本發明涉及一種分步加熱制備硅基三維納米結構的方法,使用兩個內徑不同的中空石墨坩堝,使得兩個坩堝相互嵌套,其中一個石墨坩堝放置硅源,另一個石墨坩堝放置鍍鐵的硅片作為基底,并將兩個坩堝放置在適當位置;迅速將溫度升高至950攝氏度,保持溫度5分鐘后降低感應爐功率,使溫度在數秒內下降至850攝氏度左右,繼續保持5分鐘后關閉電源。在硅片基底上可以得到三維納米結構,具體為較粗的硅納米線構成三維結構的骨架,在骨架間隙內填充有極細的硅納米絲狀物。所得材料具有較大的比表面積和牢固的三維骨架,因此在鋰電池和高性能傳感器中有較好的應用。
聲明:
“分步加熱制備硅基三維納米結構的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)