本發明涉及一種高純度、高密度CuS網絡狀納米結構的制備方法,屬于材料制備技術領域。本發明采用雙溫區真空管式爐,以硫粉為蒸發源,在真空環境中、在載氣保護下,通過低溫熱蒸發的方法,在Cu箔上合成和生長CuS網絡狀納米結構,包括CuS針狀晶、墻狀晶和薄片狀晶等的網絡狀納米結構。該方法具有制備嚴格可控、設備和工藝簡單、產品收率高、產量大、密度高、純度高、成本低廉等優點,且無需使用任何催化劑。這類納米結構材料可望在光催化劑、太陽能電池、鋰離子電池等方面獲得廣泛應用。
聲明:
“高純度高密度CuS網絡狀納米結構的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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