權利要求書： 1.一種光固化陶瓷漿料，其特征在于，包括以下質量百分含量的各原料：SiC@SiO2粉末：25％?60％；
光固化樹脂：10％?40％；
碳源樹脂：10％?40％；
光引發劑：0.1％?2％；
分散劑：2％?6％；
所述SiC@SiO2粉末包括SiC核體和包覆在所述SiC核體表面的SiO2殼層；所述SiC核體的粒徑與所述SiO2殼層的厚度之比為1:(0.15?0.5)；所述SiC@SiO2粉末是由高溫氧化法制備得到，所述高溫氧化法包括：將SiC粉末在800℃～1200℃下保溫1h?20h，得到SiC@SiO2粉末粗品，將所述SiC@SiO2粉末粗品經破碎和過篩得到SiC@SiO2粉末；所述SiC@SiO2粉末包括第一SiC@SiO2粉末和第二SiC@SiO2粉末；所述第一SiC@SiO2粉末的粒徑大于0.1μm且小于或等于5μm；所述第二SiC@SiO2粉末的粒徑大于5μm且小于或等于32μm；所述第二SiC@SiO2粉末與所述第一SiC@SiO2粉末的體積比大于0且小于或等于1；所述碳源樹脂在800℃時的殘碳率大于或等于40％；所述SiC@SiO2粉末與所述碳源樹脂的質量比為1:(0.4?1)。
2.如權利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述SiC核體的粒徑為0.1μm?30μm；所述SiO2殼層的厚度為20nm?2000nm。
3.如權利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述碳源樹脂包括酚醛樹脂。
4.如權利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述光固化樹脂包括三羥甲基丙烷三丙烯酸、1,6?己二醇二丙烯酸酯和聚二六丙烯酸酯中的一種或多種。
5.如權利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述光引發劑包括二苯基(2,4,
6?三甲基苯甲?；?氧化膦、2,2?二甲氧基?2?苯基苯乙酮、2?異丙基硫雜蒽酮、2?羥基?2?甲基?1?苯基?1?丙酮和1?羥基環己基苯基甲酮中的一種或多種。
6.如權利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述光固化陶瓷漿料的粘度為
1Pa·s?5Pa·s。
7.一種碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將光固化陶瓷漿料經光固化成型得到SiC@SiO2陶瓷坯體；所述光固化陶瓷漿料包括以下質量百分含量的各原料：
SiC@
聲明：
“光固化陶瓷漿料和碳化硅陶瓷的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：深圳大學
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2025年07月09日 ~ 11日 
