本發(fā)明的立方相、巖鹽礦結構Zn1-xMnxO薄膜及其制備工藝,屬于氧化物稀磁半導體薄膜的制備技術(shù)領(lǐng)域,其特征是采用電子束反應蒸發(fā)法,利用MnO的含量相對較高的(MnO)y(ZnO)1-y(y為摩爾比,y=0.2~0.3)陶瓷靶作為蒸發(fā)源,以高純度的Ar/O2混合氣為反應氣體,在石英玻璃襯底上制備出Mn含量x(x為原子個(gè)數比)在0.6~1.0范圍、光學(xué)帶隙在4.5~5.7eV范圍內連續可調、厚度在200~1000nm范圍、具有立方相、巖鹽礦結構的Zn1-xMnxO薄膜。
聲明:
“立方相、巖鹽礦結構的Zn1-xMnxO晶體薄膜及其制備工藝” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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