本發明提出了一種制備高純碳化硅粉料的方法,其特征在于,(1)選擇高純硅粉和高純碳粉;(2)對高純碳粉、石墨坩堝和保溫結構進行一次提純和二次提純,其中,一次提純采用真空脫氣提純,二次提純采用惰性氣體下的高溫提純;(3)將步驟(2)二次提純得到的高純碳粉和步驟(1)中的高純硅粉置于步驟(2)二次提純得到的石墨坩堝中,反應得到高純碳化硅粉料。本發明通過對碳粉和石墨坩堝及保溫結構進行預處理降低了高純碳粉的含氮量與金屬雜質含量,相比合成碳化硅后再進行濕法冶金處理,更為環保,且工序更簡單,同時保證了合成碳化硅粉料時不會從石墨坩堝及保溫結構中引入雜質。
聲明:
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