本發明公開了一種面向SiC/高溫合金一體化構件的強韌化碳化硅陶瓷基體及其制備方法,屬于先進制造技術領域。該方法通過向SiC制備材料中添加SiC短纖維實現了增韌,另一方面通過拓撲優化方法在基體的連接部位設計出一種增強基體結構強度的拓撲結構,從原材料和基體結構上實現了對SiC陶瓷基體的雙重增韌。同時SiC陶瓷基體上的這種拓撲結構在實現與高溫合金的鑄造連接時,不僅可以使陶瓷/金屬之間形成一種冶金結合,還可以通過一種機械咬合的方式增強陶瓷/金屬材料之間的連接強度,使陶瓷/金屬之間形成一種“物化雙強耦合”的機制,提高陶瓷/金屬連接的強度與穩定性。本發明是對現有異種材料連接技術的巨大改進,具有廣闊的市場前景與市場價值。
聲明:
“面向SiC/高溫合金一體化構件的強韌化碳化硅陶瓷基體及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)