本實用新型公開了一種GaN基功率器件的柵極結構。所述柵極結構包括依次設置的介質層、第一過渡層、第二過渡層和堆疊柵電極層,在第一過渡層和第二過渡層之間還設置有一層以上的功函數層,功函數層包括基礎材料層,在基礎材料層上設置有一個以上的窗口,窗口內填充有復合材料,復合材料至少由形成基礎材料層的基礎材料與功函數調節材料復合形成;基礎材料選自金屬化合物,功函數調節材料選自金屬材料。本實用新型實施例提供的GaN基功率器件的柵極結構功函數層內的功函數調節材料元素分層分布和/或圖形化分布控,能有效調制GaN基功率器件的柵極區域電流和電場密度分布,解決引入功函數層帶來的不利影響,使器件達到熱平衡以及能夠提高器件的擊穿電壓。
聲明:
“GaN基功率器件的柵極結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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