本發明涉及一種小尺寸圓截面陶瓷基復合材料構件熔融滲硅方法。解決對于小尺寸圓截面陶瓷基復合材料零構件LSI工藝制備過程存在的易產生內外密度梯度差、構件密度均勻差、易變形及底部液硅易堆積、粘接等問題。主要包括制備熔融滲硅工裝、加工小尺寸圓截面陶瓷基復合材料構件半成品及制備小尺寸圓截面陶瓷基復合材料構件的步驟,本發明在小尺寸圓截面陶瓷基復合材料構件半成品內型內填充滿SiC砂粒,同時,在小尺寸圓截面陶瓷基復合材料構件半成品外壁與第一坩堝單元內壁之間的間隙即料粉裝填區裝填料粉;內外部雙面熔融滲透,有效提高改性均勻性。
聲明:
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