本發明公開一種Pd修飾的SnO2/rGO納米復合材料及制備方法、傳感器及制備方法,納米復合材料制備環節需要首先合成微米級多層氧化石墨烯,再通過一步水熱法合成一種Pd修飾的特殊形貌SnO2/rGO納米復合材料。本發明針對現有傳感器對氫氣選擇性低、響應性差、響應范圍窄等問題,提出了一種通過利用催化金屬Pd摻雜提高對氫氣特異性響應,通過多層還原氧化石墨烯作為基底提高材料比表面積與導電性的方法,合成了一種應用于氫氣傳感器中的Pd修飾的特殊形貌SnO2/rGO納米復合材料。本發明方法具有材料制備簡單、對氫氣響應敏感性高以及檢測下限低的優點,在未來對高性能氫氣傳感器制備的需求中,具有廣闊前景。
聲明:
“Pd修飾的SnO2/rGO納米復合材料及制備方法、傳感器及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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