披露了p型半導體氧化鋅(ZnO)薄膜和制備所述薄膜的方法。所述薄膜是用磷(P)和鋰(Li)共摻雜的。披露了用于生成所述薄膜的脈沖激光沉積方法。還披露了使用透明基片的脈沖激光沉積方法,它包括脈沖激光源,在脈沖激光波長下透明的基片,以及多靶系統。脈沖激光的光程是這樣設置的,使得脈沖激光從基片的背面入射,穿過基片,然后聚焦在靶上。通過向著靶平移基片,這種幾何設置能夠利用燒蝕羽流的根部沉積小結構,它在通過三維絕熱膨脹加寬羽流的角寬度前,可以沿靶表面法線存在于一維過渡階段。這可以提供小的沉積結構尺寸,該尺寸可以類似于激光焦斑的尺寸,并且提供一種用于直接沉積圖案化材料的新方法。
聲明:
“P型半導體氧化鋅薄膜,其制備方法,和使用透明基片的脈沖激光沉積方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)