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無機納米粒子修飾PVP絕緣層氣體傳感器制備方法

890   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 17:44:06
本發明涉及一種無機納米粒子修飾PVP絕緣層氣體傳感器制備方法。傳感器為OFET器件結構,包括硅襯底(1),二氧化硅絕緣層(2),PVP/TiO2復合材料絕緣層(3),P3HT氣體敏感層(4)以及在氣體敏感層上蒸鍍的Ag叉指電極(5),器件通過簡單的旋涂工藝進行絕緣層和氣體敏感層薄膜的制備,利用真空蒸鍍技術蒸鍍Ag叉指電極(5),TiO2納米粒子經過吡啶改性增加了與PVP聚合物(6)的相容性,吡啶修飾的TiO2納米粒子(7)與PVP聚合物混合提高了絕緣層的介電常數,有利于降低器件的工作電壓,從而降低器件的功耗,其次促進了氣體敏感層材料P3HT的結晶,提高了傳感器對氣體的響應能力。該氣體傳感器具有靈敏度度高,在室溫下工作和制備工藝簡單的優點。
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“無機納米粒子修飾PVP絕緣層氣體傳感器制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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