本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法,第一步備料及預處理;第二步形成高純硅襯底:然后開啟電子束束流為200-500mA完全熔化高純硅料,緩慢降低束流為零,即在水冷坩堝中形成高純多晶硅錠,調節電子束束流為150-300mA熔化高純多晶硅錠,2-5min后形成一層高純硅襯底;第三步熔煉提純:高磷硅料連續緩慢落入熔池中,加大束流至300-700mA,高磷硅料熔化后形成高磷硅液,雜質磷得到去除后從導流口流入坩堝之中,得到低磷硅液,凝固后得到低磷的多晶硅錠。本發明方法提純效果好,工藝簡單,節約能源,降低污染,適合批量生產,設備結構簡單,構思獨特,操作簡單,成本低,可實現連續熔煉。
聲明:
“高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法及設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)