本發明公開一種采用冶金法多晶硅摻鎵制作高效多晶硅片的方法,包括如下步驟:(1)在坩堝內壁上涂敷氮化硅涂層;(2)在坩堝內裝入冶金法多晶硅料、化學法多晶硅料和鎵摻雜劑,形成混合物;(3)將裝有混合物的坩堝放入鑄錠爐中,抽真空,加熱,使混合物按照從上到下的順序逐漸熔化;(4)進入長晶階段后,調節鑄錠爐中控溫熱電偶的溫度和側部隔熱籠向上移動的速率,使熱量向下輻射,從而使熔硅形成豎直向上的溫度梯度而自下向上生長;(5)退火、冷卻,即可得到摻鎵冶金法多晶硅錠。實驗證明:本發明的多晶硅錠少子壽命較高,位錯密度低,成本較低。
聲明:
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