低了生產(chǎn)成本。

補鈷型高鎳低鈷三元正極材料的制備方法及應用 1020     

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本發(fā)明涉及鋰離子電池領(lǐng)域，本發(fā)明公開(kāi)了一種補鈷型高鎳低鈷三元正極材料的制備方法及應用，將納米級鈷的化合物與高鎳低鈷三元正極材料攪拌混合后，于高溫下燒結得到補鈷型高鎳低鈷三元正極材料；所述高鎳低鈷三元正極材料為L(cháng)i(NixCoyMn1?x?y)O2，0.7≤x≤0.9，0

釤鈷磁體的制備工藝 980     

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本發(fā)明提供了一種釤鈷磁體的制備工藝，包括：合金熔煉、鑄錠、制粉、成型、燒結及回火；其中，將經(jīng)過(guò)冷等靜壓得到的成型毛坯塊先用金屬皮包裹后再進(jìn)行后續的燒結工藝，待燒結爐內溫度降低至100℃以下時(shí)，風(fēng)冷至常溫，去掉金屬皮，進(jìn)行回火即可得到產(chǎn)品。本發(fā)明通過(guò)將成型工藝中得到的生坯先用金屬皮進(jìn)行包裹后進(jìn)行燒結，提高了傳溫速率，使生坯受熱均勻，并能有效阻擋燒結爐外的有害氣體，燒結氣氛好；同時(shí)，用金屬皮包裹毛坯塊，可以有效減輕磁體與磁體，磁體與料盒間的摩擦和碰撞，磁體的磕邊和碰角概率明顯降低，合格率得到了較大幅度的提高；此外，金屬皮可重復利用，適于工業(yè)化應用。

高膝點(diǎn)矯頑力釤鈷材料及其制備方法 1001     

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本發(fā)明提供了一種高膝點(diǎn)矯頑力釤鈷材料及其制備方法，釤鈷材料配料組成為:Sm(24.5?27)份；Co(48?52)份；Cu(4.5?6.5)份；Zr(2.5?3.3)份；Nb(0.03?0.9)份；Fe(14.5?17.5)份。本發(fā)明的釤鈷磁體是以2:17型的釤鈷磁體為基礎，通過(guò)在現有基礎中加入Nb元素，增大了磁疇轉動(dòng)或移動(dòng)的阻力，能使2:17型SmCo主相保持穩定，并且Nb元素能細化晶粒，減小晶粒尺寸從而增加各向異性和矯頑力。

納米硅復合顆粒、負極片和固體鋰電池 1165     

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本發(fā)明涉及電池材料技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種納米硅復合顆粒、負極片和固體鋰電池，所述納米硅復合顆粒為N?P?COF?GO修飾的納米硅復合顆粒，COF和GO負載在硅納米粒子表面，N和P共摻雜于COF、GO內部；將硅納米粒子、磷源材料、氮源材料、氧化石墨烯分散在有機溶劑中，采用溶劑熱法合成N?P?COF?GO修飾的納米硅復合顆粒；所述負極片及固體鋰電池為利用所述納米硅復合顆粒制得。本發(fā)明克服了硅材料在持續的充放電中顯著(zhù)的體積膨脹和表面SEI層持續增長(cháng)的弊端，實(shí)現鋰離子的快速傳輸和儲存，并且利用該納米硅復合顆粒制備的負極片及固體鋰電池具有更低的交流阻抗，更高的放電容量和循環(huán)性能。

超親鋰高穩定的金屬鋰復合負極片及電池 1041     

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本發(fā)明涉及電池負極材料技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種超親鋰高穩定的金屬鋰復合負極片，包括上層和下層，所述上層包括鎳納米粒子修飾的三維多孔集流體和沉積于其內部及表面的金屬鋰；所述下層包括硫化物固體電解質(zhì)；所述硫化物固體電解質(zhì)包括Li6PS5Br、Li6PS5Cl或Li6PS5I。本發(fā)明中的鎳納米粒子修飾的三維多孔集流體通過(guò)提供更大的電活性表面積來(lái)降低局部電流密度，有效調節鋰沉積和鋰枝晶的生長(cháng)，提高與金屬鋰的親和性和分布均勻性；硫化物固體電解質(zhì)抑制金屬鋰復合負極與固體電解質(zhì)之間的副反應，延長(cháng)金屬鋰復合負極的循環(huán)壽命，提高電池的電化學(xué)性能。

納米改性金屬陶瓷刀具材料及其制備方法 845     

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本發(fā)明涉及金屬陶瓷材料領(lǐng)域，為解決現有技術(shù)下金屬陶瓷刀具材料制備成本較高，韌性較低的問(wèn)題，公開(kāi)了一種納米改性金屬陶瓷刀具材料，以重量份計，包括如下組分：30～40份Ti(C0.5,N0.5)粉、12～18份TiC納米顆粒、5～12份WC納米顆粒、9～15份Ni粉、5～8份Mo粉、3～7份FeAl粉、0.5~1份MoB納米顆粒和0.3~0.5份C粉。該材料質(zhì)地均勻、致密，硬度高，韌性好，在高溫下有較好的力學(xué)性能，可提高高速切削的加工質(zhì)量。制備方法簡(jiǎn)單，設備要求低，制備效率高。