本發明公開了一種片上集成倍頻器件及其制備方法,其中片上集成倍頻器件包括:鈮酸鋰襯底;導電金屬層,設置在所述鈮酸鋰襯底上;二氧化硅層,設置在所述導電金屬層上;啁啾極化鈮酸鋰薄膜層,設置在所述二氧化硅層上,包括多個依次排列且長度不等的疇結構,多個疇結構中相鄰疇的極化方向相反,所述多個疇結構提供的寬帶倒格矢對入射飛秒脈沖激光的倍頻過程中的相位失配進行補償。本發明通過將準相位匹配技術和啁啾調制技術引入片上鈮酸鋰薄膜,可以在片上集成器件中實現寬帶頻譜范圍的高效倍頻。本發明可廣泛應用于集成光子學領域。
聲明:
“片上集成倍頻器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)