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單晶硅太陽能電池片的干法刻蝕工藝

918   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 14:46:02
本發明涉及一種單晶硅太陽能電池片的干法刻蝕工藝。其特點是,包括如下步驟:(1)將裝好硅片的夾具放入等離子體刻蝕機腔體,硅片數量200~1000片;(2)抽真空;(3)通入反應氣體CF4和O2,控制CF4流量在190-210sccm,O2流量25-35sccm,直至工作壓力達到200-220psig;(4)輝光放電,氣體反應;(5)再次抽真空,然后恢復常壓;(6)打開腔體門,取出夾具,卸片即可。本發明提供了一種物理冶金法單晶硅太陽能電池片的干法刻蝕工藝,適用于125×125mm物理冶金法單晶硅太陽能電池,采用該工藝可以去除擴散后硅片邊緣的短路環,使刻蝕后的硅片符合工藝要求,杜絕過刻或刻不透。
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