本申請涉及半導體集成光電子器件技術領域,提供一種三維楔形鈮酸鋰薄膜波導的制備方法,應用于模斑轉化。本申請在二維楔形波導的基礎上,利用光刻膠存在自身消耗的特性,通過控制光刻膠厚度和刻蝕時間,使得刻蝕過程中光刻膠在楔形尖端先被完全消耗掉,露出鈮酸鋰層,再受到上方刻蝕氣體的作用,從而實現垂直方向上波導厚度的減小。由于光刻膠完全消耗所需時間與波導寬度成正比,因此楔形尖端的光刻膠最先被消耗,波導厚度最小,隨著波導寬度增大,波導厚度也相應增大,最終形成一個三維楔形波導結構。本申請利用光刻膠掩膜存在自身消耗的特性,按照傳統干法刻蝕工藝即可制備出三維楔形薄膜鈮酸鋰波導,更進一步地提高了纖芯耦合效率。
聲明:
“三維楔形鈮酸鋰薄膜波導的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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