本發明提供一種雙向導通槽柵功率MOS器件結構及其制造方法,在硅片表面形成柵極、源極和漏極,實現雙向導通雙向耐壓的功率MOS器件,可用于鋰電池BMS防護等應用環境下。相比于傳統BMS中采用雙管串聯的方式以及其他實現雙向導通的結構,本發明提出的器件結構具有以下優點:第一,本發明提出的器件僅需要占據傳統方式一半甚至更小的面積,極大地提高了集成度;第二,本發明所提出的器件結構制造工藝簡單且制造成本也不高,降低了工藝制造上的問題;第三,本發明所提出的器件結構漏極和源極可以對換,實現上真正意義上的對稱結構和雙向導通雙向耐壓;第四,本發明所提出的器件結構由于漏極、源極和柵極均在硅片表面,因此易于集成,增加了應用環境。
聲明:
“雙向導通槽柵功率MOS器件結構及制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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