本發明屬于光電功能材料領域,具體涉及一種逆磁性硫系磁旋光玻璃及其制備方法。該玻璃的原料組成及摩爾質量分數為:60?80%的GeS2、15?20%的In2S3和0?25%的PbI2。本發明所提供的磁旋光玻璃菲爾德常數高達0.287min·G?1·cm?1@632.8nm,高于現有的逆磁玻璃,應用廣泛。本發明所提供的磁旋光玻璃屬于逆磁性磁旋光玻璃,其菲爾德常數與溫度無關,因此用其制備的器件無需溫度補償系統,使得器件結構簡單,穩定性更好。本發明的磁旋光玻璃透過曲線覆蓋可見、近紅外、中紅外以及遠紅外四個波段,尤其適用于中紅外及遠紅外波段的磁光器件中。
聲明:
“逆磁性硫系磁旋光玻璃及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)