本發明涉及一種高純度、高密度MoO2層片狀納米結構的制備方法,屬于材料制備技術領域。本發明在真空加熱爐中,采用三氧化鉬(MoO3)和硫(S)粉作為蒸發源,在真空環境中通過熱蒸發的方法,在載氣作用下,在基片上可控合成和生長MoO2層片狀納米結構。該方法具有反應平和、納米材料的合成與生長條件嚴格可控、設備和工藝簡單、產品收率和純度高、成本低廉、環保等優點。所獲得的納米結構產物密度高,納米結構的厚度分布均勻,可望在電子器件、鋰離子電池等方面獲得廣泛應用。
聲明:
“高純度高密度MoO2層片狀納米結構的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)