光固化陶瓷漿料和碳化硅陶瓷的制備方法

權利要求書(shū)： 1.一種光固化陶瓷漿料，其特征在于，包括以下質(zhì)量百分含量的各原料：SiC@SiO2粉末：25％?60％； 光固化樹(shù)脂：10％?40％； 碳源樹(shù)脂：10％?40％； 光引發(fā)劑：0.1％?2％； 分散劑：2％?6％； 所述SiC@SiO2粉末包括SiC核體和包覆在所述SiC核體表面的SiO2殼層；所述SiC核體的粒徑與所述SiO2殼層的厚度之比為1:(0.15?0.5)；所述SiC@SiO2粉末是由高溫氧化法制備得到，所述高溫氧化法包括：將SiC粉末在800℃～1200℃下保溫1h?20h，得到SiC@SiO2粉末粗品，將所述SiC@SiO2粉末粗品經(jīng)破碎和過(guò)篩得到SiC@SiO2粉末；所述SiC@SiO2粉末包括第一SiC@SiO2粉末和第二SiC@SiO2粉末；所述第一SiC@SiO2粉末的粒徑大于0.1μm且小于或等于5μm；所述第二SiC@SiO2粉末的粒徑大于5μm且小于或等于32μm；所述第二SiC@SiO2粉末與所述第一SiC@SiO2粉末的體積比大于0且小于或等于1；所述碳源樹(shù)脂在800℃時(shí)的殘碳率大于或等于40％；所述SiC@SiO2粉末與所述碳源樹(shù)脂的質(zhì)量比為1:(0.4?1)。 2.如權利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述SiC核體的粒徑為0.1μm?30μm；所述SiO2殼層的厚度為20nm?2000nm。 3.如權利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述碳源樹(shù)脂包括酚醛樹(shù)脂。 4.如權利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述光固化樹(shù)脂包括三羥甲基丙烷三丙烯酸、1,6?己二醇二丙烯酸酯和聚二六丙烯酸酯中的一種或多種。 5.如權利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述光引發(fā)劑包括二苯基(2,4, 6?三甲基苯甲?；?氧化膦、2,2?二甲氧基?2?苯基苯乙酮、2?異丙基硫雜蒽酮、2?羥基?2?甲基?1?苯基?1?丙酮和1?羥基環(huán)己基苯基甲酮中的一種或多種。 6.如權利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述光固化陶瓷漿料的粘度為 1Pa·s?5Pa·s。 7.一種碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將光固化陶瓷漿料經(jīng)光固化成型得到SiC@SiO2陶瓷坯體；所述光固化陶瓷漿料包括以下質(zhì)量百分含量的各原料： SiC@