本發明提供一種吸收環境中太赫茲波的材料的制備方法,主要先制備高純六方氮化硼粉料,再熱壓合成六方氮化硼靶材,采用射頻磁控濺射法沉積表面平整度高、結晶性良好、以層狀模式生長的連續大面積的高純六方氮化硼薄膜,然后再采用微波等離子增強化學氣相沉積系統裝置,在高純六方氮化硼薄膜沉積預定厚度的致密石墨烯薄膜,最終獲得一種石墨烯和六方氮化硼薄膜層間緊密結合的高純六方氮化硼薄膜/石墨烯復合材料。相比其他制備方法,本發明制備的高純六方氮化硼薄膜/石墨烯復合材料具有優異的膜層微觀形貌和更高的吸收太赫茲波效率。此外,采用射頻磁控濺射法沉積高純六方氮化硼薄膜,其操作簡單、可大量制備、沉積膜層的可控性強,降低了材料成本。
聲明:
“吸收環境中太赫茲波的材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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