本發明的公開了一種高催化活性TiN/Pt復合膜電極及其制備方法,屬于能源材料制備技術領域,其中包括:1)通過磁控濺射技術獲得TiN膜,其中Ti含量的范圍在50?70at%,N元素含量為30?50at%。2)通過磁控濺射技術獲得TiN膜后,再沉積負載量為0.3?3ug/cm2,顆粒大小為2?100nm的Pt膜。針對濕法化學工藝中存在的工藝復雜、成本高、環保性差問題,以及粉體催化劑不易牢固裝配,氮化鈦粉體和Pt協同催化有待提高等問題,本發明采用磁控濺射技術制備TiN/Pt復合膜,原材料采用純金屬,制備方法簡單易行,易規?;?,無廢水及廢棄排放,環保性好;膜材料直接附于基體,不需額外粘連。該發明有很好的工業化推廣前景,可在燃料電池等鄰域有廣泛應用。
聲明:
“高催化活性TiN/Pt復合膜電極及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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