本發明公開了一種Si襯底上InGaN納米柱@Au納米粒子復合結構及其制備方法與應用,其中,貴金屬Au納米粒子的SPR效應可以進一步增強半導體InGaN納米柱對太陽光的吸收;此外,Au納米粒子與半導體InGaN納米柱界面處產生的肖特基勢壘有利于促進光生電子空穴對的分離,從而提高器件的PEC光電轉換效率。本發明制備Si襯底上InGaN納米柱@Au納米粒子復合結構的方法,具有生長工藝簡單、可重復性強的優點。最后,本發明公開的Si襯底上InGaN納米柱@Au納米粒子復合材料,禁帶寬度在0.67~3.4?eV范圍可調,具有較大的比表面積,對太陽光有較強的吸收,適用于光電解水產氫。
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