一種形成化合物膜的方法,包括步驟:制備源材料,其包括含有ⅠB-ⅢA族合金的顆粒,至少具有一個ⅠB-ⅢA族合金相,ⅠB-ⅢA族合金在所述源材料中構成大于大約50摩爾百分比的ⅠB族元素及大于大約50摩爾百分比的ⅢA族元素;在一基底上以先質膜形式沉積所述源材料;以及在合適的環境下加熱所述先質膜,以形成含有ⅠB-ⅢA-ⅥA族化合物的膜。該方法適用于制造太陽能電池和其它電子器件。
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