本發明的立方相、巖鹽礦結構Zn1-xMnxO薄膜及其制備工藝,屬于氧化物稀磁半導體薄膜的制備技術領域,其特征是采用電子束反應蒸發法,利用MnO的含量相對較高的(MnO)y(ZnO)1-y(y為摩爾比,y=0.2~0.3)陶瓷靶作為蒸發源,以高純度的Ar/O2混合氣為反應氣體,在石英玻璃襯底上制備出Mn含量x(x為原子個數比)在0.6~1.0范圍、光學帶隙在4.5~5.7eV范圍內連續可調、厚度在200~1000nm范圍、具有立方相、巖鹽礦結構的Zn1-xMnxO薄膜。
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