本發明公開了一種鉭酸鋰基片的拋光方法,包括如下步驟:a)將切割后的鉭酸鋰晶片,用粒度為5~20um的磨料研磨,獲得表面具有粗糙結構的鉭酸鋰研磨片;b)將鉭酸鋰研磨片在盛有硝酸和氫氟酸混合酸的密閉容器中直接進行化學腐蝕,使鉭酸鋰晶片的粗糙度<200nm,平坦度<5um,獲得表面隨機無序凹坑結構的鉭酸鋰腐蝕片;c)將鉭酸鋰腐蝕片用單拋機和拋光液進行單面拋光,拋光壓力為0.005~1MPa,使鉭酸鋰晶片的粗糙度<0.5nm,平坦度<3um,獲得鉭酸鋰單拋片。本發明一次拋光,批量生產,拋光效率高,生產的鉭酸鋰基片表面平坦度高,這一特征決定了鉭酸鋰基片在器件應用中不易破碎,材料利用率高,加工成品率高。
聲明:
“鉭酸鋰基片的拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)