本發明涉及一種基于三氧化鎢復合材料的光電化學黃曲霉毒素B1傳感器的制備方法及應用,屬于光電化學傳感器領域。利用濕化學法在氟摻雜的氧化錫FTO襯底上合成矩形的WO3納米片,再通過化學浴沉積法將結構獨特的TiO2納米刺緊密的結合在WO3納米片上,WO3和TiO2的能帶結構和晶格結構間的雙重匹配,增強了WO3的光電響應和穩定性。再采用原位生長法結合上p型窄禁帶半導體Ag2O納米顆粒,得到光電活性顯著提高的三氧化鎢復合材料WO3/TiO2/Ag2O,該材料在谷胱甘肽存在的條件下,顯示出優異的可見光活性。通過層層自組裝方法,將黃曲霉毒素B1抗體、牛血清白蛋白和黃曲霉毒素B1抗原組裝到WO3/TiO2/Ag2O復合材料上,利用WO3/TiO2/Ag2O優異的光電活性以及黃曲霉毒素B1抗原抗體之間的特異性結合,實現對黃曲霉毒素B1的超靈敏檢測,這對黃曲霉毒素B1的分析檢測具有重要的意義。
聲明:
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