本發明涉及材料制備技術領域,特別涉及一種硅基鉭酸鋰壓電單晶薄膜襯底的制備方法,包括:獲取鉭酸鋰單晶晶圓片;在所述鉭酸鋰單晶晶圓片的表面制作熱膨脹抑制層,對所述熱膨脹抑制層和所述鉭酸鋰單晶晶圓片進行離子注入得到第一襯底結構,在所述鉭酸鋰單晶晶圓片內形成離子注入損傷層;本申請實施例所述的硅基鉭酸鋰壓電單晶薄膜襯底的制備方法,在對鉭酸鋰單晶晶圓片離子注入前先在其表面制作一層熱膨脹抑制層,熱膨脹抑制層在離子注入的過程中能夠抑制鉭酸鋰的各向異性熱膨脹形變,減小鉭酸鋰的彎曲幅度,提高離子注入的深度均勻性,并最終提高剝離的鉭酸鋰單晶薄膜的厚度均勻性。
聲明:
“硅基鉭酸鋰壓電單晶薄膜襯底的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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