權利要求
1.一種太陽電池，其特征在于，包括：
硅基底;
半導體層，所述半導體層設于所述硅基底的表面;
圖形化的第一鈍化層，所述第一鈍化層設于所述半導體層背離所述硅基底一側;
透明導電層，所述透明導電層的材料為透明導電化合物，所述透明導電層包括第一透明導電子層和第二透明導電子層，所述第一透明導電子層設于所述半導體層背離所述硅基底的表面，且所述第一透明導電子層填充于所述第一鈍化層的圖形化區域未覆蓋的鏤空區域中，所述第二透明導電子層覆蓋所述第一透明導電子層和所述第一鈍化層背離所述硅基底的表面，所述第二透明導電子層的寬度為150μm～400μm;
銅柵線，所述銅柵線設于所述透明導電層背離所述半導體層的一面，所述銅柵線的寬度為5μm～100μm。
2.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述銅柵線的寬度為5μm～20μm。
3.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述透明導電層的透光率大于等于85%，方阻為50Ω/□～200Ω/□;和/或，所述透明導電化合物為摻錫氧化銦、摻鈦氧化銦、摻鋅氧化銦、氧化鋅鋁、摻鋁氧化鈮、鋁酸鑭和摻氟氧化錫中的一種或多種組合。
4.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述第二透明導電子層的厚度為50nm～200nm。
5.根據權利要求1-4任一項所述的太陽電池，其特征在于，所述太陽電池為鈍化接觸太陽電池，所述半導體層包括設置于所述硅基底第一面的P型半導體層和設置于所述硅基底第二面的N型半導體層，所述第一面和所述第二面中的其中一面為受光面，另一面為背光面;
所述硅基底與所述P型半導體層之間設置有第一介質層，所述硅基底與所述N型半導體層之間設置有第二介質層，所述第一介質層和所述第二介質層的厚度為0.8nm～2.5nm;
所述第一鈍化層、所述透明導電層同時設置于所述P型半導體層和所述N型半導體層背離所述硅基底一側，所述第二透明導電子層全部或部分覆蓋所述第一透明導電子層和所述第一鈍化層背離所述硅基底的表面。
6.根據權利要求1-4任一項所述的太陽電池，其特征在于，所述太陽電池為背接觸太陽電池，所述半導體層包括呈指交叉設置的P型半導體層和N型半導體層，所述P型半導
聲明：
“太陽電池及光伏組件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：通威太陽能（成都）有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
